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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
+ Z( k5 x) `, C: s: Q+ L r我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
3 L7 c. z/ F$ Q3 x3 m2 K% l( Y1 H4 WPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
# g8 y. X! `4 K! ?, q( W B但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況" L1 ~5 G$ g7 G" I+ w3 L" a" a
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
0 _* S# X% Q9 a) g2 n3 r- Q都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
9 V8 G. I' J! o5 Q; J6 d7 x因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重# P5 G, m n, A( U8 A* I
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
M" _6 m4 v3 C' y9 NCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
* c& r6 T% o5 u( a* C7 Z: Z4 t% s5 w" `' e: I. e
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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