恩智浦半導體與台積公司於國際電子元件大會 (IEDM )發表七項半導體技術及製程創新

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在記憶體、電晶體以及製程方面的突破有助於消費性電子元件的進展

恩智浦半導體(NXP Semiconductors)（由飛利浦創建的獨立半導體公司）與台灣積體電路製造股份有限公司今(12)日表示，兩家公司於美國華盛頓特區(Washington D.C.)舉行的國際電子元件大會(International Electron Devices Meeting，IEDM)中共同發表七篇論文，報告雙方透過恩智浦半導體-台積公司研究中心(NXP-TSMC Research Center)合作所締造的半導體技術及製程方面的創新。
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7 D: H; m) ~' o" L4 s# T9 P在大會中，NXP-TSMC Research Center發表了創新的嵌入式記憶體技術，這與傳統的非揮發性記憶體相較，速度最多可以快上1000倍，同時也具備小尺寸及低耗電量等優勢，預估耗電量較目前的記憶體至少小十分之一，製造成本也比一般的嵌入式記憶體節省百分之五到十。此外，在使用近距離通訊技術(NFC，Near Field Communication)進行行動付款或資料傳輸時，此一技術有助於避免資料干擾及增加資料傳輸的安全性。

$ f- ]" Y7 l0 {: H  i: K/ p另一個論文發表的是置換傳統石英震盪器的創新突破，此一技術可以在晶片中內建更小及更薄的計時器，而可以直接在智慧卡或行動電話SIM卡晶片上內建計時器，可以進一步強化卡片的加密保護功能。
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此外，NXP-TSMC Research Center也將發表在電晶體上的創新突破，報告新一代電晶體的效能以及其在多種不同的應用。
: y3 R7 j6 G: M1 c, W. E1 ^9 D; j  H' rNXP-TSMC Research Center 於IEDM所發表的七篇論文其創新突破簡介如下：

. _! e" T7 p& x' x' l; R5 b․提高電晶體頻率 (High Frequency Breakthrough): A novel fully self-aligned SiGe:C HBT architecture featuring a single step epitaxial  
5 A& `5 [5 t: P( |    collector-base process
․簡化行動產品應用的低耗電量CMOS製程 (Process Simplification for Low Power CMOS Processes for Portable Applications): Tuning
    PMOS Mo(O,N) metal gates to NMOS by addition of DyO capping layer
/ y; ?' ^: r4 ?5 K  y․新世代電晶體 (New Generation Transistor): Demonstration of high-performance FinFET devices featuring an optimized gatestack
․展現CMOS高效能製程新里程碑 (Demonstration of High Performance Full CMOS Process): Low Vt CMOS using doped Hf-based oxides,
    TaC-based Metals and Laser-only Anneal
5 O* W( E3 {0 M! i8 [$ n3 ]$ m7 q4 _․創新的電路設計，大幅降低耗電量百分之八十 (Reducing Power Consumption Effectively by 80%): Rapid circuit-based optimization of
& a6 ]* R, z9 y# u; d6 u2 }; q    low operational power CMOS devices
+ s5 q, I. H; H, X+ I0 |0 {․更快速、更省電、尺寸更小的嵌入式記憶體 (Faster, Low Power, Scalable Embedded Memory): Evidence of the thermo-electric
   Thomson effect and influence on the program conditions and cell optimization in phase-range memory cells
& ^& X" B9 z; B# a* Z5 T0 \* B& [5 {" h․石英震盪器技術突破 (Resonator Technology Breakthrough): Scalable 1.1 GHz fundamental mode piezo-resistive silicon MEMS resonator