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[問題求助] LDO测试

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1#
發表於 2008-7-25 11:46:01 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
如图所示的电路:ref是普通的寄生PNP产生的基准电压,当电阻电流等于3mA时,Vtest的电压随温度变化不大,但是当电阻电流等于6mA时,Vtest随温度下降了100mV左右,请大家指导一下是什么原因?( Q- `1 I( H" l  m
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) ^4 W$ f. H  ?[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-5-14 11:35 PM 編輯 ]

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8#
發表於 2009-7-17 14:15:23 | 只看該作者
检查 1。opa输出电压范围 2。最后一次输出驱动能力够不够
7#
發表於 2009-7-16 16:52:14 | 只看該作者
我认为也应该是驱动能力不够造成的,如果有电路重新run一下simulate
6#
發表於 2009-6-7 00:52:09 | 只看該作者
直接解釋就是負載效應的影響,根本原因就是輸出驅動能力不足,隨著負載變大,輸出變化較大,屬於帶載過重,誤差放大器的增益以及輸出驅動管的尺寸等都可能是原因。
5#
發表於 2009-5-31 19:44:24 | 只看該作者
我要看图,谢谢,55555555555555
4#
發表於 2009-5-28 11:27:07 | 只看該作者
同意楼上正解,当流过电阻的电流增大为6mA,NMOS源极电压增大,要保持NMOS也流过这么多电流,需要有更大的栅压,即就是运放的输出。现在Vtest比Vref低了100mV,应考虑运放是否还具有箝位功能,同时输出共模电压不足以提供NMOS6mA的电流,增大NMOS的W/L可以试试。( R5 O+ s, t5 b4 }- j
仅供参考
3#
發表於 2009-5-16 09:23:44 | 只看該作者
請check DC analysis 時OP仍可keep住ref電壓~~~
2#
發表於 2009-4-29 14:39:29 | 只看該作者
MOSt管的寬敞比是不是太小了,導致輸出電流不夠,無法通過R簡歷有小電平
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