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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
/ E. X) Q9 e, Z* p我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
. m; \6 f3 K% Q: MPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
4 x6 z3 c$ U; s7 g) s5 Y* X0 Y% w但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況% V# {# P6 M/ k! @0 Q0 `
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
+ f0 q9 v3 z p+ L都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input , o, y9 {# W3 _5 S
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重; ~' K( [/ n) n" x2 z2 A G' I, P
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.: v/ A) m5 s" P# l {3 E. o
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.% D2 x- K& s# A k# h
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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