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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
5 G+ @8 g5 p( m* F避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難6 h" X! y! S3 x
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必0 g' k  o- J  ~. `0 L: D$ F
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區( r& E5 F) X: P; q1 {( r; z
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
3 k+ F% T8 X; W錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓) {. K7 s9 F2 E& Y
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
5 v: v% T9 R+ g8 i) f/ H- {( J  o1 j下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
3 }5 |: _! S4 G
) Q0 n* R2 g. N如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
) b' W0 P8 ]6 X我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
9 E: n2 l/ \6 ^5 P4 F# ]. NPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD& d, e) A2 p: f2 N6 u- \; h2 k9 v
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況) v( e9 V: f* f: S& Y# n# g
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊) L6 B0 m6 O9 _$ g! w
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
4 y9 @9 w/ L& B/ v$ B% r因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
2 b: k5 f% Y( P- @/ t6 K: r最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.& P3 U* [7 A% F, P/ a8 w, c
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.* T* S1 M! H7 K5 I. {3 x. J1 F
+ x# ~: z8 W; V( \' S
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. # O9 {! c% c' g, @, p5 O. u1 Z9 G0 V
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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