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[問題求助] VOLTAGE REFERENCES

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1#
發表於 2007-11-8 17:30:58 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問一下6 b7 P/ A* p9 s
在VOLTAGE REFERENCES使用 運算放大器+電晶體來做% D5 H. y, t0 E+ w0 `8 I
運算放大器就使用Folded cascode op+ Z$ ^9 S4 w7 x, A6 j. z' m

" y# b+ {1 P! F5 V* ?! @* X我的問題是 要如何調整所要的VOLTAGE REFERENCES大小?' @& m3 N+ K4 Z& c# Z+ {' n; A

1 E; u& Z8 @1 S0 Y還有就是如何在標準 CMOS製程中實現BJT?
4 H, @' D& k0 g4 g5 y9 A
( U* w3 l# h* i+ J1 q' U另外想再問一下6 l9 W+ s( A( C6 e, m& T0 U. v: A
HSPICE中  有五種Corner(TT、FF、FS、SS、SF)! u9 c- i3 S0 r
請問這幾種有什麼差別呢
- I* T" d3 S8 r4 [! A6 A小聲問(ppm是什麼的單位), @; z. ?  @! W9 J: W
謝謝各位了
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2#
發表於 2007-11-9 11:15:51 | 只看該作者
A CMOS bandgap reference circuit with sub-1-V operation
1 @' ^9 V3 y' `1999 JSCC4 n  Y: t0 a% q7 W2 y. R0 w
看一下這篇論文吧
3#
發表於 2007-11-14 16:39:36 | 只看該作者
VBG(1.25V)+Voltage Buffer(OP+回授電阻分壓)就可以調出你要的電壓了
: m) i; P! u1 P% f+ V2 G
; F: h4 n4 O( V+ s6 h7 o  hPPM是指百萬分之一0 A; L$ e; }% p
8 C* k$ D+ M* i% N0 R7 `
TT FF FS SS SF 是說PMOS跟NMOS是快的還是慢的 F是快 S是慢 T是Typical4 H1 c, ]% H( z+ m  n
快跟慢主要是因為製程的變異造成Vth不同 Vth越小 MOS速度越快
- I7 S0 P8 p  y一般設計電路這些corner都會模擬一遍 以保證電路在製程變異下 還是可以運作
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