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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是+ P& r. g7 y  p& }( q% B: r% ^/ A; }
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難/ A5 q8 v/ {7 [* E$ l8 v4 `
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
' V8 B7 B4 K( f% L( h4 R須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區  Q. L6 h. a4 N
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記. }: T9 ^& M( O: |
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓9 u2 {% e5 s" L8 E
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
, f8 e6 W- ~3 ?, L下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
* H9 E" P" F5 l6 f3 A1 w: u1 P" B6 {0 P. e. l: h
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)" a% o2 O, M7 [6 R
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
9 S/ H8 ~; Y$ rPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
; S; G% W6 ]1 P/ Z6 d) d0 i3 n' m. E但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況8 M$ @5 U$ o5 E3 ?' r0 T
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
& q0 @' K; i3 a& \都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
- M- |! `9 A" B+ P( d因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
7 l4 u+ B5 C6 q; X+ F) N3 w最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
1 V! x4 i9 h7 V7 f# T. cCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
9 `" }: w$ x4 t& ?8 c" _, @
+ @) ^# m4 p* ?[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
- r, D, e# c- X$ O都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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