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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
) l/ i6 L0 g$ Z. _) V' s避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難9 r) c& g0 D4 X4 V
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
; B6 t1 y/ n1 J3 O5 e須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區2 \. C+ I' m& g- \6 S$ P; V! Z3 P+ E/ v
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記1 ?+ W- `8 p5 X  x1 @
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓! J, f6 \6 U+ V9 m5 @( x: {" Y
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
% `4 b- F4 X3 K2 @0 h% B下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
. e2 x2 M. j' k5 _
" e3 ~( g/ o& D0 J* ^5 D2 X如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)+ U# v& Q4 B/ j+ h* W  O
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
: b6 I* [) ~, W2 t+ |! [6 |PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD0 ^1 x* M2 n# @
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
7 @4 V' W" \& [7 T" R" `這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊" D# i9 X1 |3 ~/ F
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
" a# g5 Y) m# K% B& y9 c因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
" K: g* Z  X8 ?5 l6 g* A( }最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
% [& J# _1 \8 R! U/ c, qCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing." L1 ?; N0 g0 h! ~: J1 g
4 \" o% p+ F' d7 D/ a6 R
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 2 g3 k* ?3 _8 S1 ?! x, Q6 q, H+ ^
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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