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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)1 W' B7 P; f, _- O' F4 G9 P" H
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
8 ` E( L6 d {) X$ aPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD: c7 J1 R* [% y/ M$ I/ z
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況" J1 u S6 X3 I" I7 {, r* z
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
( r2 P5 c& x, p' v# d& Z( I都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
# L% b! W) A: ?- r: t因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
7 g9 R; ~! u; a; W2 [8 s最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.2 \0 B8 p+ E6 u% H( J2 I7 C' F
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.( q% O( P/ Y8 G' h& C( f8 Q- ?
( P, F. ~. b4 }/ K[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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