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[問題求助] 請教nmos in nwell的問題

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1#
發表於 2007-11-16 11:08:03 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
這顆NMOS用n guard ring圈起來,這樣的nmos,是屬於可變
' O& G6 n/ t1 B* {. I0 p電容嗎?使用calibre的command file,台積0.18製程," W7 o" ^  N* A
netlist file中那個model name是用 n表示,這model name
9 V" D  B9 P% s) A( a; s是否有問題." Y6 C9 \- G* S9 }
ps. 1  error report是  
  n+ {% h& R/ _; E8 S******************************************************************************& H/ q( @- l# W# x* x
                                 INCORRECT INSTANCES
" I9 |; k# C1 I' b* Z! u
7 _2 ^1 E+ ?2 i- gDISC#  LAYOUT NAME                                           ne  SOURCE NAME/ k0 l8 W1 [9 h5 M: N
*******************************************************************************
* U5 X( c8 z, W7 E7 `
- @3 Z2 M/ }2 d. ^8 v3 _  1    ** missing instance **                                    MC  MN(N)  p7 }2 u( s& w- Y2 V
/ j- f: W- ]3 X/ T* i2 R
只有這樣,然後只說nmos有差一個,就沒其他解釋0 \  x/ N" u* q

* h! K  X* F, zps.2 在另外一個版本中,也有同樣的東西,但是lvs卻抓得到,2個版本只有差在.tf檔不同版,( b) s1 m: l/ t2 ^4 [/ v- ?
     會是tf檔的差異嗎?(目前找不到其他差異)
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2#
發表於 2007-11-18 06:14:51 | 只看該作者
從你的PS上猜測* [% O; e( v0 Z% Z  m
應該是device name對不到,檢查看看netlist的device name,如果是就修改LVS command files就好了。
3#
發表於 2007-11-19 09:46:06 | 只看該作者
如此結構不能說是  NMOS  只能說是 Capacitor!!
' e: l, h6 H2 p) {4 q) U" O所以  不能以  NMOS 建圖!!
4#
 樓主| 發表於 2007-11-19 17:34:48 | 只看該作者
因為這個東西最原始的是投x芯的製程,將其轉為台積後,7 {+ W& H. j# V, Y8 |: W- E
卻不知道像這種型態的moscap,在台積是否有效.
) Q# t4 z, [& _6 b$ ]- g所有相對應的layer都是正確的,對calibre的command file
0 l8 @7 K+ Z( L( v不是很熟悉,不曉得像這種在nwell內做nmos還圍上n diffusion
" o0 I' c1 S9 S  R, vguard ring的mos,command file會不會將它視為dummy cell,
# [2 |* H& s- Y* n+ n9 B而去忽略它.所以會有上面error report的情形,像layout少一顆mos- O" X9 z! h9 m
的樣子.又或者model name的問題,還是說要蓋一層layer讓( {5 L- F- Z$ L- o/ k
command去認它.
5#
 樓主| 發表於 2007-11-20 12:01:43 | 只看該作者
從pdk中去找相似的type,發現台積0.18製程沒有這樣的& {2 F4 h. U: s% R( I! C7 [; P
東西,有一個比較類似的是mos_var,但是它的guard ring9 x) X6 J$ u" [3 ^9 D
是p diffusion,找它的command file,也沒有mos_var這個
" }7 f2 U% l; n1 T: e- t東西.所以現在device name還不知道要怎麼給.
# Y1 N  Z0 C, M5 |6 B另外關於上面ps2中提到舊版本為什麼會過,我發現前面的. A9 V: D) n& Z) h$ G
人在那棵mos旁邊並聯一個同樣的mos,只是改成一般型態. P1 b7 A- G0 A! J# Z
所以lvs會抓新的那個,舊的當成沒有這顆mos.
6#
發表於 2007-11-20 15:47:30 | 只看該作者
原則上  這個電容是可以用的!!! v$ K; _( W4 [- v* V
加上一個 dummy layer 把它定義成電容就可以說!!+ Z2 ?( t! \' K1 g9 A2 O
這個電容有許多人用過!!9 x! M$ M! q" r) |* g
早期沒有 Double poly 電容的時候!!  有相當多的人在用!!
7#
 樓主| 發表於 2007-11-21 10:33:05 | 只看該作者
基本上command flie的描述是這樣8 D2 o% R" p/ d$ [7 Y( @
* VARGT = OD * POLY1 * NIMP * NWELL * VARDMY- O! F, d4 P/ ]+ [  R
nmoscap        1.8V NMOS Varactor      (VARGT-OD2-RFDUMMY-RFDUMMY1)& `/ y  A4 a7 E5 S
這樣的描述與上述的moscap只差一個p或n的guard ring,那我device name用
$ Z, o) y* a5 I2 w1 @1 ^' ?+ w; k+ U"nmoscap",這樣是否可以.# L3 n. u  ~- n0 d8 ^; E
我在netlist file上這樣描述,( r3 r% ^! J# `, I* W  X; O7 h% n$ N" O
XMC1 VCMIN REFM nmoscap Lr=5U Wr=620U mr=1
* M7 K5 X2 S0 @- h& _然後在netlist file中,INCLUDE 一個source_added,這個file中有nmoscap的格式2 A" e2 L" Z: N# `* m
這樣做是否正確,事實上還是有問題,只是搞不懂問題出在那.
8#
 樓主| 發表於 2007-11-22 14:00:20 | 只看該作者
謝謝各位的幫忙,在修改netlist以及layout,已經順利解決' n+ T& _* [! a- z8 B& R/ [
這個問題.
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