bandgap無法將壓差降低

layoutarthur824

近日在調bandgap
" t& N1 T! p+ c: d可是卻卡在壓差不能降低導致ppm過高
.35製程
op db65
不知道毛病是出在哪  按公式try了很久壓差始終在0.4v
0 a4 F# N& T8 H3 a* a不知是OP還是帶差出了問題??
- r) y4 D* ^. x2 y  V& S請各位大大幫忙

! N7 n6 _$ ]5 o% U$ u8 B2 [
以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
$ G* X1 Z( X% @5 ~- P5 m+ s: ~bandgap voltage reference?
bandgap voltage reference?
關於CMOS的正負Tc
如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
" s6 t: N- b8 S請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
bandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
BandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作



8 T0 t: h6 O* Q9 [% W[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 05:52 PM 編輯 ]

JUI

謝謝大大無私的分享，感恩

layoutarthur824

謝謝各位大大幫忙~我終於TRY出來了
) K4 X" @$ |6 q. i) ?. m7 g( L; ^4 q最後是調帶差電阻比例和帶差的電流鏡
我是正溫度電阻和負溫度電阻沒做好比例關西

gimayon

通常給 PMOS 的 電壓都是 HI LEVEL , 你調轉態點把 INV 輸出為 HI ?

根據我的經驗 這種 BG 比一般型多一種穩定點  就是穩定在有小電流流經兩旁電阻
" U! H5 b1 m+ g
此時 OP 的兩端電壓會相等 電路就穩定

- d8 M) P" O$ w/ n9 w# w7 E! x8 j所以我都是用 OP 輸出端外掛的電容當 START UP
1 S3 ~! h) @* x- F/ p! H* R
0 m/ e  E0 p0 W因為上電瞬間  此電容是定電流充電 與 VCC 會有很大的 電壓差
) [& N/ h" X! E8 K9 G3 B* @' o! w
1 ~1 h2 `  n4 h5 a1 n, |加上 BIAS 也要啟動時間   所以應足夠 START BG

/ S9 L# P. _* Z1 }6 m也為了穩定 我會用 OTA 架構 OP  因為它的主極點在輸出端
" @; Z9 T: X! ?+ B4 w
BIAS 下端 掛 PNP 能幫足改善電流對溫度變化  RAZAVI 有寫
4 e; B% s+ e& @- }; H5 j# |
/ r1 Q* x  i# s  }, Y3 H建議你看看 MS3 的流過電流對溫度     
; Z; X1 k' T7 D  ]
.PROBE I(M*)

layoutarthur824

回gimayon大大
下圖左半部是 start-up
正常工作時可以使我的MS3在截止
請問為什麼說我的op bias 溫度影響很大??
(該點變化量我剛去模擬在2.42~2.27V )
主因是什麼呢?我真的不知道,麻煩請解惑?
' T- R8 E6 J! s: ]$ }因為不少人也是用這種電路當bias的
+ W% ?$ s) m  i7 m- Y, r
. c: \7 V; o5 D回finster大大
我的M1M2的GATE 電壓範圍是在2.28~2.08V
( R2 A% `+ c! B9 k" _以下是我反接VINN和VINP的結果 FF是0V失敗的沒點出,(黃色SS褐色TT)

我的bjt顆數比為8:1
我的電阻是用ND電阻,其阻值我列上圖了
我上面那兩顆PMOS的size為w=2.1u  l=0.7u
5 E) L6 o+ v; I
6 f6 C2 f# D! f) ~[ 本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-1-15 04:46 PM 編輯 ]

finster

1. 建議你先把start-up電路拿掉
2. 請標註一下你OP的output是接到bandgap reference circuit的那一點
3. 請看一下你上面那兩顆PMOS的Gate電壓在正常運作下其電壓為何?因為有可能你的OP的input的端點接反了
4. 你的bjt顆數比為多少?你的電阻用那一種type電阻,其阻值又為多少?
, S$ X& k0 l8 H5. 你上面那兩顆PMOS的size為何?

gimayon

你這是什麼鬼電路?
  M2 |$ {( ^' ~: Y0 F7 Z6 D$ ^
下圖左半部是幹啥用的? start-up?
! r; Q8 Z* }! E
: `# K( M  c1 C3 n如果是? 你肯定 start-up 後 上左2那顆能關閉?
5 S4 M4 N4 t4 v" u* k
如果不是...還請指教是幹啥的...

你的 op bias 電路對溫度影響很大 換掉吧

layoutarthur824

TWO STAGE OP:

5 ^4 b9 v* e, N6 ?帶差:
& @3 e" q: m+ S! h0 A1 P- p: L5 v
) V- _- d5 ~6 ?, q( l大大如您說L加大,所以我就將OP的M7的L從1u變至3u
確實高溫時會下拉了(三VREF:SS FF TT)
; K, h# L7 Y/ x# J" I. T
& t- h  x/ {0 W' T. b( s5 r* y但是我的OP增益卻下降到很低
壓差都維持0.6V,之後FF SS TT卻都會差很遠
8 f" J+ D0 F8 j+ t, G5 \8 M請問大大:
- g. J2 r3 b; {8 f0 i! K1.有什麼辦法可以讓SS TT FF這三種模擬值可以相近?
& d. Z- w( p7 n; U- f2.我想將壓差壓到0.01V~0.02V?
3.M7(TWO SRAGE)的L提高但OP的增益卻下降了,是我動錯顆MOS了嗎?
現在正苦於以上幾點,始終try不好,麻煩大大不吝指教

[ 本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-1-14 03:47 PM 編輯 ]

gimayon

我所謂的一般是指 vref = 1.25

你還是秀圖吧~~

mos 的 L 不要用太小 否則高溫時漏電流很大 會影響高溫時的 vref

layoutarthur824

回復gimayon大大
! i4 {$ u- B: T+ h& O* b6 S; c1 K5 o9 g  O我用的一般型的BANDGAP(VREF=0.8V)
OP離開工作點是指沒在飽和區嗎?
這樣的話我OP要怎樣讓他進入工作點讓模擬高溫時拉平
我才疏學淺  麻煩指導  謝謝你

gimayon

如果你用的 bg 是一般型的 (vref=1.25)
似乎提共正溫度參數電阻不夠
至於高溫上拉 只是 op 離開工作區造成的
, s- x+ j& k8 g
' F* I! X% E# D/ r1 _9 w+ j& w如果是零溫度電流型  把 決定電流的電阻加大試試...(delta VBE 那顆)