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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
& v; `' n: }! L7 `6 g& g5 ?我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
/ s% K) W" _7 h8 q" O# |# wPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
. g1 ?' k, k# z但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
- O P. T* M: A) a5 [+ s這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
$ m$ u. o0 m2 h都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 1 C5 B6 ~) N( H) W0 P3 A" ^
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
0 y/ F: g! R9 o2 V. q6 k/ u最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
) q! K, v5 Q$ g4 [3 s0 mCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.9 k6 m' @8 Y1 q z) L& z. p9 N* ^$ G
" ^; y2 i% B# R. D+ p: q b[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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