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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
, a _- R$ H' T0 f) T! Z/ F: M3 b我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
1 ^& I8 F& L3 X; o1 ~; `PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD- U6 R E# [2 r8 Q
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況' }0 w" }, S9 z2 Q! p
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
" f+ s7 @! J. b' r- X8 L都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
; h! s% ^8 c0 x( H' g$ D0 c因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
: m# ~& }- j/ ^* e( |( n最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
5 E$ d! ^+ Z6 u% ~: [Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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$ Y. R# m/ \ o0 |[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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