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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)1 a2 I+ Z3 G6 n/ K
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
* _4 X6 o) G' zPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
) ^! Y5 T: R7 ~3 N但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
9 A8 G5 r/ X/ o7 {- H這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊6 P4 i. x0 b! x/ q( ?; a
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
3 t+ [7 h) ~* |4 e因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重. y* M2 w- y; y' W6 A8 l1 z) X5 e
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
$ {) y5 p# v/ D9 |Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
0 S9 R* y% u5 v( k3 N, _) `- _* X) v1 i9 L
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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