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[問題求助] mos的導通電阻要如何求得?

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1#
發表於 2008-4-21 14:07:00 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
各位前輩~' N+ O; U/ E' Z4 t8 P2 Y
) T& z) r6 p, q. Z5 `. H
我想請問一下∼mos的導通電組要如何計算?$ z* Y, u4 `2 c3 w

! P6 [* f* |6 c我有看到之前其他人的發問~但我不清楚vin-vout/i是什意思?
, V3 D: k8 g. ?) \  F
- o6 F7 d7 @4 }" _因為一個mos的vin,vout分別是指gate,drain嗎?
% n$ T( R& D5 r0 o- c8 i  q% _5 _% @. y8 w
print指令是要如何下呢?' ?1 ~) `& L: t4 s
* O  g6 \: v; o2 r  a* |* F' ^
麻煩各位前輩幫幫忙?
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6#
發表於 2008-4-24 01:41:39 | 只看該作者
原帖由 jerboa123456 於 2008-4-22 10:58 PM 發表
8 p+ X: B% K: e" `: ]# M請教averyer是如何解決這個問題的 如果按照版主的.print PAR('(v(source)-v(drain))/abs(i(mp1))') 這個指令去求導通電阻的波形的話,電流毛刺出現的地方可能會使電阻圖形發生突變,這時應該怎么辦呢? 我的方法是先 ...

& R$ y1 u9 ?8 T3 x6 B7 e3 L3 I3 P% p: s5 ~. G& P1 A# P/ p

! I# g- T) {- Z* X* I, T# O+ w使用.print PAR的這種方式,比較適合用在.dc的方式來看Ron的值- N( e; R4 ?; B5 f
如果你想避掉電流毛刺出現的問題,建議你改用.measure的方式會比較適合,同時,改用.tran的方式來作模擬
: m' u3 w6 m0 K; m; N% \理論方式一樣,利用V=IR來計算出Ron電阻值,不過,此時所計算出來的電阻值會是只有Gate電壓時的電阻值,而不像.print PAR那種方式,可以看到掃Gate電壓所看到的各種Ron電阻值的分佈
5#
發表於 2008-4-22 22:58:45 | 只看該作者
請教averyer是如何解決這個問題的 如果按照版主的.print PAR('(v(source)-v(drain))/abs(i(mp1))') 這個指令去求導通電阻的波形的話,電流毛刺出現的地方可能會使電阻圖形發生突變,這時應該怎么辦呢? 我的方法是先求出電流的平均值,再用 vin-vout/i 這個公式,不知是否正確
4#
 樓主| 發表於 2008-4-22 11:34:26 | 只看該作者
謝謝finster的解答~我已經順利解決了這個問題~非常感謝~
3#
發表於 2008-4-21 23:27:15 | 只看該作者
舉個例來說吧) N7 E/ I" E' _( s' F
假若是用P-type的power mosfet
, ^1 D) m- _6 Q  w# o8 h那麼,Vin是接到Source,而Vout就是接到Drain,反之對NMOS則相反* O+ W  Y2 v9 |- f! c' t* y
如果這顆PMOS取作MP1
+ I6 R" M6 G1 C7 J5 x/ b則,要計算它的Ron電阻
0 ]6 b! l: C, h9 h# P+ Q5 p( W.print PAR('(v(source)-v(drain))/abs(i(mp1))')! i9 J$ M8 F' B, B! G* I, R7 {6 ~
這些指令,在SPICE使用手冊都有,查一下就會知道了

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skiptoo + 3 Good answer!
yhchang + 3 Good answer!

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2#
發表於 2008-4-21 17:45:08 | 只看該作者
一般,当mos工作在线性区时,我们可以利用它做成模拟开关 此时的vin,vout 应该为Vs OR Vd
- c' ^% @) R, u; U在Hspice中也可以利用 Expresion来做 + [) D* o; q& k& g$ p* C
我也还在探索中,如果有正确的 请大家指出来
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