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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)0 W. x, s7 K0 I# q; ^* h# H8 p
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
$ \4 H! Q0 d wPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
# z, d" O$ q' O" p但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況0 |8 e: X2 ^( i5 t* f
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊6 P$ U) @7 W) [" D) F1 b1 ^' o
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input * a0 c. N1 s: V
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重+ w I1 K2 q3 h$ a
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢./ q& B4 L0 \% K6 m
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.; [- n5 t7 C; D0 h5 _1 c
: P: s" ?5 o, Y' i' I6 j/ B4 L$ _: i[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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