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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
3 g2 M% G* o. u) ]5 D8 R我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND7 q% M& ]* V9 p* L4 J
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD' @0 C. j4 X4 g
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況6 F0 Y N8 ~3 L1 u, Q) T( l& S
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
5 s0 p4 M1 }; T5 I7 z& X2 ^都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
+ N/ A* U. i7 Z- x/ R因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
: [0 r' b4 } P% r# a% U9 @最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.% R6 @8 ]* a% v! B& [
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
, l) H+ @" G x: s
* u" ~0 P9 z! v5 O" n, p Q! Q[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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