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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)) J' W3 e: E3 ^
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND- i; s2 L: Q* ]) ?* |9 V k! H4 _
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
2 J3 w6 o2 A2 j! G但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況& ^; {- b1 I* V7 J. o4 G
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊; h% ?& c7 v& L: N$ N3 \
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
0 J K( z1 I& f2 ^2 g, L! _( x' B因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重 T- O* n+ Q' q# s: _6 \% O% I6 Y/ j5 p
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
* x) F4 w# X/ ^0 b& D" r5 X- BCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
0 P# O1 x1 T9 V6 X, z1 G( F
; [+ S& f: |+ n9 X) q$ B, K[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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