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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)- x* |6 m z4 O2 w; B3 Z" A6 J
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
: { J6 a5 [. S+ IPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
6 B) v; n+ K* g但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
8 Y& D# [; v- w& q0 R1 w* ~: j% _這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊8 ?1 X, u2 B, V0 M' O
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
" u/ @% h+ Q6 A因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重% R& o: q9 l1 t* a, u
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.. B7 M; t r6 y8 C
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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