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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)/ _' |( w( F: X. J2 z3 z( ?
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND( H O9 k2 Q6 n2 h
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD0 D* G9 k' r `* \
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
- [' ?! g; Q! o% {7 k/ T, {5 N# l這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
- K! G, {, u6 w$ ~, ~# g都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
9 { P N) h9 U9 n* x0 a- K# Y因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重% B/ P# y9 F" ^8 \/ ?
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.2 ~8 ]( W5 [$ V
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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