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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是6 J. J5 F4 y  b- R' r+ j1 i
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難5 p. G6 C" A7 R4 j/ d2 ~3 Y
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
4 s5 T# G- ^( v, J! j須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區5 L! w7 m" n! t2 Q; D2 ]
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記9 d0 j! K- F* b( S  y
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓* |7 V4 [/ L* q& F% Z1 W3 S
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
  [/ P5 [% ~% A# y, X下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
) e) F* d; a/ U* ^. O# a0 N( R* C0 Z: x0 Q: }7 Q
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)- @8 o# n  a) o( _
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND7 q# W+ j: v6 Y( d) R2 L( M
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
2 y" J6 z1 R" o# I, T, o4 d4 I但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
3 r" R6 V2 v+ i0 F這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊$ y) K5 U% @2 P5 `: v. w
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input $ C8 W( ^- j0 b
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重% p/ x. ]7 Q! @& F8 ?$ ^1 P0 d
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
; j4 e: D- C' r$ `; MCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.. _+ J9 L9 W" o7 B

0 |. p9 r7 V% M1 s[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
: k7 m/ T# t" |* o( e- J# T都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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