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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是" Y. q, G9 K! O% l& }
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難& T5 J) w1 O$ c7 [+ q0 {
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
# h- q, N7 D: F/ J# k須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
9 }7 Q# c3 M# j# l$ A; O, G0 a才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
) Z2 x( P' \7 v, f錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓  b- [. c! m8 F: k" H/ [
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
5 W) M% m4 o# n1 u. A  O. |下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。6 ~" V  _+ m% h/ Z  K; I. r

" `, G/ Q6 r- D: B如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
( C' d& J) z6 p我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND$ _- h7 w5 t2 _9 V
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD* j2 V, ?2 C: \" F
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
+ D" @3 P# y) `5 Z/ R9 M4 ?; T" O這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
0 i9 d( O1 }8 J: Y: Y8 c6 m1 l都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
) L' X: {: o: k4 |& s因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
( w. ?3 V) q+ p" e, R& a9 H最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
# w% G6 s# J6 [& N8 K' ?Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.; w6 r" S& L2 ^

$ e4 T" W! H$ B* f[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
7 ~' y  l, J: B6 m3 J7 [* u- }都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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