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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
/ ?% ~' v7 G& r% i1 T% H6 i我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND% B" c+ v6 r) {2 M* {) H
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD/ V7 L) E$ A9 r2 h1 d8 E
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況0 S7 \' M6 `- y" g1 b
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊 z9 ]6 y4 j9 _7 }3 F3 U
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
* c y$ K0 D3 r/ k因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重1 i! M5 q3 w8 q" ]5 a6 P
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
) \: f( n5 L7 o9 }7 |, U6 H/ ^4 OCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing./ o6 O( A2 W( ^1 L0 O6 F
3 \2 a* K3 |0 l[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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