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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
) b' W0 P8 ]6 X我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
9 E: n2 l/ \6 ^5 P4 F# ]. NPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD& d, e) A2 p: f2 N6 u- \; h2 k9 v
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況) v( e9 V: f* f: S& Y# n# g
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊) L6 B0 m6 O9 _$ g! w
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
4 y9 @9 w/ L& B/ v$ B% r因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
2 b: k5 f% Y( P- @/ t6 K: r最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.& P3 U* [7 A% F, P/ a8 w, c
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.* T* S1 M! H7 K5 I. {3 x. J1 F
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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