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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)/ i, U# Y- L" V8 f6 V/ `6 n
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND5 r1 Z1 J( x1 b
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD& x' ?7 i! g% o) ?* I+ _6 W( Q4 E" h
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況! T: Q, c$ M$ j9 D4 N% A/ V
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
$ F# P7 D8 R( r: g2 b) @# e# [都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 2 _- ~5 e) E$ q2 v& e8 [
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重: @/ b7 w! f' C- o0 F
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
1 Q& [( ?2 `6 T T ?Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.- h# s, f/ L5 I9 w
; E: f: ]9 f9 c[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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