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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)) z% A- b9 T! o) T, e! T" I! H! S8 F
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
* U" d' q: R4 @PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD$ U6 O) h8 C2 i. ^3 |0 T
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況9 {; K# b( B) _
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊 ^' L* n8 \) g" t" h5 B
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input / U) f3 e% b" i0 W: C! w
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重( Z6 w+ o" u% p) m8 b) }7 T6 q
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
. |4 W& e* G$ a& {( U* l7 xCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
, s1 d8 F, H* G$ N% n5 n: }. k( k9 n" [$ K: l/ i
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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