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BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是3 w, m; N. X( f" S6 T% g4 V, C
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難3 g M0 A0 d% T0 F! W6 e, v' ]- \
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
/ T! q3 ^3 T* D4 C- j6 |須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區2 C- P* _0 i7 F- w6 o
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
- y7 P p) q" r' I5 z錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
. L- | h. M; s% C* b# c5 M8 Q不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況1 P* R' e7 ^, l/ v
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
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如果有寫錯還請各位指正,謝謝。 |
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