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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)* D/ Q. s/ V# k+ ]$ V+ O
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
$ _4 g- }! E$ z; y8 DPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
& e. P5 Y; @) Q' s+ }但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
0 P; ^ y C7 W. B# u/ j這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
3 I( q% W( y, T6 u; W: _都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
* O9 t8 O/ @# q0 ^* n- {因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重# i+ S6 Q) s6 R0 ]$ S p7 i- f
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.. b+ w$ Q P* }5 p k/ Z6 B
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
$ R4 }8 Q. G) ? B( @7 X# m) a; L7 @0 ?# h1 d1 j! v
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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