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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是: f, z% ^. q( O. y9 ^4 e7 Q
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
. `3 Z) f% i; N' C" |% x+ }了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必% t8 S/ M4 u; V: G: o
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區, N# w9 N% I/ s) S8 ~$ K
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記$ F% ]' O/ |6 E& `
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓5 Y% Q) w& p/ b1 `5 }' z
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
' |2 k2 i  H* S! |" s8 K7 g下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
' _8 M/ V( F9 \" }, t! T& T( Z: ]$ v7 q" O: V: y) ]5 X; |9 k6 Q
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
& v; `' n: }! L7 `6 g& g5 ?我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
/ s% K) W" _7 h8 q" O# |# wPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
. g1 ?' k, k# z但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
- O  P. T* M: A) a5 [+ s這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
$ m$ u. o0 m2 h都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 1 C5 B6 ~) N( H) W0 P3 A" ^
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
0 y/ F: g! R9 o2 V. q6 k/ u最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
) q! K, v5 Q$ g4 [3 s0 mCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.9 k6 m' @8 Y1 q  z) L& z. p9 N* ^$ G

" ^; y2 i% B# R. D+ p: q  b[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. " T2 r) W4 m8 q3 j
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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