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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
+ h' W& f; P. P2 R0 E8 y我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
0 S. g6 m+ {- |7 q- `PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD) R5 r: M2 y) ]- j
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況! J8 E7 S' ]" C7 P
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
- c% q, S1 B2 ^1 s/ p- d4 A都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input " J2 L- x; @- C( N/ N6 p' D7 o
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重* v. ? A6 V: K, R
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
! u. M: u! d; _- I; |( n0 pCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.0 H+ E. M+ |& d) a' |3 u3 _
% e, n- p- M6 J6 A; t6 R
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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