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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
3 y, f; Z- z2 _% ~5 p我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
; V* M' t6 e5 C# I JPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD9 P" s% [2 w6 y
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
* l9 I0 M" O" ?+ @這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊0 L9 T5 B, M4 E/ y
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
3 B3 `* D4 n9 E; H& G4 I因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重" ?# e# ~: I% Y# H
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.+ y' W3 g$ n {1 i* F
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.+ W7 y. D/ n" {1 ?" V
) ?/ D. P. e# Q[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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