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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)( t! J2 d' n& \ E8 D: _5 ]
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND0 {3 [0 i1 d, e, f
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD, r9 E, \- @) R5 h, ]' H& u+ R# X) U9 J
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況, G. I9 G- J9 l- F5 _) w) r
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊. h8 X8 a; q* f: z* @ P- f
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 0 n: z' A2 |) p1 s# Q
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
) W. X! g0 B5 F3 j$ H2 U' s最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.7 U1 K& l" B" Z8 s" s
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.8 e0 l; q" S1 {
2 j1 G. z+ a6 E9 I i[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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