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老實說,
$ U- J, G' j( T6 L你問的問題很廣,
0 J3 s2 D& r/ T3 s" R7 }: @6 h會根據不一樣的條件,* L( W! z: D) L: ~- f7 _
而有不同的答案。
# t, q) T2 q: s, q1 M
5 X% F2 L+ Q) u2 p6 q1 r. p以nmos,body=source=ground的例子來說,
! M6 C" ]" d; [' k& t6 n/ b, F4 g$ v1 |7 P3 e1 f1 S0 B
(1) 如果gate=ground,nmos turn off,/ |/ l: ~& ]" g0 o: Y: f
如果vdg的壓差不會讓gate-oxide breakdown的話,
+ n9 `- H6 `+ q! o: R7 U一般來說,應該不會,
9 D+ g* [# d o/ O因為SiO2的critical electric field滿大的,
2 Z9 t3 w% e( t3.3V device gate oxide還滿厚的。
. \6 r! B+ k- U7 x) Mvds最大值就是其寄生n+/p-sub/n+ bjt的breakdown voltage,& A( k3 A! J% l, x* s- q
這個值通常很大,
C# ~. P5 ?' w; x$ Y4 `+ [因為body=source=ground。
! S* `% B) m- \- u r另外,如果channel length比較短,
. }7 P4 p# j' E% W3 [6 e' A. x( a這個值 "可能" 會跟channel length有關,- E# y1 m3 _ M
但如果channel length大到某種程度後,+ u7 e. {0 Z6 ?% J' j6 K4 s, f; u1 q
應該也沒影響力了。) X6 V5 ]7 w! Z/ o7 |- H
" K! X: ` Q S% y$ s7 W3 I5 K
(2) 如果gate=bias voltage,
) k9 H' T- H# h- @( r3 y這顆nmos可能當current source使用,
' f E5 _5 p* }這時候就要考慮其hot-electron的效應,
- Q9 h- q# i9 l2 e9 r( ]: |因為單位面積的current可能滿大的,
2 p1 ]; R1 o t, @/ j% ?而vgd也不小。
& \5 f' l, U t$ N" O5 ]) }8 F5 s, K; z) v) A z: Z% i
(3) 如果gate=darin=high-voltage,
: K. F6 e% c+ P; d這樣的單位電流會大到不行吧!" q O9 }( M8 |8 P$ r
Id = kn'W/L * (vgs-vt)2
0 f7 ~# F1 g M V- c0 |6 ]4 T# u* |) C: @1 k% @7 D8 ]
所以通常是case2會是要考慮的問題,& I2 K' {& x4 X1 P! ~ d/ ?5 m, Y
不過hot-electron就是可靠度的問題囉。
3 |* D [6 A b# e/ l( Hn.n |
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