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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
( w6 x1 i1 @; B1 V' o/ ^避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難) _. ^! u4 D+ V8 h' r! W' P6 `
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必; |0 V. D6 V+ g) s% r0 _
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區1 t, x7 t6 A' S
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
! z* a& D3 n" K4 V2 l# u錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓# R* x/ G. F4 j9 B% x
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況4 q) K# `& L) W* J- J- X$ o% D' U
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
8 O# H9 ~# E' P5 ?( X) k# c8 F6 i5 Q8 f
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
4 Z) {1 k* I2 Y2 F我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
9 Z0 N' C$ C' C$ o2 V1 I6 d9 \. uPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
/ m4 S' t& L- d但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況. B' e/ S2 T9 j( a
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
7 f, e; [2 R0 w* }: _都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
* I6 h9 l: c, Q7 l1 v0 Y" w% m因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
$ f3 j3 A* M/ n最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.8 H* B1 c" o- @9 B2 ~
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
1 @% E1 L7 e+ C, Q& H6 _7 ~6 J! ?/ w7 s
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. , b3 Q7 r6 Z$ ?3 u" K  R$ P' @7 i# ~
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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