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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是' y, p" e7 r' F; {
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難6 Z4 C, t, `4 ]' [# R  o
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必1 y% ]$ n$ ]5 }! q- U
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
2 ]+ d( D, K4 Z" {; _! O$ |5 V才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記; @( A' S3 D* i! `9 `9 s
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
" w. w; p' }1 s. k0 D3 D/ K0 {不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
6 i9 b" X8 @, w1 k7 P6 B5 Y' G下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
- e$ ~  s* l* u& e. `: ], T! m, f' z2 D3 ~) U. B
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)- }% @& r+ D: j- E) `
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
; V  V# _! E6 b3 bPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD  z. y! v4 E9 o6 _
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
; [/ z( T" r/ n8 ~8 \這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊4 {6 t5 ^& Q( C+ K, c2 h
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 5 e' i2 O8 V& k3 p3 I5 C! ^
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
3 o$ \/ }, F. U6 d0 _& U$ W最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
8 c0 s, P9 {  f5 C: u+ mCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
9 h# n" y1 ~4 h: X; T% r# Y2 p. i- u2 q8 g* F
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 5 z# ~3 j, e$ c. Y  i/ T& s
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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