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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是  \3 \* J( U2 Q" z8 s5 f' A5 h! [/ u6 h
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
9 d# Z0 m# _; l8 C了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
" t% Y# @% U* i/ Z. `- o5 C" z須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
: Z5 \) Y4 i, f+ q才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
! o2 t0 p+ @+ F" \錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓# p* H, j. V$ e) j4 g" Q; ?: l8 t
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
+ [2 V) W8 K5 H* \4 L- y下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。) n& F7 p9 q) |3 g& y+ ?
6 M" }2 U; K! K# L
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)- t# [; x; r+ c+ m# }/ E7 e
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND; |, q. C, |% T* [3 c# m
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD. S+ o% x) z) e6 h, \% s1 A
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
# Q! j8 z8 j) _1 f- B3 d; ~8 W% ?這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
# I- C& Y' \8 S. ?( |都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
' ^/ c# L8 @8 w) ~因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重8 |# x0 p' T% `
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
1 d6 U, P) ^3 u7 ^9 aCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
' ]1 i- o' {+ }# \1 x. \1 I" [! j, _/ l5 x" V3 _
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
" @, s! W/ Q& B" ^6 q: J% x都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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