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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)# m6 f P Q. C# b
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND2 e: M# v! `. u, W9 H+ C' m% w
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
- R+ ^, o6 l) |% y6 m L但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
# C# S9 k9 S e! q9 m# @9 A這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
9 W# r& {$ T+ s5 `% Q/ {% y: Q都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
8 D. O, M j" s: T+ S+ q因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重! j8 t" \+ j) }, _! R" q
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
' a8 i ~' {* c+ LCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.$ V8 K/ j% S2 q0 r% ?; {& F9 n
6 W S0 u+ K( X2 u5 {[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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