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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
- O* S# ?7 i2 }: b* {' G' w. z) D6 s我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND$ g. i1 `% X: V6 @8 | ^7 e" |5 D
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
* F2 L; N& |% [0 d9 G但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
! D- n* @' V5 e$ ~# Z這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊! J* E2 }2 T4 L/ T" S# Q
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 9 p% C, P# k A7 I r8 o
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
8 Q! K) {$ J G/ |0 h( n! F/ g+ ?最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
9 W: y, k3 t! H* F, e: NCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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2 V5 W/ H" G z7 `5 G2 p& Q+ M% d5 v[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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