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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
. g! B# n$ Z, O# I L! V我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND2 b4 c+ T" u' d% H- p
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD9 G% K, v; ]2 V+ e" ^" N' m- d
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況- e* } C8 j: T( Z2 T
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
" R; N; y8 h5 d$ Y5 c' [5 h, p都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ' R+ j0 r4 |5 @$ l+ A: A* I
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
1 v7 X1 `& X# P, G8 f. }最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
' X( d& w& @' p* b' MCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.3 M- H7 _: J4 d& o* J( Z7 h# z S% s
# O$ J) m, @ n0 R0 S
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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