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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
& @$ s+ s6 U7 R$ y我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
. @) [9 u6 O' pPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD2 W1 C# I5 Q( M9 l
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況2 L3 C7 h$ x3 h+ R9 ~- Y2 B9 p" g
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
+ I8 W3 e% d9 D% m' m都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 1 A' m) i. Q, N- S
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
: Z/ V3 H" Q W$ d* K; w最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
7 g1 X( `' l0 k6 L7 b% xCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing." C* G3 L# V- R5 L+ T& U
5 M1 z: q( O. q: @8 U3 h[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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