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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
1 X5 @, E( j; h; `避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
4 y+ x* x" m8 c/ t% p了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必' x% `3 B. A& l- g" }( d
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區; \/ b! Y: J# t/ {2 I& Z) P
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
1 f$ `$ {8 h, w錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓; \! w$ [( w+ |' H' J
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況% l3 k/ R8 O; U( Y/ c
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。, n7 }% L7 \& f/ R( K+ v! l
8 \) j  _& f7 I) u
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
7 y4 A  f. V' f% i; j7 @+ T/ ]我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
3 H) I, W2 p. o  dPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD: O1 v* O9 ^9 P2 i+ c- x+ R
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
: o4 F6 O7 W+ j這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊$ I. d/ b( J8 D+ r1 G2 f6 o
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
. M% f+ a6 \% |4 b' `3 T9 X+ v/ Q' C因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
/ z6 ~, W: a$ C% w; C) C4 o; z最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.3 S* I9 G( Y( |! d. O5 ^2 |3 g
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.8 J4 B8 j# G5 H8 M
5 p% W( ~/ _# O5 I4 P! L! L
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
0 m) z+ o* t) e8 I都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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