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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
* P; ~& j7 Z) f$ F2 y1 k# ~7 [我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND# I' G/ y0 s2 w
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
: z& P/ l- t* x$ T. r但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況+ ]5 I) M, W5 @1 Z% r; T! E0 K
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊3 |- B" [; ]$ g% i6 B
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input * J, e' e g3 f9 y
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
4 X! D* ?4 J+ D最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
7 c% g- {" y3 Z* K) j) L1 R+ c- eCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
1 z; H' \6 m; b; k
. v- d8 k. b) }' e[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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