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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是! n4 Z1 A  v6 h  F1 P4 O. N2 I
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
* @) J/ s, F  N1 p* y+ T' i& d了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必( Q* }( G% c  M0 N4 k! I* i
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
3 ~+ o, u8 |/ O" A  H4 ?# K3 n才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
1 {# E- P5 o7 o( O) X8 l  a錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓: P( y+ K; i& J6 H0 R0 V
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況# d' v. Y3 `1 M) c$ F  [
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
/ ]2 s- b3 s) K5 Q! w3 a5 L7 T! Q) g8 |: v# M
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
7 E( V) Y9 P0 V9 k4 \我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
, {7 x7 N9 ^1 E) MPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD) p1 g$ ?# g' N% v4 P- _$ x
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
1 Q* R8 ~( n2 W9 c1 S% S這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊7 S0 x! q1 C. M4 N
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input % ?! |/ D6 v$ ]- C0 q; w( n2 |
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重( ]) e& d* A0 ~, y
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.* A" y# c3 d( g3 s
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing., a9 @. I9 ]4 a1 I( q1 ^

' }0 H* e9 }" ^7 n% |[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
4 r' a2 D4 E! r8 f! K% N" F- I- E都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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