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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)' @/ E ]9 V: C @8 |$ u, g. f% o
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
9 J8 ~) _* ^4 X3 Y7 Q3 \% B' VPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD5 L, Z5 P) Z+ D
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
5 T6 D/ d% |- {7 r# y- A這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
2 ?6 u2 J3 E2 m2 ?$ b都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
; G; |0 Y9 m7 R- ?因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
) s. S4 V! V) q8 ]1 i最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.$ U( d! I' ]2 h# H6 o
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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: R8 A2 W8 O8 ^; q[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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