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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
+ r8 T2 N; K' c# ~% I' b2 O. [9 ]我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND+ ` c& `& X" F
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD& O% ~- X: ]7 M8 d8 p, D7 [: z- `
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況8 p- |6 F6 o: I( A) |
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊& r' {3 g' b% k; ^( Q
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 2 w& |$ |" D( }# d- R1 f1 P& t4 |: L
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
0 k+ W& Q5 O1 m, C& j最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.5 y% H5 F9 C# P" E C0 J* O
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.% ^7 W3 ?/ I0 V2 `5 b4 ~* z a) ~2 D
1 z. m( j( b+ }2 E) F6 e( B0 J
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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