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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)$ W- [* N3 _! i- r7 K4 {
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND2 \/ y# Z: ~7 x& J ^: b( O; N
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
! k; W6 ^$ y- j! X2 C" M- g$ _( U9 J+ d但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
2 Z. I- c8 \. o% ]1 V9 @8 u$ B) o這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
7 j1 T. S2 \# P% B2 R0 z9 A2 n都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
+ V) Z* @" L! G5 \( p因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
& n6 e% n% z, H$ p最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.4 m9 `/ B# Q2 E" k1 D- Z K. g
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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# s% W$ ^7 r! o: M[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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