关于BIPOLAR电路仿真问题

basil

一般我们在做MOS电路仿真时，器件主要参数就是W/L，而在
3 |* i3 w) ]* [" x$ \: w做BIPOLAR电路仿真时，器件尺寸主要就是发射区的面积，
; \& w  A' |% P* i( S我们一般主要是看器件的发射区面积的比值，不同发射区面积
，又不成比例，尤其是大功率管时，仿真很烦心，在后仿真时，
& I2 S8 U# g% YLPE提取出来的管子的发射区面积值是实际的版图所画面积，跟
比值有点不同，仿真很麻烦，大家有什么好办法？

ncLM

bipolar模型中器件发射区面积都是一定的，仿真时候器件参数里面填的是和所选择模型发射区面积的比值。后仿真的时候提取出的如果是真实的面积，那么可以考虑写成子电路形式，仍旧得到一个比值。

lewis339

不太了解您說的意思
一般來說是依照所需流過的電流大小取BJT的值

basil

也就是在输入器件的参数，我是不是直接输入器件的实际发射极面积，
如5×5＝25e-12
% ]/ X3 Z  U+ z* E( f9 J" y
; b$ A, O, O) P3 C) j  i$ k/ B另外,在设计功率管的均流电阻时，一般取多大值？

% w) S3 n) w( ^( O[ 本帖最後由 basil 於 2009-1-22 09:03 PM 編輯 ]

pudandan

可以说得详细点吗？发射区面积的大小应该是有规格的！

122013137

跟比值有点不同???????????????????????????????