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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
2 P8 ]& }! J, |1 o我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
, K2 X' p: v0 J6 p) GPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD8 A6 R. N+ W* w) i) I1 n0 G
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況9 E z/ y8 \2 ^
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
8 A1 q: V) J; E+ M( e. W3 n1 B都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input - n6 r1 O3 A9 O, B
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
, a2 C" U9 ~. [- ^9 D5 l- w4 x. N6 h' ~最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
% `3 \2 s: E8 u( o4 ECascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.( ]" o6 [2 Z2 z$ Q4 Q0 l
. a2 g: ^5 x `( x4 d% F+ c- I5 h
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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