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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)5 E1 z+ X& e' L3 V' Y
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
" m& J: j G9 Z' ~% m' PPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD& `9 @% r+ U5 m, R' u4 T1 J" ]* L$ l
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
* B6 I! q) [7 h. k0 C這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
* {6 I: m& S T6 [0 B都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
1 t# Y7 F' X1 G' [: Z z( t因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重" k; ~& J' `' ?
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.# [8 g, S- ^8 ]
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.. E3 P% H. r1 E7 z: x- H
5 l% e9 X8 G$ W" y1 Y2 X
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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