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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
! N7 m; ^; u z8 [ ~我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
# e9 U$ @7 c3 c5 D( i4 tPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
, o9 W4 y1 {" `+ Z/ Q. {但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況 z( [- @, o* C; {- [- B
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
# L- K' }7 p) \9 b" T都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
9 D" a" L2 F i因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
1 A8 K3 L& ~7 Q3 v3 Y最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.: Z. l/ A* N8 |& t' \
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.* P: G( r |: ?! H( I+ X* T
- l3 s* Y1 `; B: K[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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