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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
6 a6 f0 S3 a4 p1 w, q. V% {3 Z我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND7 D. S) @1 O& b; x3 B
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD L* j% {0 {, ?2 I8 V
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況. ~! g7 u3 q0 `0 i
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊4 w1 e: M6 E% Y8 a* P5 L5 X
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
- Y' ]# t; h* j, ?# G. Z因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
) p5 [- p$ H4 d3 l1 {" x5 ^: y- D最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
# ~5 q! r) w6 `. PCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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- G# l- y9 N s' z& T" W5 J4 r[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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