VOLTAGE REFERENCES

jerryhuang23

請問一下
, F/ _4 F& ]" g  y在VOLTAGE REFERENCES使用 運算放大器+電晶體來做
運算放大器就使用Folded cascode op

; U) G5 [" M6 N! j3 D我的問題是 要如何調整所要的VOLTAGE REFERENCES大小?
0 Z6 U3 V; U6 e* V# f
4 d/ e/ b7 K* H& W+ M4 T* [9 u+ b還有就是如何在標準 CMOS製程中實現BJT?

另外想再問一下
HSPICE中  有五種Corner(TT、FF、FS、SS、SF)
: b+ S9 Y5 A4 s0 j# B請問這幾種有什麼差別呢
小聲問(ppm是什麼的單位)
謝謝各位了

et2234

A CMOS bandgap reference circuit with sub-1-V operation
1999 JSCC
看一下這篇論文吧

monkeybad

VBG(1.25V)+Voltage Buffer(OP+回授電阻分壓)就可以調出你要的電壓了
& \. P+ A# w; t2 k7 t
* k. x4 ^- m0 e# WPPM是指百萬分之一
+ y4 x9 J) T6 F% e& G* }! T% P
TT FF FS SS SF 是說PMOS跟NMOS是快的還是慢的 F是快 S是慢 T是Typical
. h3 D, Q( z7 c! `$ p1 x# U" P, F快跟慢主要是因為製程的變異造成Vth不同 Vth越小 MOS速度越快
/ R. D# Y7 x* s: Z2 S$ P一般設計電路這些corner都會模擬一遍 以保證電路在製程變異下 還是可以運作