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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)! J" G- c: D+ @2 _7 z& p7 r
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND( K; R# ~, E+ _( r. r) | h
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
! C; v6 x1 a. @7 m# w. f但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況 f* {: X* b5 Z* n% x( Q3 c$ s
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊3 A& D6 X) ? w: Q3 Z
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
, `1 W7 G9 j' A5 L- l3 b* w因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重; n: |. Y* {9 x, K9 @2 _# J+ }
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
6 ~% G9 W$ T. R& S" ^Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.% h4 ?, _8 k0 b0 Q. {/ n
: Z) u% T6 H4 ]! |2 i
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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