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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
4 Z) {1 k* I2 Y2 F我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
9 Z0 N' C$ C' C$ o2 V1 I6 d9 \. uPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
/ m4 S' t& L- d但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況. B' e/ S2 T9 j( a
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
7 f, e; [2 R0 w* }: _都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
* I6 h9 l: c, Q7 l1 v0 Y" w% m因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
$ f3 j3 A* M/ n最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.8 H* B1 c" o- @9 B2 ~
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
1 @% E1 L7 e+ C, Q& H6 _7 ~6 J! ?/ w7 s
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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