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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
  E2 h! ~# Z; g避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
, T+ N) Y; i9 L) x了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
0 q3 l# D: @* Y4 u- {+ D須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
4 Z: Y! J# m6 P( v& M# J才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
. d  h& r9 s% p6 _3 h錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
% ^7 ], y) |3 i( E3 D不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況2 b3 W) U+ Q4 d/ \3 e" [
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。- D) X  l: Y6 k% q2 S) t: E, P0 i& b+ w1 P

, y7 }* d6 T# t7 r. E如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
3 J; ~# S1 N+ i2 H( Z9 f* L" P& o1 j我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
/ p* e4 z! ]4 HPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD! M8 d# a) Q- }! [
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況2 p! R3 A; h* |5 g  C
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
- F6 }) \) }& W' m) j. g9 Q都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 1 F! K: `! z  X: I' b  ?
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重( L% q5 ^% F2 B
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
. H% Z. l! u" }: r' o4 O4 `Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.8 s1 k& j2 i4 w

  d" N* R& O/ R0 q" c4 T" `[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 9 b% I" u6 m" U( c" q
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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