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請問SDRAM (或DDR)在PCB layout(for 4 or 6 layer)上有那些layout準則須要注意% G$ R0 b3 _+ W. x; t6 f- U: p
才可以得到最好的EMI或noise效果
+ o/ i/ T6 n+ n+ Z8 F; U: ?! b; N3 k9 c6 F5 J6 ^
目前已知的rule:
( g5 D" \. R0 F3 j7 q5 m( A5 z" E1. 走線等長
1 \& O5 o* ], N/ o5 z) g4 E - 每一條走線(Ctrl/Addr/Data)嗎? 還是控制線就好(Ctrl or Ctrl+Addr)?& i6 i/ M' I, \# p$ B8 X
- 等長的範圍為何? (100mil?)7 \. ?- E1 u0 W+ Z8 o& M
2. Clock加粗
9 v' c* D& Z; w7 X) C - 多粗? 是否不同頻率, 有不同的寬度規格?
4 I: c3 Q; B! j2 j2 O3. Clock包地9 w! x2 K8 Q; g% ]4 d* C* k
- 須要打VIA嗎? 如果要打VIA, 做得到等長嗎?! j% [7 C3 N; c$ [$ @
" q" r1 ]. N/ _7 c
目前做了一片4 layer PCB
% E+ I9 b0 @# x9 r' F, USDRAM clock=148MHz. J2 ^' l* T( k' b# L
但整片PCB(包括ground)用頻普都可以量的到148MHz得倍頻& N- { T' O1 Q. `$ G& f* a
請大家提供一下意見* p& v7 ]1 s! j" u2 u$ [
5 b! S4 J3 t5 i7 D0 V8 h
謝謝 |
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