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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
( m4 Y" i( l; {& B7 }+ O G我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
+ S$ D9 j# V5 \* T7 SPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
$ k' c5 ~( u- L9 n5 V但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況! e! b; p+ m T: H" w4 K
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊# \0 d6 R! J3 j# @, H, k) Z
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
9 u, R+ N& p* j2 ~& o因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重! G4 ]* }& m. i! ?! J9 w$ Q n
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.) u2 z) c/ y1 M7 w: ?( S& I1 Z$ w
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing./ q$ j8 o8 |$ h, z0 i
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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