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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
+ c8 @4 `. e1 f& x% ]我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
0 P/ l4 ~) z* m9 s- TPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
: Z1 o2 s9 N. m7 { j8 \但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
8 V) v! K$ }: p* i這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
6 |3 N1 q4 y* i6 Q9 E& O都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
6 N/ |8 _% z: D( I" `( c因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
/ g4 x) l7 D+ k" M8 ]最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
0 a4 @0 m3 m& J& {* G& MCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing., y# t' v% F3 q/ X8 _: A
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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