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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
; d7 t" O7 @, N0 w4 v% m/ N我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
( C! `2 v' m$ B# E. ]PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
& ?' T9 R) C9 z" j9 g' B但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況; K& J( v3 b% ~7 e
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊2 ]% T4 m7 T! k; f2 ~& O
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
/ X! F3 {0 g; O' a因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重 K0 U/ F' Y+ F) I! T. W$ Z
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.+ b& r! c# K6 Q ]; I6 P
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
B/ o" Z7 D* b. q% r
1 v# u$ l: f: [- T- J[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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