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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
1 }- e9 M, T& s, x, K我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
6 ?, G# q6 ]: h8 P1 X$ f/ I3 ^6 KPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD } N, _5 Z! q; | K4 U
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
* C* ` j; @( O: G# q# s) @; I這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊% M7 G# N! R- P) C) L
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input + C. T3 g% s9 C
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重) l9 G1 {' d( m; d, h6 d
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
( {1 Q: s4 w2 v$ yCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
2 Q% W! \( q* P y& G" U- ~5 E5 _) |6 r
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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