|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
3 J( a ]' q/ [$ U我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
7 [+ `3 T: q! h8 z8 s. kPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
* a4 E, A) {9 d- Z1 @' G1 c但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
) F, _) v6 W; G: j, @$ B0 ?$ ^4 B7 X這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
8 b& L3 y% f9 }8 j2 w( O1 R都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 1 ^7 ~3 @$ ^6 e$ {+ t
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
* i! M; Z2 \0 u; w最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.% o5 z& e! C' J4 r
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
+ l; M# k+ }% b, v3 B
- b9 D- M! I! ^1 T[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|