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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是2 |6 E( c- c# R/ [
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難$ F5 T! M- U7 n$ i+ d) I
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必" r. b0 K; Z0 V1 F; f! i
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區* ?9 N3 j: ^6 J1 `
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
& y: z4 F, S. V8 M- t錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
: P" i* }2 j! W不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況6 }- X! ?4 s: P$ T
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
' R  C- s" v# J) T9 z
* P6 Y$ Q( M( z! N0 N5 k如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer), u3 z  o" @5 M8 b8 W/ n. V
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND. c/ b, j$ ?2 f% F1 r
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD1 u) _9 ^' {8 {; J) B' J
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況7 h) a% P+ A7 B* D7 z) e
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊. p5 |2 i* a' x1 F) \* _
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input $ ?9 G9 X5 b2 e$ g! I5 {8 \
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
& _8 U+ f' v8 i8 O/ _* E3 I) {, c最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
3 @1 H6 B$ z, w* U# RCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
- R! g/ \! T0 }) [, C+ Y+ y
) h5 ^- X# c& V5 p% ?1 q( e# \$ T[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 8 G- C, r' T; ~. A; Y$ r
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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