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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer), u3 z o" @5 M8 b8 W/ n. V
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND. c/ b, j$ ?2 f% F1 r
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD1 u) _9 ^' {8 {; J) B' J
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況7 h) a% P+ A7 B* D7 z) e
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊. p5 |2 i* a' x1 F) \* _
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input $ ?9 G9 X5 b2 e$ g! I5 {8 \
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
& _8 U+ f' v8 i8 O/ _* E3 I) {, c最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
3 @1 H6 B$ z, w* U# RCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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) h5 ^- X# c& V5 p% ?1 q( e# \$ T[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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