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這個問題在 LED driver 會常常遇到3 X7 Q j% {( w, T9 F- A
5 L4 X R7 w! Y1 L( s首先是準確度的問題, 由於需求是 1:200, 最直觀的方法就是以 MOS size 去控制& e8 B2 ~3 `1 a' g1 T. W
然而由 MOS 飽和區電流公式 ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS) 可知
3 y- L& i2 w+ Q( p- r, H主要誤差來自於 channel length modulation effect [(1+lamda*VDS)項]
# R' g* a. h1 i7 ?7 t* |: q鎖定 VDS 其中一個方法 就是使用 OPA 回授控制/ s1 x+ q- n( S( M( a" y
另外, VGS 雖然不是誤差項, 但由於必須推動大負載, 所以ㄧ般會接一個 pre-drive 增加驅動力% c( T5 ~% } B; S
並減短設定時間
) ^ w# U2 T" i: |7 K! f ?, v% l' G6 K" a" c O1 n
channel 跟 channel 之間的差異定義為 bit-to-bit error
; b, R" Z; ?6 v* r- r }這方面的差異, 主要是由 layout 本身的 mismatch 產生, 較佳的layout對稱性可有效解決這個問題 i3 P/ B i( `
2 y3 j0 C3 w6 ^, a: @7 P1 s8 A3 A3 A至於 powerMOS size 部分, 主要是由 output minimum voltage 決定,
+ V: Q2 n8 ]/ F" S此規格與最大電流値直接決定了 Rds(on) = Vo(min)/Io(max)
2 Q/ u9 b1 x. F$ O5 p) ?! s5 P- x, Q/ J1 n$ p
溫度所引起的電流變化, 主要是改變了 VTH(T)5 o; g0 |1 z2 ]- i8 j
這方面可由 layout 解決, 將源頭 MOS 與 powerMOS 擺近一點, 讓彼此的溫度差異縮至最小# d" i) w# C. ?6 H
然而, 溫度方面較麻煩的難題在於 package 的選定,
, R6 ~2 w [ m3 D7 b在正常操作下, 假設 Vout=1V, Iout=20mA, 在 8 個 channel 的情形下,! q0 U8 Z0 k' a' c3 ]" ^! O: P
Ptotal = 1*20m*8 = 160mW = (Tj(max)-Ta)/theta(j-a)
9 z& W7 a" M, s. ~選用的 theta(j-a) 必須確保在
" n! B/ _6 }8 ?9 {9 i/ _typical 規格 Ta, ex. Ta=25 degree. 及設計之最大接面溫度 Tj(max), ex. Tj(max)=125 degree
! _% k' X" S4 }+ z* { ?選擇 theta(j-a) < (Tj(max)-Ta)/Ptotal |
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