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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是; ^6 i' b# J7 ]( l; W+ Q/ }+ H
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
0 m) j" x' o6 S* ?$ A了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
, Z; R+ e8 {: i% _* Y4 V須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區+ c- C* i8 {0 K3 F+ [" V" r8 a
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記* ~, i. C0 t9 e& t+ @
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
1 W+ f4 `1 W1 R2 Z( z1 t不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況$ G+ j# b6 Q; l3 @4 E
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。& k1 w7 |8 n3 p, M% K; Z
) o& e/ _  j4 d" T8 v
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)  _( u9 W) \# ~( E, k
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
, T  p7 e& Y7 n. k( @) O9 WPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
) _. c1 u& x7 T# j  `0 _$ t但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況& s3 e0 x5 f% t2 U1 y  s
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊% S1 a" o/ r: u  A0 G0 t
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
1 |- x8 Z2 ^+ ]+ w; Z因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
6 E- [9 e; V' x* n1 S9 a/ U最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
) \" R+ f# a' L5 H5 JCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
; }4 Q, n- D5 w8 ?/ a1 J2 R) X' i/ t( ]
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. " m# Q4 [3 D# z
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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