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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
( `& s$ R- x! r3 N! h我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND' T* q7 z% ~3 l1 T4 ?; V4 ?
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD5 d, ^% Y% a/ |! x Y- ^' N; Z
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況' `5 t$ H% J9 A$ u/ w2 b$ m
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
) R% ^. W, W, J6 v" s( a8 u7 f都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
4 b9 L) M, o5 K7 x8 R因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重# O/ t2 `0 F1 X: Z( V: J6 ]
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
# }8 I2 v1 K0 uCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.: O2 q+ b+ I$ H7 v2 N
0 @3 O" s1 E3 M+ G[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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