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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
) D! P, R- \4 {# R0 n( G$ j我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
) p ]: {9 P% N; y) p, O) WPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
`$ N2 L5 I0 d6 ^- S; X) G但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況/ `: B$ f( X% A+ k8 C8 g- A
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
& I6 k, B" c0 h6 U0 v$ U- e都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 3 s0 ?7 C) B) Y6 k, C% K& K9 b* ]
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重, W0 K5 B, V! x+ G* i8 {$ k
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.+ p' T) ]7 G+ u9 G* b
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
8 T6 m/ {0 k9 {0 P; j- M$ |; m& k4 N, |0 h' R5 H& p: [/ g
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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