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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
# C& U- W. A! \" H9 K2 q6 O避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難2 t  O; A4 f) R: C3 i
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
9 A- Z$ D# K& A6 }2 z  ^9 E* K須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
8 K0 a3 `: i9 Q. a5 Z才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
# O. ^( x! @% @1 H8 O錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
, A. ?; ]5 u( K" J. C% b不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
0 p& _  _& Y/ E  L下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。. X7 D: u: K! R$ w0 ^

/ a5 u" z' i6 L; m) a3 C1 g, B; F如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
9 U0 w0 E+ Y4 P5 w/ G5 z% N我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
, }; z# O4 x; {5 @' H# D% M8 Y/ }PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD* y% y: e4 M% s# q% n
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
7 }% Q5 a3 `. b: m這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
; |( ^+ o* b, n" P6 u5 I都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
5 k0 C4 O; c& E8 u4 Y3 k8 R因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
6 @" i3 i) @# F最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.6 R" ?. S% E0 u  _8 Z( {4 e: e
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
+ W7 l4 n/ l  T* H6 J# ]
9 }2 n$ f+ |; E5 P% c/ ]( v[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
6 l5 D, ~, P1 b8 c都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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