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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
2 R. o8 n& K/ v4 D p我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND! o7 `( n3 P p! z: G' L0 k$ x
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD6 V J6 i) [2 C4 W) Y9 g" g
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況& V& q6 b" S$ T X, v5 O
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
3 S0 Y7 R! B0 O% a' G都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 0 N. }( u+ y Z' h# N* Q( s
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
# D. \/ x! u- C, Z# s0 l最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.% ~4 h) t1 L+ h5 H3 m% a1 {+ ]' w
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.5 p; K$ x$ y/ g! Y1 |
! W, l# c( \. A% [8 L[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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