|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
1 _7 h# U9 r9 h# I- o我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND/ P: E h( U( j
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
8 s$ Y' L+ e* X5 W# K* e& a8 N4 i但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況5 q! H( ]% W" i
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊! U$ ~% y5 k3 G
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 1 e% I: S$ o3 G; \2 k1 i
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
& m6 Z( A- ?% u; y2 q最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.+ p* G M: I' m1 S- a+ z, b
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
/ p8 q m" U3 D; c. L; s* |& E, H- l! S/ I J" I* g" y3 m
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|