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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
2 b3 Z, ]' d, d- u; A. g我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
7 _1 F z1 D% u2 Z" h* p* _) g8 WPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
0 p# k7 |- `" M! d2 q, y但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況( |+ v( `, G2 e! G8 i' m. T
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
1 G! c. s h4 `$ x/ |都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input % L6 F- ~; y" d1 B
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
. {$ w% _0 M* R5 y( D3 k0 x最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
9 r# T6 e2 I& h' t/ \: {' \Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.6 m! G+ Y7 P3 K$ y* u
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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