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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
4 d; F/ w& K. \3 U/ G( z* F我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND& }4 f" ~' f( ]) l
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD" S+ j1 l; s' v. k! a, N
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況$ @' j/ e3 d5 D& Y$ C
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
0 ~* d. f) G1 Q: \0 V都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
9 m: u- g3 ~8 a; i( T( Z5 P因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重8 T$ T; O X4 A3 }6 G6 N' _# M
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.9 C/ p9 q! Q4 A2 ]3 @
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.. s$ U7 D* |" Y& w0 ^8 `& [2 T
1 C1 I( N! m9 W8 r
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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