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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)- @8 o# n a) o( _
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND7 q# W+ j: v6 Y( d) R2 L( M
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
2 y" J6 z1 R" o# I, T, o4 d4 I但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
3 r" R6 V2 v+ i0 F這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊$ y) K5 U% @2 P5 `: v. w
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input $ C8 W( ^- j0 b
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重% p/ x. ]7 Q! @& F8 ?$ ^1 P0 d
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
; j4 e: D- C' r$ `; MCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.. _+ J9 L9 W" o7 B
0 |. p9 r7 V% M1 s[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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