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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)* e1 S& A6 o2 G" O3 `- F
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND: V& A3 L! N$ Q1 E
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
! \0 S9 E; }) M8 o' K但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況6 e. G# \% ~: i: b8 x& ^$ b% R; ]
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊* s3 l* V7 C8 N% v1 P
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
8 n& N3 G6 J# D- S( j因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重; G, F" d2 J1 ~, v8 e. a1 A- u
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.# D/ N# C9 n2 l
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.' Q& ]; I& h1 P' Z' n' s- {$ c
( L! S( e( R$ L0 h! O1 d, ^[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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