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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
1 ]& I3 B% B# {7 Y2 ~$ Y* b我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND+ R( `+ R$ t7 O' K H9 q. p" O
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD/ S* H' N0 W0 C% }7 u9 B
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
# A; q# Y, @1 f# Q這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
! C3 E2 |$ w8 o" L都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input $ b2 q0 l& }& M) f
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重% M! I3 s- U$ B7 e. I# J
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.! j! P4 [, O. ~! |
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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, P5 E, {& M( j0 L0 E$ d[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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