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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
1 o5 y2 F, K" @/ J9 e; l我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
. T5 e$ f9 W) l' l4 @: PPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD+ I; @, P, s( T
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況- K- ^2 v/ | K' _
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
' l! R C' c( c- X- N* A都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
) _% X h2 S7 ]因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重; Y* c5 I0 \- P4 Z: q
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.1 B c6 A5 ~$ w9 I( y b
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.- g5 U9 i! m1 T, r, v9 c* }5 O, z( C
& u5 \* F$ C1 I7 f$ y! G$ }& c
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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