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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是8 `) T: v. u% f! B! Y; A/ \
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
1 n3 H* _8 h5 t  i0 D了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必( C2 [2 G7 q: e# k% [
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
. N: `& D9 J+ G/ i& i才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記" |+ b! t5 ]1 v3 }5 [# M
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓8 r1 r' C- R' o0 D! C
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
9 o) b! b$ @+ u. h) r3 J) @7 J- w' X下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。8 _, Q5 e$ ^7 X" q- D
: Y4 Y! X6 t0 K( y3 `; W' U
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
1 y! D7 K" Z5 }# N$ T9 E9 g. r+ @我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND  Y: |2 C. g1 t  u1 T! Z
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD$ V7 u2 y2 p) J8 X
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況2 ]' ~! x9 G9 V0 _
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊( d: k$ }& a, }1 \
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 2 B+ b5 `) J4 q' j7 d
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重/ ]: v, x1 T9 h- S
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
9 G% ]% C. R4 n0 S8 O. l* \Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
& z5 ?! c6 T6 g; ], j
3 ?" n! i2 n( Y# @  `[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 5 f, F* C; H3 B& ?
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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