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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是# u* n5 |( `, Q/ y. R( P
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難: W2 X3 w5 a5 ?# K% ]( F/ M
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必2 g7 ]1 t1 Q/ a: W2 ~* E: t5 A
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
" a% {( @/ `; i才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
7 Y. s+ l; F# H, J! C錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
$ j. D  j- H0 }! h+ u不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況1 P' Z/ J8 Z0 b4 D
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
2 i( f( d, ^- b; B8 q4 x# N1 v2 i) l5 Z5 ?, U5 t! P+ Y. D* w
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)" Y( {9 E! Q7 }9 E9 `4 V
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND# r3 |1 [3 z9 v# P1 D
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD0 ?: \: l# @# T
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
. u: V7 \7 O7 l. v% |# }- Z這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊6 c" f4 I. `# t7 k4 _
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
! j" ]: p4 X. m- I7 ~因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重& G, Q3 D1 X% K0 S- C+ A  {2 l0 r
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
% f7 ^& [# ?( a! @8 KCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
1 j) h5 V4 R* Y( a5 V* s3 U  l# T# y" T5 s: t6 ?
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
& u2 J( O, X& ^都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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