|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer), D( ^; _. ^7 T8 ~ t0 f; b0 K' j
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND6 g' J0 B, S; v8 v. t* Y
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
& u0 z5 W5 ]) q7 g+ B: I但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況2 E& Q9 Z$ E& t& ?9 F
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
7 c4 q2 F. ^. N5 c, y都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 6 R- ]- }- o* f- w7 f5 ]
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
% H% k8 q2 s+ n6 Q. V最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
8 D" t% x" z& o+ |! H5 H$ F. ^* h' n- WCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
( o' Y3 G2 `3 ?6 ?8 W# D( `( R, D K* R- w3 S7 t6 U1 D( O" A Z
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|