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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer): P' B0 G, a; I- A, P6 J- }
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND, d0 n9 l7 t" x
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD2 y) N# @( ^: g. Y. W' f
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況: [2 @' ?3 R- A+ _. |- v
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊/ X; s0 m: c% h( r7 H: ]" r2 \7 |
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input : z0 `3 J' P! j6 Y7 N
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
2 T( R' I: e% G: P, K' K- o* @# _# c最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
- ~' ]& C) q, w9 [6 R# ICascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.$ E$ d1 m1 ]2 z$ i
2 W, x' c8 b* _2 k3 k- |[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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