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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
1 S3 `: p/ U+ y F" c我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND7 ?$ X. g4 R% h C7 m$ n# k
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD% z2 w& {% L) q R: x5 t2 q
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
) o# U. g* s" R# d! N這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
. l, d( i( l8 I8 l% Z都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
' Z$ ]" o6 l8 F- B0 w8 G' n因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重* f2 @. i# K. w0 H" G& {5 @* c3 m5 ]. M
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
' V, A' G5 W) J2 L7 K- nCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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6 m" x# K' Q# ]& n1 [& ?[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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