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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
9 U0 w0 E+ Y4 P5 w/ G5 z% N我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
, }; z# O4 x; {5 @' H# D% M8 Y/ }PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD* y% y: e4 M% s# q% n
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
7 }% Q5 a3 `. b: m這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
; |( ^+ o* b, n" P6 u5 I都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
5 k0 C4 O; c& E8 u4 Y3 k8 R因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
6 @" i3 i) @# F最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.6 R" ?. S% E0 u _8 Z( {4 e: e
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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9 }2 n$ f+ |; E5 P% c/ ]( v[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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