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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)) U2 ?+ {( F) b$ `
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
' l2 X8 E. J4 l- x9 W: F+ pPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD# T( E2 F4 F8 Z; l8 V7 G; ]8 G2 U
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
3 I4 a% A3 s: s這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
! a8 j, [- _% Z% D3 L都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 9 c$ ?1 N, {' ]2 _3 |. `3 o5 i* f, O# T! D
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重/ A: }2 h3 E3 A6 ]3 S
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.. I, o+ y9 i- m7 G9 }
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
+ v; z+ U! f/ m' [9 I. j' d5 y" s; w; F+ y6 W2 N5 J, ]
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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