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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
# C, S) ~. h, A  |# ]8 _" A2 n避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
: V8 z: \$ u  P( U% T+ V了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必& w" U2 F2 r2 s9 Y2 }  b
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
' T. E( p, d' d' p才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
" ^2 M  I1 O* V! m; s( D9 ~4 L) V- K錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
8 ^0 p% T7 x% v% v4 H$ j不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況! b3 X: ?3 M0 D
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
- B( W$ q$ y8 y
1 \; ~' j4 m. t! ?/ O- g, x( R0 B如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)( t! J2 d' n& \  E8 D: _5 ]
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND0 {3 [0 i1 d, e, f
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD, r9 E, \- @) R5 h, ]' H& u+ R# X) U9 J
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況, G. I9 G- J9 l- F5 _) w) r
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊. h8 X8 a; q* f: z* @  P- f
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 0 n: z' A2 |) p1 s# Q
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
) W. X! g0 B5 F3 j$ H2 U' s最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.7 U1 K& l" B" Z8 s" s
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.8 e0 l; q" S1 {

2 j1 G. z+ a6 E9 I  i[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 5 A. J& `, [$ C: V1 x
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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