Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 17022|回復: 4
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 關於雙保護環(double guard rings)煩請高手解答

[複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2008-5-6 20:12:40 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
我目前在青輔會受訓非本科或相關科系學生,日前去面試時被問倒了...面試官問我一個問題要圍雙 guard ring 的用意在哪裡?假設一個Pmos已經圍了一層N GUARD RING那外面一層要圍N還是P GUARD RING?假設是圍pGUARD RING 那工作原理是什麼?>>>這題應該是我不夠努力∼所以我回答不出來,我只知道單層的GUARD RING
8 N; k& N* r/ r/ B2 W- |以及放DUMMY的用意是什麼?我的回答是:防止過度蝕刻,當做備品用 但是面試官一直問我還有呢?還有呢?然後跟我說:你準備的不夠....但是我查了一些資料,大部分都是說這些,難道還有其他功用嗎?希望高手能幫幫忙,謝謝
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂 踩 分享分享
推薦
發表於 2008-5-7 23:45:28 | 只看該作者
我在之前的公司有lay過double guard rings,內圍是用PTHIN guard rings,外圍是用
# G0 @$ I: a3 K4 _Nwell+NTHIN(甜甜圈結構).主要就是用來防止noise,那時是圍在Oscillator外圍.
7 ?, y$ A) L! [. [# }
' q1 |# ~3 f! p0 vDummy的話,不知道你指的是那部份?? 引述一篇paper " SmartExtract:Accurate Capacitance
+ _5 g, P- O: [0 F/ v) cExtraction for SOC", 這裡提到的dummy是指layout完成後,在每層layer空曠處,補上同一layer
& M" \$ I( ?) S9 x  Odummy, 為的是在CMP process時,有較佳的均勻性:
! @/ t( V, b% h" bDummy(or fill) metal is introduced in the interconnect process flow to enable uniform% T9 L  T( K  N& |& ~( K
thickness control in the CMP process. Dummy metal needs to be treated as floating metal
0 C& K( w9 f- v- s" j& X) }9 y; f1 Yunless it is intentionally connected to a constant potential. Floating dummy metal
- o# ~2 [+ E1 ]4 y8 t# k$ Ressentially acts as a capacitance divider.* _9 q) {) M/ M: @$ A
另外有一種dummy, 之前我在做analog layout時,會在需做match的mos旁,故意lay半顆或整顆9 H* E6 W- E  @6 v; w- E* X% W
mos,除了你寫的那些原因,我想是因為實體mos的邊緣不見得是像layout般的四方形(what you draw is not what you get),可能是梯形或不規則多邊形,製程上很難做到如此完美,所以為了確保
# g/ ]8 L* h% |) j( z' L主要的mos的完整性及對稱性,在mos旁再多加dummy mos(不要讓主要mos成為最邊緣的部
6 O) n# b- {8 X6 G- K1 F份).以上是我自己的想法,歡迎各位先進指教
5#
發表於 2008-5-14 14:19:17 | 只看該作者
說錯請指正,除了過度蝕刻之外,可以順便預防 LOD 效應嗎 ?
4#
發表於 2008-5-14 10:45:28 | 只看該作者
會加double guardring應該是要防止latch up 發生。/ q4 H! S9 s- v
一般會加再whole chip  OR  敏感線路的外圍,- P, x0 F; W0 h+ v# _* h: c
至於您提問的問題Pmos已有一圈N那如果造再加一圈應該是P or N?1 I+ k" F) y& f( t% w2 F
答案是P
" Q; n& b) p! @$ K% L* F, `1 W; x你所問的那個情況應該是ESD proetcion吧?
7 x  }% P# n0 m$ W& Q
" s% r, K$ }" Y4 \! k至於原理~~~~~
3 U( A  D2 G" E  W( Y" d$ q) m他叫做(Pseudo Collector)
  G. w( B; a4 O% l0 j9 k2 s$ `9 D他是要降低等效latch up線路的集極電阻所以....有點忘了。; C& Y2 n8 U5 H, h" C# S1 [
反正等效起來第2圈ring會剛好是並連許多集極。
( m( e2 `  ~( a6 u; [$ P這可能要去查一些paper了。/ h" V# R6 T4 v2 }

+ }4 C( k  |& L8 C; B2 C. G5 d; W: w2 I# a# p
至於dummy 就是你所回答的那樣,面試官那麼厲害,叫他講出另一套作用來。4 V; r/ i" s$ Y& w& f/ }3 L
他只想考倒你而已。! a! Q* \0 x3 C2 Y& M

( r/ J0 E, R0 k$ W! ^- F0 s[ 本帖最後由 arthur03226 於 2008-5-14 10:47 AM 編輯 ]
2#
發表於 2008-5-7 07:59:04 | 只看該作者
我不常畫layout,就我知到來講...
5 z1 H5 W- v: e. q* d9 ]( LDUMMY最常用功用就是你說的那樣,或是用來match(Pmos接GND,Nmos接VDD)0 z8 y. Q2 T! Z( W: r8 K
GuardRing主要作用防止雜訊干擾、latch up(圍上後newll及psubstrate上的阻值會變小)/ L# w- S1 w4 ^  u) {
第二圈的話就選與第一圈相對的type...主要好像也是防止雜訊干擾& i. N) C$ y- C" _- U5 F# J
因為畫了第二圈,此區MOS與另外一區MOS間的距離增加,干擾就會較少
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-10-3 09:24 AM , Processed in 0.110006 second(s), 19 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表