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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
) Z, v1 m {8 |* x6 k我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND! M7 ~& |2 s# }6 C3 @
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
9 e- O L1 I, L8 _3 P' ]但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況/ D& E9 K+ F9 @5 w4 ^
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
" W1 R" J9 ?1 F# ^都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
' m5 h- r% M, x0 I$ z因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
% Q* x: J# t# O# T! u2 r% j最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
+ l3 b: {4 s \8 zCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
- I4 x* [. _2 w1 o2 k# c+ J/ A$ \7 R, d; M/ a7 w
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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