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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)- t# [; x; r+ c+ m# }/ E7 e
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND; |, q. C, |% T* [3 c# m
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD. S+ o% x) z) e6 h, \% s1 A
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
# Q! j8 z8 j) _1 f- B3 d; ~8 W% ?這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
# I- C& Y' \8 S. ?( |都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
' ^/ c# L8 @8 w) ~因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重8 |# x0 p' T% `
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
1 d6 U, P) ^3 u7 ^9 aCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
' ]1 i- o' {+ }# \1 x. \1 I" [! j, _/ l5 x" V3 _
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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