|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
- N. K9 U( B8 ^0 t: c我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND/ T: n; f% H: u' {
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
6 q$ d ^. Q- k但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況; ` V: T @5 b0 @% d
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
4 P3 v: \, S, K9 E8 b" F; P! ?) r都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
) x7 o6 |) W& }2 C' R* e因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
, n, k( b: A- [& P3 S3 T最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.* b; i- n* e$ W2 b* o6 Q
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
4 ]. C5 k; y, o$ n, v# y/ T, P* B5 f5 a2 S
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|