想請問一下設計mos的wenth跟length

yuiz

最近一直在模擬paper上的電路，(也清楚了為何電路會這樣接)
6 Y1 B4 A4 L: G3 a4 Q5 `6 W好比說VCO，PLL的電路
通常你們在設計nmos或pmos的時候，長寬比都怎麼去設計呢
如果是以0.18um製成或0.35um的製程來說
不知道各位專家有沒有什麼建議或指導之類的.....

sjhor

類比的世界  沒有 standard!!
9 p* E7 G9 \# O) B( Y' S所有的 width & length 都是依照設計者的需求來設計!!
- _3 ^- l1 d1 p$ q2 E" N! ]2 w所以  應該沒有人可以告訴你標準答案!!
# o4 P3 L+ G2 E$ h: s9 d% n0 H- t或許  有這麼一條 guide line 叫做  儘量不要用到 min. length/width!!
這是考慮到製程變異的時候!!  假如不 care 時  也是可以用的啦!!
  u/ c* O6 l  S9 G看你自己的需求唷!!

liangshangquan

L大小的選擇和mos的使用有關係
# [* P# F- p) n$ f/ \4 @有從match的考慮，電壓mos和電流mos
) b) P( K$ t# ]2 ^" w! b9 ?. }有從1/fnoise的考慮等等
沒有絕對
  x; x+ V  q4 M3 I0 g2 b! ~- w9 {w的選擇主要和vdsat和L大小相關

dennates

一般length都會設計在最小L的2-5倍
再看電流來設計wenth

賴永諭

Reasonable sizes for lengths of the transistor might be between 1.5 and 2 times the minimum transtor lengh of particular technology.

wiltao

for the 0.35 process L usually is 0.4 in the process datasheet, then you calculate your W according the formula Id=1/2uCox(W/L)Vov*2 usually,But as the other guy said your specification is the first

gimayon

類比電路基于match的考慮,一般需要更大的L
- \$ o, V+ o0 E6 x9 y^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^
基於 製程變異 及 短通道效應

( d0 s, w0 F8 ~9 E; l! B% m/ L7 f4 {先明白公式,推小信號MODEL
' h. `6 E/ {5 N^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^
20/2 跟 10/1  在數學上是一樣的(忽略2次效應)
% l3 B' r! s( E% `& E  ?9 _- d但在 hspice 可能是不同的 mos model

andywu

2樓的是REVERSE吧...
! {7 g) K5 i% J3 K$ p4 p/ m
  u' f8 ~" K$ G: f# w6 v我想還是要以分析來設計

! V1 j. s& o# i3 ~( Z! B. k" {先明白公式,推小信號MODEL

% ?5 K9 h8 t# I/ w, @2 H, ?應該可更清楚

hycmos

看是類比還是數位電路,
' K8 q: B6 V+ A4 u4 u$ L0 N類比電路基于match的考慮,一般需要更大的L,
數位電路基于經濟的考慮,會選取最小的L, 0.35um. 因為數位的處理電平都是0和1.

eeKuo

0.35um製程, 應該 L 都用0.35um , W可用10um或是5um,我在學HSPICE都是這樣設定的
/ H- H, G4 [8 W7 ~但還是要看設計者啦

twteng

一般類比電路的書籍(ex:Alan..)都會提到喔，大部分都是以OP當做例子，利用OP的規格去回推MOS的SIZE喔.

wuwen

Sorry, I would say they are total mismatch!

temes

比如W/L=12/60. 和这个20/30。match怎么看

緣緣

一般在設計NMOS或PMOS，為了讓MOS在飽和區工作，以所需要的電流(Id)，再利用MOS飽和區電流公式Id=1/2 u Cox (W/L)(Vgs-Vt)2來估算W/L的比值，
$ L* ]1 L. r8 r! V1 J0 [) n! |另外，如果是0.35um的製程，表示L最小可以到0.35um，但建議不要用到最小，因為如果製程不穩，L很可能會跑掉，而造成電路Function功能不正常。

li202

L與W跟你的操作電流、頻率盛至跟溫度有關
5 r4 k2 G+ h7 v一般L的不要抓到min值,L大一點可以避掉製程size的變異
6 y# X5 P( y: {$ y9 D* P% s適當的W/L比例控制去抓Veff值比較好

gengwd

根据工艺确定Length,然后根据MOS的功率和速度确定wenth。