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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
1 y! D7 K" Z5 }# N$ T9 E9 g. r+ @我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND Y: |2 C. g1 t u1 T! Z
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD$ V7 u2 y2 p) J8 X
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況2 ]' ~! x9 G9 V0 _
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊( d: k$ }& a, }1 \
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 2 B+ b5 `) J4 q' j7 d
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重/ ]: v, x1 T9 h- S
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
9 G% ]% C. R4 n0 S8 O. l* \Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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3 ?" n! i2 n( Y# @ `[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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