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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer) o6 M) _, P3 n: s
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
9 M2 `4 d5 M( k0 }. w: p, o6 y9 NPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD! p% {! s/ z8 [) X: }
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況& g- \! d' Z+ m! {6 ~
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊- r2 }+ t4 j/ a# |9 I: c# ^( _
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ! k: \6 O8 s+ E0 B+ M
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重4 G: {3 Y' {$ [$ q2 ]8 F
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
6 I' w$ `/ y3 vCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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