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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
# ~ D9 Q4 F$ m& u# P- {我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
3 T( c2 S/ t4 g7 w% v! b6 I5 B, qPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
7 V% P+ g8 J7 z' V! P6 H但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
9 `: G1 C& H( e, `/ E: |: A4 `6 N這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
4 n4 x% i% O G5 E都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 7 P0 E6 ~5 Y( E4 ?
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
# F+ a0 y& e9 @, V4 ^2 Q$ C, }最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.* r+ `& S* _2 d1 S6 w. @
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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% k4 W+ a Y9 s- I) Q[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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