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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Analog/RFIC討論區 › LDO DC-DC分壓電阻的疑問(等比例的差異!?)
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[問題求助] LDO DC-DC分壓電阻的疑問(等比例的差異!?)

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andywu
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1#
發表於 2008-11-14 12:06:27 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
LDO DC-DC分壓電阻的疑問(等比例的差異!?)
+ D8 D, p. N2 O. J* B5 y/ Q
4 ]& ~& v# z# k) e" z想請問一下,在LDO或是DC-DC都有回授電阻來分壓
* `5 v: c) K% c, G0 `) l8 f8 B( X& |2 Y( ~
這些分壓電阻大小有什麼影響嗎?還是等比例就OK呢?- u! S- P% M7 \4 Y" q0 E; k* Z: I/ B# G

% f: {: T$ G1 c2 |& TEX:   R1=200K     R2=100K 和  R1=20K    R2=10K的差異,分壓出來電壓都一樣,那到底如何選用呢?: t+ t; r; `+ y; V5 M% X

6 c3 `+ U5 \; ]# I& t& [以下是 LDO 的相關討論:
% N& L8 O+ m1 R( I& g  aLow Drop-Out Voltage Regulators   A$ N" b2 V$ v  u5 ~) o& i7 l
Rincón-Mora 《Analog IC Design with LDOs》
, Y  w! ]2 O( d6 ePMOS Low_Dropout Voltage Regulator Introduction
0 O/ u1 u& m7 o& k/ z6 ~9 ALCD Driver 設計術語簡介[Chip123月刊資料]& G, @% E  e3 i; \6 B
The evolution of voltage regulators with focus on LDO[NS講義]: A  m) y. e5 R% }8 P1 D0 g# C2 Q- t
Design of High-Performance Voltage Regulators
( I+ F: z5 Q- f/ ]" G请教有关LDO的问题
4 K) ^- q8 Y) I  u
1 j( `" _( I& j& P3 r0 |8 V* G- r% p- B" u1 {( q5 S

8 r! E# k0 {; b/ N; _[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-5-14 11:33 PM 編輯 ]
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9#
發表於 2009-4-30 22:51:43 | 只看該作者
thermal noise從output端去看應該還好
4 m7 m4 E& V$ R0 _& w% S  s6 T% E: [2 z因為外面有掛輸出電容noise power會變成KT/C跟電阻無關
# W' S4 z$ Y1 c* x不過下電阻沒掛電容直接進入feedback端的noise就要看LDO整顆的loop gain來決定能否壓的下來( ^3 @) K4 r+ G- E7 ^

. X0 n2 O' I, t% q  j; t& x其他就和大大們說的差不多
$ V: M7 z4 R/ a' y% \8 g2 w太大 占面積
4 d0 N8 U8 Y/ l$ x. C6 J2 d太小 耗電流
+ E7 X- S; d( t4 E5 H/ H" j6 n& M; Y# A* G: F4 x2 l: h
不過太大 還有一個壞處 就是low load時頻率補償較不容易吧.
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USTM
8#
發表於 2009-4-29 14:36:02 | 只看該作者
取值太小會影響功耗，取值太大會增大面積
5 p8 `* k, O7 Q& u另：8 b( a( @* L. j6 W" g7 p% K0 x6 r
FB電阻太大會不會產生很大的熱雜訊？
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7#
發表於 2008-11-27 02:40:42 | 只看該作者
我之前上 ntu 陳秋麟老師的 power ic# u& v: B1 ~, q7 y0 j. t6 W
& b: g$ \0 p1 L
有說到電阻值並不是越大越好.. 詳細原因我不知道..) l2 [" F0 ~, |. S/ ~
" O0 Y/ g, R: L- U) ?" l, u
雖然以公式來看 效率等等會越好
$ P# w! l/ h- [4 H3 M5 ~  _
  Y( Z, P% h! ]" T, c1 [  k我個人感覺(純猜測)  當電阻十分大時
7 T. f3 x: }1 D% @- M* Y8 p/ ~0 m+ m0 C$ ]* ?: _( a
流的電流會非常小...，然而小電流很 sensitive & W" N" [8 J' u0 T: Y( r
, o) V5 ?7 O/ ]( E! _
導致LDO輸出端，十分的敏感。.....
4 T7 B% {/ X6 t' ]+ {- d& L1 o6 @# A9 E1 E: T% U
" D0 ^/ n* O2 |7 S5 F
純猜測...
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6#
發表於 2008-11-18 22:49:11 | 只看該作者
面積、功耗的trade off。取值太小會影響功耗，取值太大會增大面積。) X0 G8 g7 Z6 Q# u
一般幾百K左右。
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baggio
5#
發表於 2008-11-15 09:09:22 | 只看該作者
原帖由 semico_ljj 於 2008-11-14 08:24 PM 發表 + g* s* C3 }! l: k0 k$ U# u) I
范围在几十K到几百K，太大费面积，太小耗功耗！

( ^7 i6 J7 D& r5 ^3 E9 J
' ~2 K& e# m8 G! \( [, A# I费面积？会费多大？在pcb板子上都是贴片电阻把。。。3 K% ?% ]; F% `. ^  a
楼主意思应该是在pcb上，而非集成在电路内部。。。
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4#
發表於 2008-11-14 20:24:02 | 只看該作者
范围在几十K到几百K，太大费面积，太小耗功耗！
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andywu
3#
 樓主| 發表於 2008-11-14 15:36:41 | 只看該作者
那分壓電阻有VIN到VFB的R1   和   VFB到GND的R2   這兩個R1,R2要那個大比較好呢?
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baggio
2#
發表於 2008-11-14 13:25:08 | 只看該作者
应该是越大越ok，当然也要在同一个数量级上，这点可以从一些产品的datasheet上看出来，
6 k( R: E9 y) w* G% p7 Q: ]在spec中一般会有IFB current 这一项。。。
  `+ ~* ~% y( R& ~  {: I% X其实，你可以这么看，
7 f" }9 l' u2 Gfeedback电阻和你的output loading是并联在一起的，为了使output得到更大的功率（电流）同时尽可能的减小对你的output loading current精度的影响，要得到100ma就是100ma，而不小于100ma，所以，你的feedback电阻这条支路的电流就要尽可能的小，所以选大的反馈电阻。。。一般IFB current在ua量级。。。。$ w5 u4 Z& {7 s0 a* G
有兴趣加我msn，大家交流交流：baggiodong1982@live.com 1 L5 `5 u& u2 P" h, {, T; C" m( V
0 @, [8 t9 R: b, l
[ 本帖最後由 baggio 於 2008-11-14 01:27 PM 編輯 ]
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