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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是) J' F) r$ j% {" Y: L- ~: m: I
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
: }" K3 L* L) S; `! a% s* ~了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
# o6 G" u/ |' q. r/ t) h/ ?須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
+ f1 P8 }2 a7 ?$ w/ a; y" u才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
* x4 W9 k* V% t  @錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓1 @# X/ E; Y% j$ @$ v. v% G
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況) Q1 R: D( Q3 U: `
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
# m, g- E- R. n: i8 a3 `( M
) [8 B# F/ a# G如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
" Y7 n# O" c0 f- `! V" o我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
7 @; m; G7 L9 ]+ ]# RPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
1 A* Y( M( v/ _0 \% W$ }  ~: W; I$ l但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況& a7 ?1 W; V& h' b! g" s
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊! a) a! A# ^. Y
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
0 U" V/ O; s% B6 q% z% N) p因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
7 {, i' k% |3 z: C, B* u. i最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.) l; I; L  Z3 @) u) g6 l0 ~, x
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.5 ?& j" U2 J# _" r) e' n3 R8 i+ B
# ?2 j! L2 ]' @/ L: E1 _
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. + L# ]0 z; Z+ V) `3 _- Z
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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