|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
$ S6 P" [) B+ {我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
' ?: p/ a, c3 J" N: o' LPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
: c0 E6 `# Z# P$ r9 c但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況+ S% a% S" X' Q& D
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊+ D5 _% O; \5 X: O1 b3 K5 Z
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input # B6 P. @3 f k4 G6 i& j3 K' @
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
' F1 ? J: d; V L/ E最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
- V/ b0 t+ K( A0 e3 f- yCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.2 p) c, t& M, B0 {" Y. |
0 V5 N3 y" H1 S$ i$ J K[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|