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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)' h/ r: z* R3 Y- d: N! z3 I
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
9 X+ \4 f# ^" k3 I6 c2 S7 ~PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD, k: Y6 h4 y4 e' W: _* X6 r
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
* t3 n7 ]) j! q! r$ W5 {8 v這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊1 r5 E" j" ^! `- b' E3 `
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input $ |# Y% v! i4 V5 u9 Z
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重6 r5 o d R& `, Q8 A8 A
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.% T1 u/ n6 k' |
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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5 I& D) U1 a* E7 ~5 N; K[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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