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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer), ?' c$ a p- l) t4 q/ X
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND. _7 u7 I: q& O: X3 F+ b
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
- }4 J! j+ e. \3 X) E. h但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
9 a R: ?$ D8 K& G& ~, ^" R6 h0 C這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
3 |% |. v/ w5 G, Z9 g都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
$ J2 _8 K9 T. {% n+ j& k3 r因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
' {- E2 E9 _4 R) X4 N: o最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
, r! C t6 C2 N e5 M$ k, h6 f# Y/ NCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.. q w/ q) \/ k' v9 i5 N
8 T( b1 g$ w1 U[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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