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恩智浦半導體與台積公司於國際電子元件大會 (IEDM )發表七項半導體技術及製程創新
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作者:
chip123
時間:
2007-12-13 09:06 AM
標題:
恩智浦半導體與台積公司於國際電子元件大會 (IEDM )發表七項半導體技術及製程創新
在記憶體、電晶體以及製程方面的突破有助於消費性電子元件的進展
, V8 m" i9 u( i. @
恩智浦半導體
(NXP Semiconductors)
(由飛利浦創建的獨立半導體公司)與台灣積體電路製造股份有限公司今
(12)
日表示,兩
家公司於
美國華盛頓特區
(Washington D.C.)
舉行的國際電子元件大會
(International Electron Devices Meeting
,
IEDM)
中共同發表七篇論文,報告雙方透過
恩智浦半導體
-
台積公司研究中心
(
NXP-TSMC Research Center)
合作所締造的半導體技術及製程方面的創新。
4 C! `& i8 m% f) D# C- ~9 m
( k. q# `! w$ p( c) g
在大會中,
NXP-TSMC Research Center
發表了創新的嵌入式記憶體技術,這與傳統的非揮發性記憶體相較,速度最多可以快上
1000
倍,同時也具備小尺寸及低耗電量等優勢,預估耗電量較目前的記憶體至少小十分之一,製造成本也比一般的嵌入式記憶體節省百分之五到十。此外,在使用近距離通訊技術
(NFC
,
Near Field Communication)
進行行動付款或資料傳輸時,此一技術有助於避免資料干擾及增加資料傳輸的安全性。
0 j2 V& f6 f6 I9 n$ t% Y. A i* l+ }
: x5 J2 | e7 I
另一個論文發表的是置換傳統石英震盪器的創新突破,此一技術可以在晶片中內建更小及更薄的計時器,而可以直接在智慧卡或行動電話
SIM
卡晶片上內建計時器,可以進一步強化卡片的加密保護功能。
$ d {9 k+ t1 S$ s# n! y
6 g6 h( E4 a0 y( B2 U4 i
此外,
NXP-TSMC Research Center
也將發表在電晶體上的創新突破,報告新一代電晶體的效能以及其在多種不同的應用。
- u( u5 f5 D% P' @7 a
NXP-TSMC Research Center
於
IEDM
所發表的七篇論文其創新突破簡介如下:
3 ]; C' S" g! G' h
4 p7 R" U$ }3 V5 y* m* A% F
․
提高電晶體頻率
(High Frequency Breakthrough): A novel fully self-aligned SiGe:C HBT architecture featuring a single step epitaxial
- e3 S: w* h) ^! _
collector-base process
6 c, ^- [! Z* I4 K( O7 _7 M
․
簡化行動產品應用的低耗電量
CMOS
製程
(Process Simplification for Low Power CMOS Processes for Portable Applications): Tuning
9 g8 L* J' K6 U4 d/ ^/ T
PMOS Mo(O,N) metal gates to NMOS by addition of DyO capping layer
- T7 j! U9 i* K
․
新世代電晶體
(New Generation Transistor): Demonstration of high-performance FinFET devices featuring an optimized gatestack
5 y# q0 w0 Y- x( k- r
․
展現
CMOS
高效能製程新里程碑
(Demonstration of High Performance Full CMOS Process): Low Vt CMOS using doped Hf-based oxides,
7 p) w8 o4 _8 [, h) U3 Z! B4 A
TaC-based Metals and Laser-only Anneal
9 \; q. O* o) }4 ?# Z
․
創新的電路設計,大幅降低耗電量百分之八十
(Reducing Power Consumption Effectively by 80%): Rapid circuit-based optimization of
( ~* _- [- D. r7 p+ [0 u" M
low operational power CMOS devices
: j7 s# U! J9 j$ ^
․
更快速、更省電、尺寸更小的嵌入式記憶體
(Faster, Low Power, Scalable Embedded Memory): Evidence of the thermo-electric
$ e$ J9 E# \2 v1 F- p9 \
Thomson effect and influence on the program conditions and cell optimization in phase-range memory cells
# A0 T. p0 g' k! _! A
․
石英震盪器技術突破
(Resonator Technology Breakthrough): Scalable 1.1 GHz fundamental mode piezo-resistive silicon MEMS resonator
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