|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
* c3 i+ Y+ z6 ^2 z# [0 ^. @我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND4 p% [2 h: T& {9 W- C( N' @6 i& D
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
6 R8 T% }" j" u, f6 k. U A但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
! m' B8 S8 M* X) g1 s0 g- [這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊3 [5 T! A& Y: `5 O% j) r. y
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
9 p& j, L8 p. U2 q8 _因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重2 _ w7 S3 G @
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.0 Z# N7 T! r. ]7 Q3 x' t
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
6 e' T$ ?6 K* c8 ~# W$ _
?$ V/ G# j6 `9 V[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|