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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
! C1 @4 |5 V' E, D7 b我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND% b, t2 a! j% n3 Y
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
, e( S* |! t" v7 C# T* X但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況$ q9 T- I9 q5 H9 L
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
+ n- ~ J8 y, @. q! c都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 8 a5 p$ p* Y' v4 ~
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
. M& \. d1 _" u& m最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
5 g2 v1 ]' v8 v3 e# k0 W" G$ ?Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.: m5 a! o4 E* U! H. T5 ]3 T
$ V6 U( k" l& w8 G[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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