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BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是/ W- G7 \) ^1 v a" h
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
* {- y9 T3 W" N6 X! ~了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
+ b' Y" ~ m% E8 ^5 i5 C須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區% q) a; c% g7 c' A5 V" f$ Z" w1 f4 H
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記 ^# ^/ d, K, _/ j h' l6 m3 o2 i
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
1 Q. j+ b6 _8 o* b. c不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況! A) |) G. d6 W) u
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。4 M4 G- M, m( F, g
$ I) f0 I- t& w7 }, ], t如果有寫錯還請各位指正,謝謝。 |
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