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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
" x5 i' M& q* K( ~" Z4 [我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
; @+ K3 ]( v$ V: V$ CPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
) w6 z0 E% v; y8 Q3 ^' s3 `+ X) x但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況9 t+ L9 k1 ~% R- m0 v
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊4 ^ c, f& \) E9 \
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
- r. D) W0 T( i因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重, B) R: R# |! @* m
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.2 I* o3 I4 ?: v1 J4 H( H) l
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
- \& f! d' W/ _9 E1 z+ k
3 O+ I: Y. }+ Q2 u+ r[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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