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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)/ [4 j: ~, ], n$ i2 o$ p
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND2 c; `/ q7 d8 F3 w2 l: k& I n h
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD! S8 D. R8 z: u' q; z
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況! d$ U& ^6 d$ U' }* B, G& z
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊; f! W' O) [! @/ y, G" a, m6 u
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ! e4 R& w, n8 I5 G% \, ^* ] K/ A
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
* R: x' X1 X z3 j8 f5 K9 y; b最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
+ F! {& l# S' t& @) G+ qCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.1 `1 ]. P7 e/ w. q4 K4 {* C
' s1 w" a. q/ X0 y' l: n: K[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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