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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)( _$ E. Q' V+ I/ J6 c; `
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
! s& n2 ~! ~2 ^; q( v& wPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
2 x- I \2 W* j/ v但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
) m6 ^. ]" r; D& R% T8 u) x這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊# x5 j8 l2 u, S2 l( [5 e, P
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
# d8 o( \, @( w( P7 z3 K4 y因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
3 x! v: w& d: w5 ]# Y最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
2 a/ |- p% v8 X7 Y7 D, K0 ZCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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