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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)$ Q/ ~8 ^8 K' X/ ?% d" E. X
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
9 F) m, s4 j" `8 z. H: y5 M! SPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
. P9 D8 u5 Z+ J. H5 q但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
# Q- F8 I2 e4 d- c7 ~這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
, ?/ |- b' U# e都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 9 t8 Z5 F$ H! q
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
L) [& f3 J. Q4 k+ s最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.# z& O3 l' a9 W$ @7 r/ ~
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.7 H7 V0 I) ]7 C- ~7 Z6 S" h
( K/ Y' Z; q' e* c5 S[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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