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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)2 N+ L# `1 E1 |* a3 ]5 i+ m& y* l
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
. Y! I* s9 H- w3 m2 BPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD3 s) z3 J) L1 x5 [1 b
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
, w, M! A: L- s# ?/ V, `這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊) V7 |4 X- }9 J
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
( J- l# b$ s1 M* _6 D因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重9 x, s5 [% o) H
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.3 b/ ~8 Q2 k# u: P. I% g1 F$ O
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.5 x; D; D0 V0 A4 o' C& D8 F$ o) c
7 b9 Q* ^8 Q1 O6 C[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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