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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)4 y: Y2 l$ Q, ]5 }0 O n
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
& j9 Z( g# h9 ?' x( V- h! @) L" E# tPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
+ B4 B! D; @1 y但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況! x% R( T/ u- {, l3 g+ [% s. E+ D& Q
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
f/ \/ W* a) `: }+ L都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ' _ A1 M$ G p
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重& u# H7 T* B. C
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
3 ^2 p9 w2 g1 Y0 J" nCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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y: h0 W3 J) s3 Z) l[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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