電阻layout時的溫度係數關係

woo240

請問電阻在佈局時的溫度關係TC與電壓係數VC要如何解釋呢?
是這樣的，我現在正在做有關LAYOUT的專題，但是一遇到公式就不會
老師給的PAPER中有給了TC與VC的公式
, o% k0 o1 [- `/ z7 L但怎麼想就是想不出怎麼推導出這式子

此外再問個專業用詞的問題，請問：
8 p) B8 t/ a4 e  v3 w. ]Silicided poly與unsilicided poly翻成中文要怎麼說呢？
" q! z" l- O% E! M& f我查了很多的字典，跟線上翻譯，但都沒有結果
3 }2 z% [) I% }0 k* W# G如果有layout上的達人請幫我一下
! D  v% p  R8 G0 W9 G# P, ^謝謝

woo240

謝謝各位的幫忙
已經有了初步的了解了
' B; A% i* S, b' y9 f& o2 F$ v這種東西自己找書真的會找到翻的

sjhor

你可以看一下你使用的製程之 SPICE Model 或是他的 Electronic Design Rule
) s, O! d  q0 {# g他們應該就會描述!!
你可以依你的需求來做判斷!!
因為製程的不同  這些也都會有所差異!!
# {& a3 m& e+ L0 u. d
: x4 q% }1 a8 @每一種材料的電阻其  VC/TC 都不相同!!
- x5 Y1 a; u+ n  V正系數或者是負係數  也有所差異!!
看製程廠給的資料比較準!!

[ 本帖最後由 sjhor 於 2007-8-2 12:23 PM 編輯 ]

woo240

to m851055:
   我指的翻是把英文翻成中文的意思
   因為老師給的都是英文paper
& Y- H8 g% V8 b# r/ h( P/ Z4 E
to sjhor:
3 n7 Z) ?% C% ?/ d- A% o" {' z     這是說以poly來話電阻的話VC是最低的是嗎?
     那如果以別的層次來畫VC是不是會不一樣?

sjhor

TC  和  VC 的物理定性公式是如此沒有錯!!
: f6 T8 y" q3 \: L
製程廠提供的 TC, TC^2, .....  VC, VC^2, ........
3 d6 ~* f" |: }/ l' Z這些值都已經算出!!
0 R. j9 q8 Q) b" {# i& U; o1 J從圖中得知 TC=1000ppm, VC unkonw.  
, e7 C3 V6 `9 ?+ e9 ?但已經提示  VC 是 所有可用的電阻中  是最佳的  所以放心去用的意思吧!!

m851055

foundary 廠通用公式，一定可以用。

; {. B0 c& J: G  m* D1 l另外你所貼的圖找半導體物理的書就有了，我以前也推導過(在大一時)，現在在業界都沒用過。
! r0 B6 w2 \3 Q/ U) ?: S
還有你說"翻出來"不懂是甚麼意思。

woo240

感謝大家的回答，對我來說幫助很大
to m851055:
6 h* r- Y* l# b　　請問這個例子用於.35製程也可以嗎?
1 R6 q9 I3 y1 r2 t" o) w      你說得我有一點了解了，3q

$ t  p- v1 d. Z7 v  U請大家幫我看看以下的圖:

+ B8 f( ?1 w. E. f( t
9 e) e* W- k2 n0 T這就是我所說的公式，老師給我的東西我都只是翻出來，但卻不懂
就連例題也是懵懂懵懂，有找過書，但是並沒有看到這樣的公式，請大家指導指導

[ 本帖最後由 woo240 於 2007-7-31 09:30 PM 編輯 ]

m851055

原帖由 sjhor 於 2007-7-31 09:15 AM 發表
電阻的 layout 應該與溫度比較無關吧!!
跟電壓應該比較有關!!  但是需要考慮材質!!
像 "N+" ...... 等等要加上偏壓的情況, 才會有電壓與layout有關!!

' B6 w* l" q( Q7 v; o" h2 R. ]6 j與溫度關西的 layout? 應該要看熱源吧!!
" J  ?2 [& }6 d+ s這才是考慮電 ...

9 e6 e3 g. c5 `) J4 N& p
N+ resistor to 12V，so voltage is understand.

sjhor

電阻的 layout 應該與溫度比較無關吧!!
跟電壓應該比較有關!!  但是需要考慮材質!!
8 J: t, ~# I* T3 l0 O像 "N+" ...... 等等要加上偏壓的情況, 才會有電壓與layout有關!!

( Q+ U8 q+ o# J) S. S: w# N- @' {與溫度關西的 layout? 應該要看熱源吧!!
! c$ H# ~4 S, l" E; ~$ L$ a這才是考慮電阻 layout 的住要原因吧!!!

m851055

Silicided poly...silicon targe poly
  B+ v( j- Q; Xunsilicided poly...unsilicon targe Poly
3 C4 w9 ~* B2 P! F" c, b9 S2 R" W# S
! @+ X: |/ @! h4 r9 ktc1 First-order temperature coefficient. (Default: resistor model parameter tc1r; 0 if no model is specified.)
, {) x% ]  @+ E8 gtc2 Second-order temperature coefficient. (Default: resistor model parameter tc2r; 0 if no model is specified.)
vc1 voltage across the first capacitor
vc2 voltage across the second capacitor
1 L* X% u& H8 Z% D( k& p
9 z' U( E. ?( y- \3 zA two-terminal resistor.
+ k( C" Q1 @" P* QThe resistance R is influenced by the temperature as follows:
R = N (1 + AT + BT2)
T = Ta – Tn
where N, A, B are device parameters described below; Ta (the “ambient” temperature) is set by the
/ Z- ^* r* z; p2 E3 \4 c+ ?.temp command; and Tn (the “nominal” temperature)
% n, O' P: P% r$ ^* ~$ M7 J
/ R; h) k$ g; H* H- e6 G4 }! e# t
This produces a resistor of resistance 30 kilohms at the nominal temperature tnom. If the temperature T
is different from tnom, the resistance is 30,000*(1+0.01*(T-tnom)+0.0001*(T-tnom)*(T-tnom)). For
' O$ `9 C- T+ i; Qexample, if the circuit temperature is 127 degrees and tnom is 27 degrees, the resistance is
30,000*(1+0.01*100+0.0001*100*100) = 90,000 Ohms.
; x) p1 K$ S! E
[ 本帖最後由 m851055 於 2007-7-30 08:50 PM 編輯 ]