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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
6 q2 I3 U) B; e% e我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND6 x2 u, e* [$ \
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD% t' L% n( k3 t$ E+ o- t6 U% [, U, D6 i
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
% f8 }) P9 L' @! s這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
0 M! d4 D0 k9 w9 Y. V6 T m都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input & K6 X; n9 f1 |6 Q7 {
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
6 {, M/ j% H6 b: Y最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
1 v. [0 G$ z7 H: F. B4 `Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.' E' Y6 f9 Z" k
' q4 m) ~* d& M( u: ^6 {- P
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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