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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)1 d: Q+ E+ r" E* X1 {6 J/ x
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND0 z8 }2 r, g# {5 p; L# r# T5 I* ~
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
! G ~( z1 c; V/ h' T3 M( ?但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況( |; U+ P+ M% |* o) F
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
! Y( v. E' w) _$ b4 }# [* I都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 8 B) `2 C/ n3 @7 e8 _9 [& W
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重, Y7 | s: Y3 ^7 ~3 ?" W
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
1 I7 }: q W2 R6 X4 X/ H4 O" HCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
' h) r- N% ~- X! s$ T& g% R6 F6 L) I: J
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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