|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)5 I" [: N; V: u6 C
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
! V, f5 E; n4 c' q ePMOS 就是 source與bulk要接到 VDD3 j$ `2 ?0 v* {8 V- u2 O
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況0 P* G+ t' e( [; S
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊& K7 P1 m; v: w9 p6 \6 x0 q
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 1 {% O2 s' `9 e
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重+ O3 ?/ j- }( W
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.; S- x4 k& f/ Q0 z4 W4 f
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.. [7 C! u5 p5 P# h ?& b Z% F
; I, y, Y% g L4 s3 V' S3 F& W" ]! _[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|