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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
: ?6 i! z8 X2 V& Z4 k避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難6 O; `' M1 [9 H: a( |. p
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必3 ]4 I- p. k4 v  f% H
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
4 I3 f' i0 u2 l% _) S; f4 n* Y- w2 f才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
# R* E: V: o* d5 C( q& i+ C錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
+ w* F( E  b) p  v9 ~不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
8 D1 z& A: E" ?3 t/ R9 G3 ^下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
. v$ P& j2 L: W; d, R5 Y
' L' z% M% V5 R" u- ]如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)( _$ E. Q' V+ I/ J6 c; `
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
! s& n2 ~! ~2 ^; q( v& wPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
2 x- I  \2 W* j/ v但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
) m6 ^. ]" r; D& R% T8 u) x這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊# x5 j8 l2 u, S2 l( [5 e, P
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
# d8 o( \, @( w( P7 z3 K4 y因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
3 x! v: w& d: w5 ]# Y最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
2 a/ |- p% v8 X7 Y7 D, K0 ZCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
# [0 g5 X* u% f2 h, M3 `. c9 @- N, {* C2 p1 K& G; ^2 w
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
3 j6 N: Q( o) x1 J  V. h2 y都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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