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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
; o* C. x9 f5 { Y& o( Q我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND+ y' S9 G: s! d4 B1 m7 l
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
' b2 r' b, ?6 R( R) g- I但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
3 E. c7 |. l/ ~0 e這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
/ u; \' `& W; b( b* l7 d都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
- R* d3 A$ k5 T因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重$ C) F0 h6 r) Q; v2 O9 D, D
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
" H Z3 m) P% Z, X1 M& ]Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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( ^6 v4 y- z, R+ W5 o2 a[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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