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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer): i: T5 Y _$ R
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND ]. G2 g* o, u; C4 O/ B2 O. o
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD0 }9 s% |/ ]( B$ A X/ K. P. l& h$ h
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
! r9 i" A) ~' B4 f9 A, @這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
" n/ S+ i5 I+ X+ q" I都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
! w" p. b( y S4 w8 Q$ I2 p4 P8 e因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
* G! ?5 H, I6 v6 Y" I9 q, d: J8 F$ g最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
- U! N0 r6 j9 H G' h2 @. ?Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
0 n: n9 B3 V c* {5 x- B1 b1 V4 M5 E" G6 ~" j
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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