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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
5 r, X1 w" {1 @我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND" X4 z+ |& J- h2 U
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
8 @" O( w* v7 r但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
! ~5 l. W5 Y% x4 L這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊, I, k, x9 r- h E9 z& |( `
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
, g$ w1 M3 O+ B/ l因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重0 c5 a# I" Q& z) x; i2 w0 p) y
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢./ a% E( {6 g9 d4 l4 r
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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