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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
1 J. l5 V8 ?# f! \避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難/ F  K& E. O% _  s" D9 T' o
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必# i+ f* q3 [4 p) @
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
4 b2 r: d) Y( d% Z# {2 j才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記0 I- |7 g; @7 x( b: B
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
; T( M8 d0 S# M1 G+ k+ y$ q不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
; z) u. p5 K% u% Y下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。! U2 j! _& X9 {( ~

/ F) W; _1 U$ l7 E+ p如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)  _2 W. t" H, Y4 a% q; `
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
  q( ^; l4 I3 m% VPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD: ?9 J1 r' F0 w4 t, u' q
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
$ q6 w5 a/ b; W8 h3 U( b) |這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
# d" }- m. g. D/ R都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
4 H' w2 t* X/ X; A. z因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
& G3 {+ J# Z! _& y  }& l最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.$ p! I8 D; W. l
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
( ]: e( I4 I% Y% n! K/ O4 b: x& d+ e7 _' `. [
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
: S- y4 p5 @7 Q6 r4 U5 w* f都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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