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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
, c+ ?, E5 ^4 `: u5 `避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難, x. G$ ^  p4 v4 g& j# H
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必6 a5 D6 O7 ]1 c9 C! e0 v, w
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
% ?5 z7 ^; c  D9 e' x% O才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
( k; c, ?6 N! b' j. s& Q錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓0 J8 X8 O  a0 c8 K0 e
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況* N4 A7 |* T( {) R" F
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。9 C" I; M' X, S- y3 q( a% E
' A) \8 i! O7 E0 P/ [( x( Y+ O  b
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
1 }- e9 M, T& s, x, K我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
6 ?, G# q6 ]: h8 P1 X$ f/ I3 ^6 KPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD  }  N, _5 Z! q; |  K4 U
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
* C* `  j; @( O: G# q# s) @; I這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊% M7 G# N! R- P) C) L
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input + C. T3 g% s9 C
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重) l9 G1 {' d( m; d, h6 d
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
( {1 Q: s4 w2 v$ yCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
2 Q% W! \( q* P  y& G" U- ~5 E5 _) |6 r
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
: t, f/ Y, l0 B2 f9 f都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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