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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
2 @# K; e" o* `1 V4 p" m2 _我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND* n9 j1 }; K8 y) f6 f
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD8 d; J9 l8 v7 F6 h
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況/ i* V V/ Y, R6 O
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
, w' S% ^( L$ i7 w$ D2 ?都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input " M S7 r: q. i
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
, f# }. H: S6 @* T/ Q' m2 q最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.3 _% r1 h* j8 `
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing." H9 ?1 C! W# e. S$ x
$ H. ?/ v: B) Z[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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