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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
" H: E3 o7 x/ ^( T a6 [# j我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
8 d' G! h2 {; M# j& t2 SPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD" w { Z3 N, ~3 c' o
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況- ^! ^5 [5 B! N
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊+ R) H7 i, Y8 n. l
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
9 m5 I" u7 ^% R因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重4 c2 b* u" u/ U% N2 R; @- ~
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.2 F/ D% n1 {7 ~9 t: |
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.( M) i0 h1 F; Q/ T4 _8 r
4 F; A* i, A# N2 z: ?
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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