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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是! e/ C( q% g; A  h
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
/ Z, d+ Z9 D7 j6 E  q) `% l了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必: @( B* o, H+ y0 q; J: d
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
( m& X, G% O3 [# E9 w才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
+ b; d9 x7 I4 h3 f6 y5 J. I錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓% S1 R" B0 i" c, h
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況" ^- O: f% ?% V7 S
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
0 N6 Y1 a- h  d0 j$ k- a% C# q' F1 A$ h" H$ ?+ B
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
5 r, X1 w" {1 @我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND" X4 z+ |& J- h2 U
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
8 @" O( w* v7 r但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
! ~5 l. W5 Y% x4 L這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊, I, k, x9 r- h  E9 z& |( `
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
, g$ w1 M3 O+ B/ l因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重0 c5 a# I" Q& z) x; i2 w0 p) y
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢./ a% E( {6 g9 d4 l4 r
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
# }* r" p$ ]& W* B# c3 \+ p& S0 c: ?: f, Q) E. X
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
$ E8 W" v& g3 F都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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