關於CMOS的正負Tc

relax918

想請問各位較了解Bandgap reference 的大大
之前我有下一顆BGR
所以目前知道的     大部分BGR 是利用BJT~ PN接面的負Tc電壓 與 兩個BJT間的電壓差正Tc 來互相補償
2 C4 N( z' r0 s( f可是現在我在做的是paper上的BGR     他是使用CMOS代替BJT
) u1 z: Y  `' R4 X2 sBJT是利用Area的不同(通常是1:8)~  他CMOS是利用W/L來形成倍數
3 v% [# r) ~" D& O9 ?  j% y, r; J. I因為是paper... 所以很多公式都是三級跳= ="  有看沒有懂
/ O8 E: e. j; S: D: b' w& o/ O
所以想請問一下大大~  
N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路 (類似BJT的C腳接電路)，S端接地(類似BJT的B、E腳接地)
0 f/ ~$ y) C  n9 ]* U7 u這樣的架構~   這顆MOS是怎樣的動作~ 產生的是正Tc還是負Tc ?
0 l/ n6 s2 b. H1 X/ L% r; d
以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
bandgap voltage reference?
, t8 H3 G! ^; B4 Y1 K" Fbandgap voltage reference?
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8 r# A$ A' u* X請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
bandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
+ N7 t7 U/ o$ f5 QBandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作
* B+ ~" E3 E5 S  v$ Q4 V5 g" X6 O
7 L# _7 ~/ E! H: Y4 o* I7 C1 W6 k6 d

[ 本帖最後由 sjhor 於 2008-7-4 09:47 AM 編輯 ]

JUI

ywliaob 發表於 2007-9-4 02:25 PM
! s$ N+ i0 d! ]8 ~NMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
' P  I) d1 k) F% b$ c應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧
& s) d" U6 p: Q- l+ e4 q假如G端也接地的話  ...

( u- X. ?( c$ u感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉
/ S6 S0 m7 [3 }; z2 W0 Q

engineer

為什麼不採用BJT類型的BGR呢？省電因素？

luyan923

一般做bandgap的管子实质就是个N结了，mos是将d和g接在一起，bipolar是将b和c接在一起了，这样主要是利用了pn结的负温度系数的特性。

Oo海闊天空oO

"N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路"
& H, {5 _8 p! ~5 |' M3 ~2 A這種架構就類似於Diode-connected Transistor
, G  h: w; I. l  o! T1 H二極體接法形式的電晶體
& w5 H. g5 z1 x4 t9 C! r這樣子接~也是呈現負溫度TC的VGS值
但是操作在"次臨界區"或是"飽和區"
4 i% [% Z4 G; V1 h公式的表示方法也不一樣
操作再次臨界區時,CMOS的特性跟DIODE是類似的

* G2 U2 M2 e' q, L* `' ^而一般bandgap 用的BJT,也是把B,C接在一起
3 ~- a! s0 m" z+ c" h# E利用P-N junction的特性而已

所以就特性來說~~用CMOS做成的P-N Junction
應該也會跟BJT做出來的有類似的效果

但是何者較穩定就不保證了

2 e6 k6 l- b7 w2 d% G) N2 s因為就我之前的經驗~使用CMOS做出來的bandgap reference
它corner間的變化會很大,所以業界據說~還是偏愛使用BJT

li202

NMOS的G接地====>那就關起來了
. y+ A) L/ g! U! k, l) v0 p+ B應該是接成MOS diode的型態
) l* G* e+ k7 j9 ^3 u
2 {9 A" A) H. r0 t: Y! Bre:relax918
可以把你找的到paper提出來,這樣比較好解惑

ywliaob

NMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧
2 j& k5 \1 m: ~+ U2 _假如G端也接地的話 應該會是BJT型態 是正Tc吧
+ \6 s7 A/ m4 c0 g' f: U但是我不是很確定喔