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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
3 q" K3 n& c* n我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
8 `3 T* Z7 Y% F. ]8 I: n" }. e4 lPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD* W* s* [/ j' @' ^2 W
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況2 N2 Y% x& O$ {$ t: D, o
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
" a& v0 F7 ^- ^7 G7 R n: b v都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 4 K% g; O y; ]- |1 ?
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
3 z' |' u, [9 N最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.: I8 s* r6 I8 c D' L
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.- n0 y ?1 v; E0 D
: R4 G8 C L+ t$ m. p[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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