Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 17874|回復: 4
打印 上一主題 下一主題

為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
" c2 v$ M! x; P避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難2 v4 G$ z) e) n
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必* X% I0 |" L3 ]0 v
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
1 D+ g# B9 g8 b2 K. a3 k" t才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
  c; S  I) j8 q) [% z錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
! {3 W- Z, A( p( m不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
5 E$ b- }' }) z4 @1 R. a" {6 O下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
' F7 U5 J( F) u5 j/ [: d6 \8 L: @" p% b; c, g
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂3 踩 分享分享
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
, a  _- R$ H' T0 f) T! Z/ F: M3 b我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
1 ^& I8 F& L3 X; o1 ~; `PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD- U6 R  E# [2 r8 Q
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況' }0 w" }, S9 z2 Q! p
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
" f+ s7 @! J. b' r- X8 L都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
; h! s% ^8 c0 x( H' g$ D0 c因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
: m# ~& }- j/ ^* e( |( n最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
5 E$ d! ^+ Z6 u% ~: [Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
$ q+ [7 U7 ~9 a3 S
$ Y. R# m/ \  o0 |[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 3 C) c5 w# `; S! k- v) C; A3 Z
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-8 09:39 PM , Processed in 0.161010 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表