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樓主 |
發表於 2008-7-25 09:24:25
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本人找到的一个方法是在LVSCHK[OPTIONS]这个命令中,在options处填上【X】选项,这个选项可以上比较进入到晶体管级别。个选项解释如下:. U. z" ^" k& P5 b" ]5 D$ T
A:合并串联电容。例:两个为1c的电容串联合并为0.5c的电容。
% b( L+ r, ]" e* GB:合并组件如MOS, LDD, RES, CAP, DIODE,但不合并并联BJT晶体管。
" A. Q$ I, j) H* yC:组合晶体管形成一个整体器件,如INV, NOR 等,但不能应用 X 选项。只有被指定为 或N类型的晶体管,才会被识别。0 A# G7 U6 V: d$ P8 S. x' @
E:匹配器件如:MOS, BJT, DIODE, RES 的尺寸。7 ~! |. J3 j" _% `" C, s; u
F:过滤没有用到的MOS器件。使用FILTER_OPTION是要将此项打开。
+ p, Y+ e2 _. W7 ^7 {; iG:对schematic 和 layout 应用相同的规则过滤。使用FILTER_OPTION是要将此项打开。! P# s2 h0 |1 H6 T& @) [
K:保存器件并联状态,默认为合并。例并联电阻,并联MOS器件。(注意尺寸的计算。K选项将会让B选项失效)
) E0 u+ K9 f. r4 AL:与C选项相似,但不组合AOI或OAI器件。(L选项将会让C选项失效)/ P8 M" \; r4 g" c4 C
O:组合并联或串联MOS结构。默认值将不会组合SMID或PMID结构。该选项打开,LVS可以识别BiCMOS结构或门级层次。使用O选项将禁止打开X选项。/ s0 @$ c3 s8 a6 r2 \* z
P:识别CAP极性,极性端反接将显示错误。6 z Y: {9 n H
R:合并串联电阻。
. M7 O% v# E, s- S) A+ }4 \S:合并分列式晶体管结构(假的并联结构)。6 Y1 U( w$ @5 O8 y4 g/ v
T:在匹配时,将sub 端作为一个通常的连接端来匹配。1 }! J4 d2 C& N' ] A
U:在(.lvs)报告中去除多余信息。! L+ ?* | V. U2 Q V0 B. D
X:比较将延伸到晶体管级。例:NAND2两端连接会有顺序。' r2 } B' i. `; _' S
Z:过滤没有连接到P/G的器件。 |
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