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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
- }* a/ g$ p; u0 i% B, u: h7 L) f我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND! A4 `+ P3 A4 `
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD/ k3 L f1 {* m# h! x6 x% S0 v8 ]
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
0 _( m% `' v. ]這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊& g: C: G" w) a$ d$ s% @% r8 b
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input . j: B3 p& H' X# x" Q: K
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
2 y; g l Y/ K1 n最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
! `! `# @+ S6 t7 ]9 c& \- l/ DCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.( p" _" d& P% g" U4 K' r) J7 R: y6 |
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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