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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
6 X! l! {2 H* \+ }* W3 O我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND- ]# w* O! b, R# z Y% {1 ]3 G
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD& a% r A$ q; U- I$ `5 m
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況; B- n/ _/ O1 K3 B1 f4 e, R* t
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊' v, G+ q6 e/ |( j6 \9 b6 [
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input : U6 `% V) X$ Z4 m4 A$ X8 H/ }' z
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
) c! ~# X8 a% {( u0 U3 f' M# d7 K最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.8 \6 j0 G* S( P4 O4 Q( R
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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' v7 f: m" O5 |[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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