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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
3 ^6 ^" ~! q# i. Z我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND, E( W& ]4 W/ d! }! Y
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
2 I1 C1 a" E0 m' H q但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況7 a o3 d7 S/ E( h
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
" Q) X. V7 X6 R V都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input & p2 ]0 Q$ I; S# X
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重$ J- `! a8 l+ Z* _$ ~$ E
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
3 E9 ^9 y! D& T2 z* k/ z7 C" TCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing." [/ ~% U0 u( E/ C! K! c8 J
8 ~9 c* v+ s+ r! c8 u[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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