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[問題求助] Statistical和Mismatch model

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1#
發表於 2008-8-8 16:19:43 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
請問有沒有人知道Statistical和Mismatch model有什麼不同?( r/ H2 t0 Z! X8 @( b9 {

! ^# a' K2 Y. _感覺好像兩個都是拿來run Monte Carlo/ p7 W4 \7 D& ?8 p! [7 k" [( f' V
9 @' T; E" W$ e2 f: K  B& W: Z5 u
如果我是拿來run OP的offset,應該用哪一個呢?$ b, I' k5 V; x: G, N2 P
2 w- w, @7 h& i) \& U, }
謝謝
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8#
發表於 2015-11-2 21:24:48 | 只看該作者
哎呀,這個都沒去跑7 m6 x9 ]1 w" \1 }# T
我太偷懶了
7#
發表於 2008-8-13 23:11:04 | 只看該作者
As I know, statistical model is for process variation and mismatch model is for device mismatching effect. For offset simulation, I think you should use mismatch model for investigation.

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blueskyinair + 3 THX!

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6#
發表於 2008-8-11 17:03:44 | 只看該作者
我沒有看過TSMC 0.18um中Statistical和Mismatch model,所以我不清楚它的SPICE model是如何定義的. r* @( r5 ?9 p/ b" l2 }. B# f
就以Monte Carlo來說,它有參數可以去設你的W,L,Vt...等參數可以有多大的變化量,同時又是以那種隨機亂數分佈變化,所以,在跑Monte Carlo時,你可以單獨指定某一顆MOS作變化,也可以全部一起作變化,同時,你也可以單獨指定變化W,或者變化L,或者只變化Vt參數$ c$ `6 ^0 e$ U; _0 ~

8 B: o* ]  j4 M, q: r) @. U而以Statistical和Mismatch model來說,統計的model,你要看它是針對那項參數作統計,是針對W,還是L,還是Vt,還是其他參數,它的變化量為何,這些在它的SPICE model上應該會註明才對,這些你應該花點時間去看一下SPICE model" \6 ^) U+ M5 E
而至於Mismatch model,這個model感覺是針對製程上的問題而作作的SPICE model,就以mismatch來說,可以區分為layout架構畫法的mismatch和製程上的mismatch,而layout上的mismatch是要看layout的畫法,所以,這個Mismatch model應該是TSMC針對它的機台所作的SPICE model,不過,如果它是針對TSMC的機台而作的SPICE model,那還要看你是TSMC那一廠的機台,因為不同廠區的mismatch也會不太一樣
: k( U" ^) z. e一般來說,Statistical和Mismatch model的用法和定義在它的SPICE model上一定會註明它的用途和相關意函,建議你找一下TSMC所提供的document,裡面應該有明確的說明

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blueskyinair + 1 謝謝

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5#
 樓主| 發表於 2008-8-11 13:44:28 | 只看該作者
我對於Statistical和Mismatch model的差異有一點不太了解
$ x' M7 ~; z4 |* v1 w% i2 @0 F& m0 I8 H' h1 I. _+ j
Statistical model是指說用此model模擬的結果可以fit量測的結果,也就是有點類似corner的概念
) G+ p( \& M9 ?9 ^mismatch model則只是針對製程上電流或電壓不匹配的key parameter像W,L,Vt來做變動,若是要模擬offset就該用此model
- t1 z1 M5 x. l# p( S5 ?" o+ B6 a1 S5 n0 `
請問以上的見解是正確的嗎?謝謝
4#
發表於 2008-8-11 11:17:38 | 只看該作者
Monte Carlo的參數設定,你可以查SPICE的使用手冊,上面都有明確的描述! Y3 |5 }# I9 `+ m1 C; o, N! `, w
而會跑Monte Carlo,最主要是針對W,L,Vt等參與作統計和mismatch的變化作SPICE模擬
2 e1 V/ ~  H$ H+ ^" [, g5 [" W5 T因為Monte Carlo可以針對某幾項SPICE Model作個別設定和變化然後作SPICE 模擬,詳細的參數和統計用法要看SPICE的使用手冊,我都要是跑Monte Carlo時才會再去翻來看2 p2 F8 j' R. g  N" H6 q
7 P$ l  E# L. X# U- `
至於不跑Monte Carlo如何看offset,你可以針對某幾顆你覺得會有影響的MOS,然後個別改變它的w,L,Vt等參數或者值,變化的幅度就看你覺得要用多大的製程參數漂移來設,同時,統計的量化要看你是用高斯分佈還是其他參數
2 G$ g. q1 ?0 Q1 J6 r7 _5 T" s" g" O& E" b: \3 p: N& {3 A' f
另外,我以前接觸TSMC 0.18um的SPICE Model時,並沒有提供Statistical和Mismatch model這兩種model,也許是後來又再提供給客戶使用的吧,不過,我個人覺得這兩種model應該是針對Monte Carlo而作的SPICE model
3#
 樓主| 發表於 2008-8-11 01:42:37 | 只看該作者
先謝謝您熱心的回答
- ]4 v- n( D3 e  T# w; D8 }" w! l" \  g" ^0 O" R$ P$ P
目前TSMC 0.18um mm的SPICE  model已經有Statistical和Mismatch model
' F+ g$ r2 z/ R7 h$ O提供您更新的資訊~~. t0 a7 u4 \4 Q* z
. l& y9 f! ]9 @- h+ g/ t# W
不知道版主您若要run op offset的Monte Carlo會怎麼設定參數?" h& w1 Y1 E( G
若不run Monte Carlo, op的offset怎麼會在一般的SPICE model中呈現呢?
" G0 g0 w1 r( m$ Ioffset的主要來源不是在於W,L,Vth的不匹配嗎?& m0 d( s9 E# f0 ^
謝謝
2#
發表於 2008-8-10 23:38:04 | 只看該作者
一般製程廠只會提供SPICE model,裡面並不會特別去區分這是Statistical和Mismatch model
9 u8 X3 ~7 v/ T) l9 Q* I8 Q另外,Monte Carlo的model,通常製程廠並不會給,除非你向製程廠要求,他們才會給,再者,一般你在run Monte Carlo時,有些參數你可以自己設定而不需要透過製程廠提供,不過,前提供是你要對SPICE model有相當程度的了解,不然,那些參數要怎麼設會是一個大問題3 [  ~. G  Q+ v2 |- s
至於op的offset,通常用SPICE model就很足夠,若真要更保險的作法,絕大部份是加run Monte Carlo
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