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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
4 G# h* I; L1 D+ y/ t6 X5 l( I6 q我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
" R$ ^0 f/ |; M% ]PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD/ D. e! W, w4 Z) b1 d z* }, ~. g# `
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況1 [) c* A! p; N+ C. S; S
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
7 I' A* q- n; H5 P/ a; B/ Z都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
3 ?8 o/ Y. D8 `2 Y' U1 w3 E: ^ P因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重2 }' t5 A" j1 x9 C# R
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
% z/ d6 l; Z, z" p5 l$ r/ i Q8 b+ mCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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