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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是& A, F- U' }# J! {; t1 J
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
* v2 s( {$ G! G$ N了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必6 u/ g  o* Z: U( D* f3 E
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
9 J; t# F& r7 T才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
, r3 E5 t5 `1 F( ^6 S' y錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
% u2 s# I- [! r9 i2 |不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
6 r9 [, y% p  U9 |3 U下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。& D3 O- I" f( i. h7 Y. K% L+ `

  I. T7 ]8 l4 o1 i( l如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)+ C( g2 h& O: I% \' e- l
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
- D+ c9 R3 i( I. BPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD* z$ j6 K7 r$ z! ~2 f3 r$ s
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
6 q# f+ {/ `, e7 A這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
) V1 d/ f: d' D. @# {& D  b都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input : }' D2 \) A7 |$ R+ O2 n
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重2 y0 w* t  G  \$ ^
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.1 G8 H4 H! f$ F3 ~/ l
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
$ l2 y1 g$ P$ ~) |
; |- l+ m! W- {6 x; C# Q( \[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. : A  A) S% J, a" V4 v9 f2 J7 M
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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