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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)4 ]9 i- C" ~/ v
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
2 ?6 B! j) B- }9 y" t* xPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
0 \, x- P8 V$ a+ f A* J G但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
+ O1 Q' [# M0 x7 K; N這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊* E9 E5 \. p, W6 v# F
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
+ e6 j0 C* ~2 k: @因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重- t& a9 _& A+ ?7 L/ a; n, W0 W
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
; V+ y' u. ~5 k7 Q. G' b, A/ OCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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0 Z- G' b# V# F# ~7 Q[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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