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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是- X% X5 T4 B& X3 Y( D/ X
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難6 T9 y2 s' C) J/ B: }  w9 N
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必* V2 G3 [5 K0 D4 T
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區6 I8 T: \" {% D% L) c5 {
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
/ S* L3 d0 k; k3 C& M* p3 h7 v錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
- V/ `# U2 B+ V# {不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
0 R8 j% n! U3 M$ g下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
/ D. j0 {# j8 N* T% i
" g9 q9 A7 a4 ^1 T% U: T如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)4 L5 D! L: w  t8 i
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND4 u- q$ ^) M! A
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
+ |$ B! `& P; q% \5 Q, ]但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
' c/ f$ b' f3 c這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊0 l3 ?; ^, ?) `( g* w
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
1 i' U$ J5 C$ T, K: K, v$ |因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
9 P; S, ]4 C$ q2 m+ e最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.5 x, i& D8 @; E% x, g/ w) f
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
7 B  W# R. W+ a+ p& e$ ^/ K- q
* _' @2 ~1 C3 J9 k[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
4 [# Y/ y( C' c+ R+ r# Y+ Y都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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