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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
; N/ i6 f* U3 i6 K' i) y+ M避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
0 m+ N" }7 G  }4 m了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
$ F+ T# A8 e7 ~$ e須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
; t+ L3 E0 d3 q( o才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記- n+ Y$ a; G" {+ F8 K
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
; o5 I9 e9 I9 L* j6 W  J) T0 h不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況5 N8 Q! \7 k4 q# R* r
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
$ K: W  N1 f9 S" `( k/ t' J- x
  a, z) W& A$ g' s; Y如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
7 w" t5 K* K% g# N我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND6 s5 g9 h, h7 m) Z$ Y% N
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
% S9 |/ H2 h! ]+ T' X8 |但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況6 \8 X& F* i  t- @& z1 p) ^- G2 [
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊9 G3 A7 x1 D" s: w, q, }  X0 b
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 2 ]# P# D$ G9 K( |+ M6 Q
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重$ W4 u/ b1 s+ c6 Z' K; s
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
; W0 ?9 H' O2 D; M+ n% l+ [0 X: n/ MCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.2 |/ T+ X4 t! D6 [$ A: Z

9 ?8 ?( Q+ Z# ?3 i: K" \8 t[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. ( {1 V3 C4 h$ F% j
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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