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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
5 L3 n% k1 E+ C. t避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難5 c2 G( j. x! k! `3 Y
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
& x: g6 r$ u0 ?1 U8 P須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
0 G1 _. K" _2 g# \才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記/ d8 i2 c( |) t4 {( P7 d
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
4 z3 l( `( M& {1 q3 I不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況2 u0 n6 i' U7 E1 M' k' N! x& o5 b4 U
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
) g( U$ B: A0 {* ]0 K6 V9 F1 ~. H: }" j+ _
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
7 y1 u/ o- H# S+ L, k, J1 a8 ^我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND0 v8 I; f0 D! h) j& [, F3 B* ?
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
0 E/ c6 Q' E, ?, Y9 d但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
% g4 C, y2 X* b  R# M" w4 G3 D這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊0 f# j8 j. H( C0 h9 {. e
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 0 ?. q3 j5 H" A
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重# e9 d+ p6 W" y, }
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
* @; |3 O4 B" b9 ?* M8 |Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.4 z* J( o. C' C5 [  ]' E
8 K# D2 X2 ?( e+ Z
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 8 O3 T; n4 B9 j' k
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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