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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
" p8 L8 f( ^0 U8 _我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
' R: ~/ z5 ?! C% R; V) n. {! C: ^: j2 ePMOS 就是 source與bulk要接到 VDD# K; m1 g7 z- B2 {" \- I+ u4 x
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
) {. Q8 o6 _) N7 l; m$ I L$ ]這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
* e3 U1 Z5 U& |都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
, |! r- Q5 H" a2 X$ c' v因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
+ Z' c* f6 P; P4 o最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.- {- n: i9 C6 z# ]9 z
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing./ G5 B0 Y8 O. M7 T5 A
* z) {1 p* N$ [# i[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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