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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)$ b( ]. ^ j/ t5 K! P
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
' p f2 z2 x4 X: H3 d' P0 a, iPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
$ n4 h1 J; b" z" Y4 W但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況: T [$ j+ ?7 @5 I6 G/ j
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊5 L/ B Z5 Y6 K6 c
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
9 t0 t# g, a- B. A" M因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
+ G! Q/ I3 N+ t4 y x# T. [: m最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.# z) s1 @; ~' s
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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6 u, }0 C5 ^3 @8 ~- s9 |$ z) t, ^[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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