|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
, m# v# p5 u# ^1 J1 [' B6 W$ g我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND$ K z* l+ E" r6 e4 M, k; U, ?2 z
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD W2 ~: L% S2 i9 C0 P0 {/ u
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
& K8 y( ?- a" [7 Q這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
n: @: `$ N2 E6 ~2 n都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input * {" M- f6 |0 }2 P( g
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重8 y( ^& Z8 {% R! ?4 T9 j2 c
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
5 G) q3 m5 l" rCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
# y, T1 {) D- Z+ B: }6 _
' G) J$ Q9 z* ^. z+ v; \" F# M[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|