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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
) {6 ]' o1 S( f9 G0 `1 u避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
$ f  Z5 k0 V# `1 M( p, Y# R9 _2 a了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
" J/ D  b  F, Q# t須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區: C" O* z  D& R8 Y4 v
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記* o! d6 i$ {# ~8 ~% W1 H# `
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓: f8 G9 z- R6 y1 _  k4 Z2 @; C
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況1 m4 k6 w$ D  R; z: S1 [) ^6 d
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。! e) L, x% K9 p1 r* O! c
) n4 i" \, A. z# @9 h. Q
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
% H+ Z) K2 b  k+ y. M我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
  D: {4 P/ K! dPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
; j5 p& U- D7 m: R$ o7 t但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
# t* B2 k7 t1 ]% D這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊# Y! G# N  `) L8 u
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
' g! \) f$ h4 Q0 Q2 p因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
' w( D" L# K/ M3 Z3 l最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.- j$ u; N/ n- ^5 q- [
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
: d/ \% @0 Q9 m6 L; C- H+ |5 E% j  y. s9 I1 W
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
; Y* c, j: B5 P都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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