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[問題求助] 請問Via小問題

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1#
發表於 2007-11-21 00:32:54 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
之前有一位Designer說要求不要把MOS上的Via打滿,因為會造成寄生電容(Drain to Source),
/ F! l3 s" `) Q* J; F5 r不過我覺得MOS的contact要打滿才能降低Resistance;且能將電流均勻流進Drain and Source, . c$ S+ x8 G: H% Y) Y6 s( [
不過Via不打滿電流不就無法均勻流進MOS嗎,希望前輩提供經驗或看法。
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2#
發表於 2007-11-22 17:53:16 | 只看該作者
基本上寄生電容的產生,不是各layer上下左右以及面積距離的
' h- D: M) H/ F* W1 K# m3 }# ?7 F關係嗎?(就我粗淺的了解),你可以直接問你們designer,這是
+ ]  c( N; O0 q, h* n& R4 m, {基於什麼原理,我也很想知道.
3#
發表於 2007-11-28 09:37:43 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

contact 是指連接到metal 1 的  你說ㄉ via 應該是 連接m1 m2ㄉ
' T; m+ w0 t, _* U- U+ y; ~如果這樣就還好 ,via 打一個就有效ㄌ
4#
 樓主| 發表於 2007-11-29 09:54:46 | 只看該作者
類比電路的MOS contactS 要打滿, 這是確定的 1 ?: h. L4 l% O5 n& y2 h8 k; `# E9 o
VIA1就不用打滿,一次打兩個VIA1既可,兩個打上面(S),兩個打下面(D),這樣就很平均了 1 H0 _) x% f) ]8 g# E
電流幾個 uA級的 MOS , 一個 VIA1就好,要良率好,那就用兩個 VIA1
, e$ M% a" G9 K# o& t2 \( U: j# |+ k6 M1 I
打太多,工時長,又不好跑線,以後改版也麻煩 + P9 V- X3 m& S3 T0 w* `
打太多,並聯可降低電阻,卻增加電容, ( t/ o- d2 v, [, ?0 x( H$ f8 r0 f

/ N% i  N) V4 N4 Z7 w要流大電流,就要算 via 顆數,和 metal 寬度
7 |! n& ]# }" X% ]* Q+ B) Qvia 陣列過大(用min. space) ,製程也不好.
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