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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)( | ~3 H3 Z) Q* `
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
$ a) o% ~/ {" A& YPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD" w5 }' q2 o3 x' C9 z' z1 T* J0 [
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況* D( J6 G# b( s4 I
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
7 N% }9 W# [2 X5 X5 M9 l$ F4 i都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
# s& W& Y4 x+ I/ K因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
3 `8 o+ E9 d& h. j3 Z最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
$ l; a- X4 U i7 h! t1 `Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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