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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
. m1 ]# U3 R. w避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難- o) d( {# D' C. {' C0 V
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必/ r8 a  |! W( \& ?! Y% L1 P5 h+ z
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
( l3 \# R: m9 r# r  p0 l才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記. r8 ^" ^/ H5 [5 i
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓# i& d$ ~$ K" U
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況; v/ w0 K$ q9 c* o" E- _1 G
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
" |9 q  E  E$ r/ F) b' O! R1 k8 U1 u9 ~+ R" L1 }1 D4 T9 d. W1 N
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)* D/ Q. s/ V# k+ ]$ V+ O
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
$ _4 g- }! E$ z; y8 DPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
& e. P5 Y; @) Q' s+ }但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
0 P; ^  y  C7 W. B# u/ j這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
3 I( q% W( y, T6 u; W: _都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
* O9 t8 O/ @# q0 ^* n- {因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重# i+ S6 Q) s6 R0 ]$ S  p7 i- f
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.. b+ w$ Q  P* }5 p  k/ Z6 B
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
$ R4 }8 Q. G) ?  B( @7 X# m) a; L7 @0 ?# h1 d1 j! v
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 0 ?/ M# d  F$ h: b
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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