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[問題求助] Layout 新手問題!!

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1#
發表於 2008-5-14 15:21:36 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
inverter 製程 0.18# [" Q: Q; }- i! v4 X
1 i! R( y0 r/ k: M5 a3 u0 L/ m
---RUN DRC----------; f/ ~1 n& h/ |! f) e1 [
出現error
6 g1 r. \2 K$ W+ r: V
: {  o8 F- Q" ~5 P! N  f5 j1.CHECK OD.R.1WARN -2 errors4 C* S+ P8 B$ z. R
(OD WITHOUT IMPLANT)& ?8 }$ |4 y0 m) I) p6 X9 [$ x
5 Y4 q, h" Z. ~
2.CHECK M1.E.2- 8 errors% R" E) u, h8 D# N: o. ~& R7 g
M1.E.2(@Min extension of M1 end-of-line region beyond
: I5 ~( _% \! H+ f! Z" K* VC0 region is 0.06um X = ENC[C0] M1 < 0.06 ABUT < 90 opposite
2 L& [; U2 a1 B2 N" a& ~: w- o8 hINT x <0.22 ABUT == 90 intersecting only)
$ {3 k! h$ Y9 t) ~; q% u. V! D
7 S, x+ ^4 ^( B' x8 V# U3.CHECK P0.R.3 -1 errors0 ]! \7 p: y- P( {, N# X
Poly area coverage < 14% (exclude application forindactor)! o. {$ Q) X, J+ K. N
CHIP_NOT_IND = CHIP NOT INDDMY8 {+ J: x( k& y" e$ o
Density polyI_NIND CHIP_NOT_IND <0.14 print' y( v9 a; [7 I. p5 r
AREA (POLYI_NIND) / AREA (CHIP_NOT_IND)+ L8 J  R# y! M) H- Z( Q  I' d
.+ K6 a" B. R' ^; b2 C  ]
.+ z* n% z" m2 y& C8 H7 b) _$ f
.
2 x! f! s+ ~, Q8 w) P6 d' D類似錯誤$ U4 m5 ^3 R& [: v5 Z) @

# ^0 x' B" a& @8 m0 W$ u* I3 ~4 n; T* w) o) s2 U  L
' h: v) G( A, X7 m+ j, J
! W, N8 c! P" v. D6 s! U6 t
1。因為標錯誤的圖示實在找不到,無從下手,都在亂猜,所以上來請益,; z0 U! t6 x+ S
希望可以指出我錯誤的地方跟改錯方法?4 }  I5 a. i) n( M3 j: |) w+ K% ]
ex. diffusion :gate 的寬度不能小於0.32 之類的
& m9 {2 D" V7 {; L, c/ K2。是否有專業解說DRC error的網站?可以提供給小弟精進,還是一切
+ ^1 ~. E0 _0 x4 l3 {1 R9 c都是憑經驗% m) `3 c: F- U& V- x& P( r& N

* @1 ]( F8 K; d- C  K初次發問,得罪的地方,請多多指教。
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
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8#
發表於 2008-5-16 18:57:47 | 只看該作者
建議看foundary廠的DRC paper,這樣在找error時會比較有感覺。
7#
發表於 2008-5-15 08:41:50 | 只看該作者
是呀,點18製程,當然poly預設就是最短的length,0.18um7 T9 i. D: e2 Y2 v( ?2 M& ?9 I* k: m' w
=============================================& F# v' z+ q0 Z9 D! s9 H
今天cic 有開放線上e-learning
7 S0 h( y$ ^: h7 h9 c趕快詢問您們lab的管理員3 y6 Z1 H: q! }9 o* m$ f$ S
看有沒有開權限給您(要先加入cic會員)( F% @9 v1 \. l1 d5 O' S+ K( X3 j
裡面有教laker、full custom design concept
- W! W/ ^; p' ?. I亦有hspice,都有一些不錯的技巧( [- C( {7 u6 K$ k1 r8 y
要趕快報名唷,晚了就向隅了,呵呵
6#
 樓主| 發表於 2008-5-15 04:45:40 | 只看該作者
原帖由 Shouwei 於 2008-5-15 03:10 AM 發表 0 f) q* g  a! M3 c, g# K: K0 y0 G
感覺您mos是自己建的?9 H( ~' N# `! H- X7 D
第三個coverage 可以忽略" D; O/ {: |$ f# o
要下線時再解決即可
. s# H7 j7 H# Y4 |! C9 n) k5 Z/ c4 B7 ~2 O
laker 有 ctrl+m 直接呼叫出mos的功能.... ^7 K9 {. \: m- G
應該是說,這個製程檔for laker 的 已經有事先建好了
" Z7 G5 z5 D2 o6 S7 i) J) u

6 ^0 k. s7 S- k* E  L( e8 h2 Q' M0 m4 ^& g, C: q8 s+ O/ }. U; n1 U* W
mos 我是用模組,create -> trainsistor -> pMos 1.8V 這樣
2 ^6 y8 Q: a- X) b) i6 y4 }0.18 um 我不曉得是不是 poly的寬度 。他有預設0.18 um
* l, A* `' b9 f" ~) p2 S感謝你的回答,我又多了一個try的機會,往正確的道路行走。
5#
發表於 2008-5-15 03:10:27 | 只看該作者
感覺您mos是自己建的?
, O7 w! b; k5 K8 w* Z第三個coverage 可以忽略/ Q& B4 C$ n3 ?# Q/ w6 o+ \
要下線時再解決即可
% j6 Y  P! y9 K2 ^' q9 E0 p9 _6 D) U, I1 o5 P' Y
laker 有 ctrl+m 直接呼叫出mos的功能...) B5 ?3 ]  E- }, L0 \
應該是說,這個製程檔for laker 的 已經有事先建好了
4#
發表於 2008-5-14 19:26:12 | 只看該作者
撱箄降���foundary撱��靘��design rules paper憒�迨�冽�error���瘥�����閬�
3#
發表於 2008-5-14 19:05:42 | 只看該作者
建議您可以先去看一下IC製程的流程. i% T, \: h8 p. j2 N

, i) d2 f7 r, r5 Z這樣子在Layout 時會比較有感覺
2#
發表於 2008-5-14 16:14:06 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

1.是OD外圍要圍n implant or p implant7 P4 Q0 \) J- L/ n
2.是左右MT1 extension co 需0.0um* z; z' r$ C3 `" C1 _
3.是Poly area 要大於14% (就把他話大超過14%就可以了)4 {4 f# m! v1 o3 s1 u) P
我覺得應該釋這樣解釋!!
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