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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
$ z! A/ M( z% w6 S避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
: _" D! A; L0 `  t$ q0 i, z2 i了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
% F" _5 [: E; q# {4 m4 i- {/ G; V須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區! ~8 n" c$ P) O$ G
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
3 ~. A1 C8 i& ?" W錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
) G, N- I* X3 q不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況, s! {8 {: G- P+ i4 Z$ U
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
0 W. j5 N% U. @1 M& T  @
/ s9 Z; b1 n" O$ o如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)% J/ E4 K  Z( y5 [$ c
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND5 ]4 P  y: {" r' E, D$ R2 r1 B( K
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD4 p9 m/ Z0 e: p  N
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
: E3 b9 Q9 O7 k- n- s( g; v這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊+ W2 u" I" X: ~& d
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
4 N- c6 [8 v) s0 C因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重8 N2 W: H: @, c% M5 ]3 ~# G
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
7 [- J/ Z4 W& Q+ n# M- _* YCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing./ w- S$ Z* q9 |6 B
) W0 b; d4 L% u0 h* Z8 a
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. - A6 B8 O( u/ z9 P
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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