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[問題求助] 請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多??

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1#
發表於 2008-11-24 15:16:54 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多??/ b- u% K) C- Q. c
就是比較簡單,比較常用的ESD有那些??* C' e( z0 H" q$ F) E) r) z5 t4 `
有純MOS的ESD嗎??
# ^& o9 Q7 v3 e設計上有何重要的技巧??6 h  A0 D! J# r" N' Y# ^+ \
請問附圖的contact to contact距離在ESD裡代表什麼重要的意義ㄋ??+ A: f6 x- p$ P( ^9 R2 c
請高手幫忙解答?小弟正在學習esd有很多不懂得,謝謝

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15#
發表於 2013-8-16 15:53:07 | 只看該作者
poly to drain的距离,是增加电阻,让寄生三极管均匀打开。
14#
發表於 2012-7-12 13:18:29 | 只看該作者
说的好
- I) C' T1 F  k2 Z2 O
) `7 {1 p$ B$ R" x6 l* l
7 K. u3 [" ]' U! ]- `* C6 Y0 T( ~; E!!!!!!!
13#
發表於 2010-5-29 20:24:51 | 只看該作者
一般來說,在output PAD的ESD, contact能夠多打就多打,因為這個樣子可以降低從source to drain的阻值,這是以電路的角度來看6 T% W# Y  a- W
而對ESD而言,它所在意的並不是contact to contact的距離,而是poly to drain的距離,這是因為在測ESD時,我們希望ESD的瞬間電流或者電壓從power clamp或者ESD device來排掉,而不是走output PAD的path,因為本身的output PAD並沒有足夠大的面積來排掉這麼大的ESD電流,故而,poly to drain距離會比一般的device來的大一些,主要是增加poly to drain的阻值,如此一來在測ESD時,ESD電流大部份會藉由power clamp以及ESD device來排掉,部份則由output PAD來排掉
12#
發表於 2010-5-27 10:58:00 | 只看該作者
謝謝大大的分享~更加了解esd的重要性
11#
發表於 2009-7-27 08:46:08 | 只看該作者
“所以CON TO CON通常取MIN”,right!
10#
發表於 2009-7-26 21:54:42 | 只看該作者

小弟才淺

通常只要遵守Foundry場的ESD design rule畫layout的話,ESD基本上應該都沒什麼問題( F4 k! X0 X! ?6 q
因為他們自己開出來的製程都會先自己作實驗, w# |1 J" W5 `1 Y  H  |
至於con to con的意義呢?2 [* |/ O5 d2 ^  `8 l8 r2 `% h& x
在IO MOS上當然是能塞幾個就塞幾個3 e' ^6 X& a; s) |+ F! d% |* t
因為ESD電流來時又大又快
6 N  H: n5 X$ Z5 CCON越多路徑阻值越小一點
7 Q; h( J) d8 U" k1 w* p所以CON TO CON通常取MIN.  D% h7 r0 c& V7 T
+ P( l. j5 R# {. e: {" |/ H9 Y
小弟才淺
9#
發表於 2009-3-25 10:41:07 | 只看該作者
如果有用SAB (亦稱為RPO),contact to contact spacing 可以是minimum rule
9 G/ N' d  C" H' y但如果沒有的話,可以增加contact to contact spacing 而達到ballast resistance的效果.
8#
發表於 2009-3-24 01:50:12 | 只看該作者
提示: 作者被禁止或刪除 內容自動屏蔽
7#
發表於 2008-12-11 12:01:12 | 只看該作者
contact to contact spacing is a minimum spacing,drain contact to gate spacing may layout with >3um
6#
發表於 2008-12-2 21:41:40 | 只看該作者
原帖由 hyseresis 於 2008-11-24 15:16 發表
8 o+ U4 b2 \) X( i請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多??* ], V2 ~$ M- C: k4 D
就是比較簡單,比較常用的ESD有那些??
: Z4 z6 G5 e% h; e5 w* j" s  ~
8 Y; n) j# b  Y; O% K4 H請問附圖的contact to contact距離在ESD裡代表什麼重要的意義ㄋ??
3 J6 V& f8 p" @) P請高手幫 ...

8 z, g- E+ R6 i5 h( R
3 z7 o- x6 I" P: a9 E+ C( A7 c  v我是这样理解的
, v+ S) y  M; E& l! x# f% S4 w# Y4 Fcontact to contact距離可以决定本身MOS管的ESD性能;0 ^  {) ]4 U9 R  {1 A1 G( N' C* I2 Z2 [
会影响MOS泻放电流的均匀性和散热效果1 T0 t% ^  P/ z! f8 J
晶圆厂给的尺寸,一般是经过验证,比较可靠
5#
發表於 2008-11-25 13:58:21 | 只看該作者

回復 4# 的帖子

一般要比普通设计规则要大几倍,代工厂一般会有推荐值,之间也会有不同,具体可以参考设计规则文档!
4#
 樓主| 發表於 2008-11-25 09:19:10 | 只看該作者

回復 3# 的帖子

感謝副版主,那請問contect to gate space在設計上有要注意的地方嗎?或是有何設計規則?+ a+ F5 J" u! e- \/ x' M; V2 q
感謝
3#
發表於 2008-11-24 23:14:50 | 只看該作者
"請問附圖的contact to contact距離在ESD裡代表什麼重要的意義??"
) |$ E0 f6 M- A0 G& _% e) m. A好像没啥具体意义,符合设计规则就可以了!, b+ }% }: P1 s
ESD设计时要考虑 contect to gate space!!!

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hyseresis + 3 要學得更多就要問得更多喔!

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2#
發表於 2008-11-24 22:48:41 | 只看該作者
很多都是用“純MOS做的ESD”,只是防护时开启泻放电流的是其寄生的三极管!
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