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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
' H: R% [5 ~8 k. K我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND, }! x4 V- T7 T" _: ?4 c
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD$ O9 K m7 l7 S; [
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況8 k* }# d: R9 v% |5 @
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊2 S; n B) I0 O
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input * z M5 K- f7 M$ C2 A+ R/ ~
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
) n K$ Z# [( k& U" a5 l最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢./ Q9 o' C& U8 O! ~1 @ H
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.3 i! G. U: P6 A* y; j9 i, [
; l1 M1 y; J0 |5 T ~+ F+ m( ?
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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