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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)0 e0 ^' i# ^7 ^6 E- t U4 D! T; F# J
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
8 d$ w' ?5 L2 _" R. H! y( IPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD0 O& }/ |& q4 I! q9 y3 f
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
2 R5 Y7 v3 D# y; `2 J1 h這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊8 J: \# d& D0 f& W
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input C( A4 p# G. g7 f1 `5 F8 T0 L# y
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
# ]. e1 `- i f, u9 u/ J" L最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
$ F2 M8 X, M# XCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
2 D6 `( F. C, {$ ]0 l: r7 h8 O9 f+ l4 C! K2 V8 O( r9 m' z
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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