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[問題求助] 請問Via小問題

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1#
發表於 2007-11-21 00:32:54 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
之前有一位Designer說要求不要把MOS上的Via打滿,因為會造成寄生電容(Drain to Source),
" ]$ p7 [. {5 r' _4 r5 J( e不過我覺得MOS的contact要打滿才能降低Resistance;且能將電流均勻流進Drain and Source, 1 D* ~" b" f4 ?7 K5 r% @
不過Via不打滿電流不就無法均勻流進MOS嗎,希望前輩提供經驗或看法。
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2#
發表於 2007-11-22 17:53:16 | 只看該作者
基本上寄生電容的產生,不是各layer上下左右以及面積距離的9 a# Z% ?3 P0 L5 j
關係嗎?(就我粗淺的了解),你可以直接問你們designer,這是
" D& t2 b$ \: `% k7 |* i基於什麼原理,我也很想知道.
3#
發表於 2007-11-28 09:37:43 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

contact 是指連接到metal 1 的  你說ㄉ via 應該是 連接m1 m2ㄉ
* d; H! d: X% `9 s( G如果這樣就還好 ,via 打一個就有效ㄌ
4#
 樓主| 發表於 2007-11-29 09:54:46 | 只看該作者
類比電路的MOS contactS 要打滿, 這是確定的
+ g8 G: y! O0 |  z% `5 [' C2 DVIA1就不用打滿,一次打兩個VIA1既可,兩個打上面(S),兩個打下面(D),這樣就很平均了   b4 Q8 G7 A( L* X' e
電流幾個 uA級的 MOS , 一個 VIA1就好,要良率好,那就用兩個 VIA1
  v* D: d! T, T) _& c2 d1 c! B+ P* d. L% K  ]# H- u# x
打太多,工時長,又不好跑線,以後改版也麻煩
8 j- D4 ?1 w# M' u) q' m打太多,並聯可降低電阻,卻增加電容, , b. I1 n/ T6 Z) R3 @. G

" L2 G0 [! K& j  q要流大電流,就要算 via 顆數,和 metal 寬度 ; p7 h9 H. W% N3 H+ W( D( y4 a& H
via 陣列過大(用min. space) ,製程也不好.
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