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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
, X0 B# q1 b" ^$ r% G8 E5 x, j我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
2 Z5 ?6 i% S3 OPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD( S: Q$ K6 ^# f, C4 H5 J
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況& L3 k2 b4 o* @& F4 c* I8 J7 w, a
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊4 j, i$ {3 W* N- Z
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
9 C" _9 v0 o# l1 j因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重$ o$ B$ M+ g6 ?: Z0 q7 H
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
* n. J h' T8 p7 WCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.: D( l5 {* D% K3 H
w* m' S% l7 B! o, m/ e# s
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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