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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)& @' K* _* C" w/ k( s. z: W
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
, a! @- h: Q7 j& C9 |- V" uPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD [0 S9 F% c) b' {4 g
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況; H6 r% }4 F8 k$ I4 H! L
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
6 K8 P- ]1 T9 y- C3 V2 A$ Z# N+ M都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input : }) J8 L; z* @' B) @4 _9 c6 i% k
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
: Y1 G& u6 W7 e7 d) I$ D$ E最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.6 t6 j9 B) J0 N% k' q. a( Z+ q# F
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.( B. z! V/ [$ f/ t6 e
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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