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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
0 p) R' I8 R, r% f! `避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
3 L0 [0 k' z% `9 I: U2 S3 @* o了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
3 C! w8 u  W" U6 ?. V; ?須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
* y) G# {5 d0 J; e9 I# f才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
' \3 A; E! f# ^錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
4 @: \$ _& T4 B5 e  ~5 e不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
7 d( {; z+ \) \4 Z* V& H下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
- k7 b: G( W& F4 {( L. o* G& i0 Y; i; D4 ~  O* @4 f4 C* I% j
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
7 ^6 R- H- \/ _: p! J我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
, g/ J5 \6 H4 w# G. v# ~6 V0 qPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
8 F) J& T; M6 |6 J- j但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
& n1 T' |* z! g# Q這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊3 a8 f8 H, S, c: Q
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 5 E( U$ x5 z. P- k. Z0 N! N+ J& }0 U
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重) e) s" Y# K5 f" ?4 c2 k$ U
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢., E& l4 x3 l" O
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
$ i: w: ~- @  i+ Y# K3 ^  w& u& e
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. ; M0 ]# R- @! {, @  W" i/ |
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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