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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是! \  t' [) |. m7 `: m$ O: ]' u
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難  A9 l: B3 g6 z* N' E1 }
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必4 z/ j  h$ A$ d, z0 `' J1 S
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區" z2 c, B  F, x) \' r. z
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
- ?9 E* Y; z1 \5 d錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
) g! ~$ u9 ^! n, d! j5 r不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
4 V6 T$ S0 m# F9 l8 n下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
3 `2 Q  V' }6 d- f; g4 H" v; K0 N" c4 W$ u) F  y
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
1 ]& I3 B% B# {7 Y2 ~$ Y* b我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND+ R( `+ R$ t7 O' K  H9 q. p" O
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD/ S* H' N0 W0 C% }7 u9 B
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
# A; q# Y, @1 f# Q這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
! C3 E2 |$ w8 o" L都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input $ b2 q0 l& }& M) f
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重% M! I3 s- U$ B7 e. I# J
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.! j! P4 [, O. ~! |
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
; r( K  `  G! [. a. j
, P5 E, {& M( j0 L0 E$ d[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 5 x. L/ G) e( `' p. Q
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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