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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
3 t- a9 [7 R& M$ [+ i. b避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
- H. y$ ^2 o3 p8 }5 ~了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必, W- b1 [* ~9 T+ B2 h/ D
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區# w4 l' G1 A" G4 p) a
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
1 X; S5 B. s+ b' V4 D' Y- o錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓0 l4 S( B: s8 w- f3 ^
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況1 C) c3 C0 v' }
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。, C0 T# j: N4 s/ b  A. {9 Y+ G

& O: v7 W+ b7 {' V5 L. u: k如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
! N7 m; ^; u  z8 [  ~我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
# e9 U$ @7 c3 c5 D( i4 tPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
, o9 W4 y1 {" `+ Z/ Q. {但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況  z( [- @, o* C; {- [- B
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
# L- K' }7 p) \9 b" T都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
9 D" a" L2 F  i因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
1 A8 K3 L& ~7 Q3 v3 Y最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.: Z. l/ A* N8 |& t' \
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.* P: G( r  |: ?! H( I+ X* T

- l3 s* Y1 `; B: K[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. ! }! p0 d6 R0 h' x* |
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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