Layout 新手問題!!

ben372717

inverter　製程　0.18
/ g& Z" r- u  X- s2 t$ C( g- X
---RUN DRC----------
出現error

# U. ?" X+ \$ F& S! ]/ v2 V1.CHECK OD.R.1WARN -2 errors
(OD WITHOUT IMPLANT)

) w; S, P7 D! f! u/ b2.CHECK M1.E.2- 8 errors
7 @# P2 t( j: ?  ^1 PM1.E.2(@Min extension of M1 end-of-line region beyond
C0 region is 0.06um X = ENC[C0] M1 < 0.06 ABUT < 90 opposite
& b# B4 ]1 L" l" f  u$ ?INT x <0.22 ABUT == 90 intersecting only)

3.CHECK P0.R.3 -1 errors
Poly area coverage < 14% (exclude application forindactor)
CHIP_NOT_IND = CHIP NOT INDDMY
& `& P+ D! ]( \2 _Density polyI_NIND CHIP_NOT_IND <0.14 print
AREA (POLYI_NIND) / AREA (CHIP_NOT_IND)
) T, |# X9 b0 S' h* M3 T.
.
  W+ w0 N+ ~: m- z: b. Q- C& _+ D. S.
類似錯誤
: @4 z  d/ G$ |% c
9 z; y* n$ K( D


１。因為標錯誤的圖示實在找不到，無從下手，都在亂猜，所以上來請益，
希望可以指出我錯誤的地方跟改錯方法？
/ D/ ~# v& K6 M5 Fex. diffusion :gate 的寬度不能小於0.32 之類的
２。是否有專業解說DRC　error的網站？可以提供給小弟精進，還是一切
都是憑經驗

初次發問，得罪的地方，請多多指教。

m851055

建議看foundary廠的DRC paper，這樣在找error時會比較有感覺。

Shouwei

是呀，點18製程，當然poly預設就是最短的length，0.18um
& n  X/ t: }# y+ v# o! a=============================================
/ G5 I& U# l+ L  n) i今天cic 有開放線上e-learning
趕快詢問您們lab的管理員
( P6 v5 e6 {1 G. Z2 f9 h( Q/ \看有沒有開權限給您(要先加入cic會員)
裡面有教laker、full custom design concept
# {& k& v5 s) I( ~亦有hspice，都有一些不錯的技巧
要趕快報名唷，晚了就向隅了，呵呵

ben372717

原帖由 Shouwei 於 2008-5-15 03:10 AM 發表
: Z+ r; x# p' U/ `4 H" d感覺您mos是自己建的？
第三個coverage 可以忽略
5 Q  j' C6 [  ]  G8 \. Y要下線時再解決即可

. k! [6 t: d2 M; p1 k& klaker 有 ctrl+m 直接呼叫出mos的功能...
應該是說，這個製程檔for laker 的 已經有事先建好了

/ D! J* Y2 Q. w$ O& kmos 我是用模組，create -> trainsistor -> pMos 1.8V 這樣
0.18 um 我不曉得是不是 poly的寬度　。他有預設0.18 um
感謝你的回答，我又多了一個try的機會，往正確的道路行走。

Shouwei

感覺您mos是自己建的？
. n! y" ?# E8 A( y# l  j. p第三個coverage 可以忽略
要下線時再解決即可

! S! ]3 q/ n& W, D( J0 g) klaker 有 ctrl+m 直接呼叫出mos的功能...
' k* B, O+ s9 r; m8 v: G/ H+ w應該是說，這個製程檔for laker 的 已經有事先建好了

m851055

撱箄降���foundary撱��靘��design rules paper憒�迨�冽�error���瘥�����閬�

小緯仔

建議您可以先去看一下IC製程的流程
" N, _5 c8 F- _' W0 y- P  Y' [' I
這樣子在Layout 時會比較有感覺

ryan1

1.是OD外圍要圍n implant or p implant
2.是左右MT1 extension co 需0.0um
+ T" x) ^) |4 \4 ~3.是Poly area 要大於14% (就把他話大超過14%就可以了)
我覺得應該釋這樣解釋!!