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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)3 D4 y& Z/ D$ V; {
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
1 X' }' \( B7 fPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD5 P) {, `0 A, A
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
3 b1 P2 h/ \& q7 b這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊' a) K& B4 a$ u5 V
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
) t! T5 C2 M! J: ]因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重, Z# W6 j k+ T# ~$ ~$ Q& Z' f8 G7 p
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
. Y- F! Y$ S% T: LCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
5 Q$ v8 k( Y+ m% U; |% q4 F
/ h7 b) g- Q9 \3 a; c/ t2 ^7 z9 y[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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