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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)1 W9 P: {+ X$ y: a, [# ?- V5 O
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
- d/ v1 X; d$ b9 @PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD6 I: b5 D( z& | p X( ?
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況4 S$ z2 d; ]0 R* r
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
. y4 V2 G' Y5 h8 b3 K都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input Z$ }8 I" \0 N3 w7 f# f( q
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
; ]# `: L4 b- h最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.0 i6 _/ @# N0 n$ t6 U" M' L
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.0 A9 a/ D3 t) i: R) q: M. ] h
( ?2 O$ z f8 V4 g6 i4 w4 T! U
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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