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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
3 ~1 U9 ?1 Y& h+ n4 P我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND2 p8 t3 w( |' C2 ~8 y
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD% P/ D( `' m5 P1 i' `
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況4 d% T: v+ [' p# k* l' b$ U% D5 A2 j
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
, R! F) w d K) p6 C6 \/ R) s都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input : v: }8 {1 u, T+ t, z f4 W
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
! z) F6 B) Q& M5 ^3 V最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.# ?- m8 ^$ x# O u( h- e" W9 v
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
$ K" o* X$ T8 R/ V, z& h' Z8 i4 L* E- s3 s6 m
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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