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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)+ U# v& Q4 B/ j+ h* W O
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
: b6 I* [) ~, W2 t+ |! [6 |PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD0 ^1 x* M2 n# @
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
7 @4 V' W" \& [7 T" R" `這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊" D# i9 X1 |3 ~/ F
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
" a# g5 Y) m# K% B& y9 c因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
" K: g* Z X8 ?5 l6 g* A( }最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
% [& J# _1 \8 R! U/ c, qCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing." L1 ?; N0 g0 h! ~: J1 g
4 \" o% p+ F' d7 D/ a6 R
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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