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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
" Y7 n# O" c0 f- `! V" o我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
7 @; m; G7 L9 ]+ ]# RPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
1 A* Y( M( v/ _0 \% W$ } ~: W; I$ l但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況& a7 ?1 W; V& h' b! g" s
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊! a) a! A# ^. Y
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
0 U" V/ O; s% B6 q% z% N) p因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
7 {, i' k% |3 z: C, B* u. i最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.) l; I; L Z3 @) u) g6 l0 ~, x
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.5 ?& j" U2 J# _" r) e' n3 R8 i+ B
# ?2 j! L2 ]' @/ L: E1 _
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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