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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
2 ]& z" H+ V7 Z避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難! s8 I5 V( N3 W
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
0 }5 `# J. h: k* F" \0 C須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
/ m* y9 q7 r/ p" h+ ]4 d才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記0 F! O& a' a. Q0 {. W/ w3 x% F% X
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓5 Q" \( L" C+ z! |
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
, ~3 S6 g* z) e+ q. V$ }2 _# ^下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。9 S5 A7 `% e6 Y- _" g
! T  G' O- x, r
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
6 X! l! {2 H* \+ }* W3 O我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND- ]# w* O! b, R# z  Y% {1 ]3 G
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD& a% r  A$ q; U- I$ `5 m
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況; B- n/ _/ O1 K3 B1 f4 e, R* t
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊' v, G+ q6 e/ |( j6 \9 b6 [
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input : U6 `% V) X$ Z4 m4 A$ X8 H/ }' z
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
) c! ~# X8 a% {( u0 U3 f' M# d7 K最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.8 \6 j0 G* S( P4 O4 Q( R
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
4 q9 T8 g1 E# g5 e% r( w
' v7 f: m" O5 |[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
  ?- I' d8 P3 ~  l都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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