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[問題求助] 關於RING OSCILLATOR的問題~

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1#
發表於 2008-8-20 23:32:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
各位前輩~6 c, z8 |3 T7 U

& V' w( D+ I4 {2 |( U  _! o9 {8 g' d3 C我想請問一下關於這個RING OSCILLATOR的問題~
6 C) o9 c/ h$ K* Y! X9 \) b2 B( F8 b2 \. b6 r1 E. O9 T
如附檔~: `( ~7 G. g4 V( t' r
5 U  E% B! k# g* T4 a* O
因為目前不想動這個架構,想透過調SIZE的方法來使得對VDD的靈敏度會最小~3 r0 h6 J# D; t2 d% [

8 H8 x' r( T/ L我目前調整是由調小中間INV的SIZE來達到,對VDD的靈敏度是有變小,不過卻怪怪的...
. y( X$ {( x& k; Z
: Y; C; H3 r' C# F. r+ s我RUN如下/ a3 @/ ~, y. y& e) s$ k, ~$ d* A
VDD ' q; r7 l2 g+ X; [+ d1 F
3.6V 8.4M4 P, U, |" B; C0 W; K0 m6 g
3.4V 8.8M
" A, {5 O- x. k- @% F( Z8 Z3.2V 8.5M/ z5 y! ^6 ]  V4 z
3.0V 8MHz7 l3 K2 O9 \9 E$ d# w( Y
2.6V 7.5M& h) ?1 Z9 R  S5 j4 j  \1 K) o  N( k
2.4V 8.2M
6 T$ r; i3 X- D+ b; S+ l5 g; Y: `
: C8 B  @- ]- e  r正常不是VDD由大而小,頻率不是要減小嗎?(我認為)9 B: e" ~/ H- T" h3 G4 H% t7 ?

; b8 N& Y/ g* m2 P, Q! D我的這個想法正確嗎?: a& S% j7 E* }) W9 f' v5 N

, n6 W" ~: h+ Z  z1 a3 t  e還是可以從哪個方向來思考呢?6 n" N" |5 K3 C; z9 b3 _; z

8 c4 ^) }, y$ Y+ h4 B  ?0 x' OVDD對這個電路的影響是如何呢?有公式可以推導嗎?
: u- ^6 q) m, x% J2 z
/ P' z+ n9 i9 @( o7 M0 [. @
% w7 U3 I, w, l6 U) d+ C( {請前輩們幫我看看~! ~- J3 M3 h8 R8 z2 f# b" i  l
( h9 O, i5 {4 j$ _2 B3 U# A9 ]. B: ~
謝謝

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3#
 樓主| 發表於 2008-8-29 08:23:48 | 只看該作者
謝謝你的回答~
( g) X2 L' Q& ^" ]7 o2 {. X1 C
7 ^( d% c. L( y5 o; |' z2 `3 l我的頻率是不穩定的,就算.tran加大到100us也是一樣,freq並不會隨vdd增加而增加,且我還有一個疑問,就是ring oscillator在穩定時,真的每一cycle的頻率都會相等嗎?還是會有誤差,我的模擬結果,會有0.2%左右的誤差...
. G# s$ n! {$ U5 |+ S這樣有問題嗎?
5 v( M. i- D& _2 K7 K4 k5 N7 k
5 h2 e  @# A* s, L+ S# \請前輩們在幫我看看...謝謝
2#
發表於 2008-8-25 22:07:49 | 只看該作者
你的模擬結果,頻率會不規律變化,感覺上有點奇怪。你要不要先確定一下,跑transient 模擬時輸出的頻率是否穩定了。
+ ?, I* A4 H9 f5 F+ Y0 E" H# a+ G9 c+ q* P2 l/ ]
一般來說由於VDD增加會使得delay cell PMOS的VDS上升,由於channel length modulation的影響,delay cell 充電的速度變快,- W% l1 @# {3 w3 V* [7 @+ J' |. M0 s
這也使得VCO震盪頻率會增加。
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