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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是# I4 g) u3 p0 R6 u0 _: X
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難! c/ `3 k! C0 N0 D9 Y9 x
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必2 o' Z/ B% J( h4 h# |4 ]8 N
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
  t3 G4 i4 K5 V9 V; u0 o7 \' f* c才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
' V) h& [5 O. E& N* b6 x錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓& u7 _2 e0 \- h; h+ |( l
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
5 c6 o3 B5 A2 @$ t下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
9 l$ s1 ^1 U8 O3 \; W
8 S  s7 E( h9 E4 o  v, l, r如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
- N. K9 U( B8 ^0 t: c我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND/ T: n; f% H: u' {
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
6 q$ d  ^. Q- k但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況; `  V: T  @5 b0 @% d
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
4 P3 v: \, S, K9 E8 b" F; P! ?) r都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
) x7 o6 |) W& }2 C' R* e因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
, n, k( b: A- [& P3 S3 T最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.* b; i- n* e$ W2 b* o6 Q
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
4 ]. C5 k; y, o$ n, v# y/ T, P* B5 f5 a2 S
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. $ E0 b* h( q0 O* z; ~
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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