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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
) f9 \" I5 c7 Z, `3 W% ]避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
1 N3 T* h, m8 E1 |' G( R5 {- Z了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必0 H4 D: k" f; \/ Z  q
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區( \, b8 l2 d5 m) k) s
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
' `- d  \% C, o5 H9 W+ ~錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
# y& A* J2 O% J8 n不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況6 e3 X. ?; y, Q( _( V0 C3 H3 ?
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
& k! x. L& l! Z1 ]
( ?; D& z) g! M( y% k如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
1 o5 y2 F, K" @/ J9 e; l我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
. T5 e$ f9 W) l' l4 @: PPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD+ I; @, P, s( T
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況- K- ^2 v/ |  K' _
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
' l! R  C' c( c- X- N* A都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
) _% X  h2 S7 ]因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重; Y* c5 I0 \- P4 Z: q
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.1 B  c6 A5 ~$ w9 I( y  b
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.- g5 U9 i! m1 T, r, v9 c* }5 O, z( C
& u5 \* F$ C1 I7 f$ y! G$ }& c
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
' a  u+ c" d4 S都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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