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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)' y: O2 |! w0 S. N2 M& {/ a7 L4 U. n
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
& Y, p9 ~9 a4 Z1 k0 YPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
6 P4 Y0 I7 V4 v, P! _: |但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
/ o- ]& x( p8 e這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊9 y* C1 [- y. w) N
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
, B/ d: I) T: V3 B6 k' Q! }: ^因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
8 G2 J8 s7 F. F! W- S& \. ~最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
9 B! ^3 M4 f q/ rCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.7 j; @; q, A. B2 _& d- l* v
/ z2 z7 J4 T: `6 M[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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