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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)" a% o2 O, M7 [6 R
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
9 S/ H8 ~; Y$ rPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
; S; G% W6 ]1 P/ Z6 d) d0 i3 n' m. E但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況8 M$ @5 U$ o5 E3 ?' r0 T
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
& q0 @' K; i3 a& \都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
- M- |! `9 A" B+ P( d因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
7 l4 u+ B5 C6 q; X+ F) N3 w最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
1 V! x4 i9 h7 V7 f# T. cCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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+ @) ^# m4 p* ?[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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