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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
7 E( V) Y9 P0 V9 k4 \我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
, {7 x7 N9 ^1 E) MPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD) p1 g$ ?# g' N% v4 P- _$ x
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
1 Q* R8 ~( n2 W9 c1 S% S這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊7 S0 x! q1 C. M4 N
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input % ?! |/ D6 v$ ]- C0 q; w( n2 |
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重( ]) e& d* A0 ~, y
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.* A" y# c3 d( g3 s
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing., a9 @. I9 ]4 a1 I( q1 ^
' }0 H* e9 }" ^7 n% |[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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