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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
* U9 u- E! k9 x8 g5 d我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
/ k& D8 D7 Z5 H7 ~4 B# J4 GPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD0 n( |8 u4 r. ~% l9 H
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況# g8 U4 Q8 A5 G6 y; U
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊0 N9 e1 \, |* b) ]
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
2 J# V8 Y" s% w; y! J8 j9 [因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
' r, }! U8 s: ]: [% Q# N+ l0 v最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.1 q$ B( `! g6 c% Y, I& }
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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) {) f# K) L w0 z+ H) u[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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