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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
% O4 u) U/ |4 T* x4 c+ h4 D/ ?避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
( Q" ?# z( N9 [. {了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必+ H3 r4 c5 ?% v/ \7 u4 L
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
2 q  a) N0 Z: X7 E3 a2 m% F才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記: B2 ?3 C' T6 u" b" g: @
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓6 h! @. ]9 {  u2 F& J* s) J4 C
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況' z2 a: ]+ t9 }8 E. M
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
: x0 A/ |+ F- W2 q' y- }
2 A$ ^) R& {4 O9 d0 D如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)3 |6 _, D: \% {% |
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
+ W6 f. @2 }6 N- s% o9 r1 |% CPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD% l! g/ L: k0 l. D7 t' B; J% e
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況; h3 f% F4 ?) G$ m" ]/ Y5 d3 w" q1 ~
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
) p& _6 e0 A& ?3 a  O& O# J都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input & y& w( j7 L- k+ Y* i. s* V4 s0 k
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
8 Z' Y$ @+ g( {) I* X# \0 G0 W. s最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.* m2 e* V/ F) w
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.0 }: ^$ L$ r2 ^

: N9 @; G3 @0 b, @; H) j6 }# R6 V[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 8 a0 T# W0 J/ H. Z: I* l8 _( p! a
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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