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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)9 F) q0 D0 ?/ N3 U
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND* L \( a7 r+ Y7 V% @: R
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD* P! Z2 z8 V1 N% B' s
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
- Z/ w4 `$ l P這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
0 s L6 V, i( ~2 c! e都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
3 T: k) f6 k+ |因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
9 E' w* x- q) j7 c7 m5 @最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
: a* [3 ]8 h- ^; Z: n% d8 rCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
* V& d+ `/ \5 V0 ]/ V
# n5 l+ ?3 V7 t[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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