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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)0 j: M) o0 ^# f, T# {# P& j9 |
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
( ~" y! P& S; c1 m: ^- B. zPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
% u0 x: x3 p3 g' h8 U) n但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
- J# ], R: X" a- `0 n這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊. V8 l6 C! K. O9 }6 E" K
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 8 j% a$ M/ Z" m
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
* p" c+ ~' X) u最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
: B! n' {& O; v5 L0 C1 t' `& jCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.% S' J; M; g7 W6 q
U& o, e- E+ P
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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