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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
# B( E4 O0 i- @. r我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
/ F+ n. _: ^+ x3 PPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD$ M* ^' B) b0 l/ C5 ~
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況/ y9 l! L7 v: l' o: K) |6 ]8 ]' M
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
$ Q2 J+ z$ v( S I. h) Y5 O7 k2 h3 u都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 1 b2 N( @1 P" G; ^) B
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
) z+ g, x& X3 R最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢./ \0 L* C( \; d& ~/ p! @* s
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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