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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是/ W- G7 \) ^1 v  a" h
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
* {- y9 T3 W" N6 X! ~了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
+ b' Y" ~  m% E8 ^5 i5 C須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區% q) a; c% g7 c' A5 V" f$ Z" w1 f4 H
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記  ^# ^/ d, K, _/ j  h' l6 m3 o2 i
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
1 Q. j+ b6 _8 o* b. c不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況! A) |) G. d6 W) u
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。4 M4 G- M, m( F, g

$ I) f0 I- t& w7 }, ], t如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
$ K% W5 ?7 Z- F我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
% W; y' [8 W5 I5 `1 X; p# }7 SPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD' u( e3 a# e2 J6 _# I* q% O
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況' v9 U8 d8 A- `1 l: V1 @/ J: g
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊6 ^' z) Y: [% L% {$ ~& }8 n$ ]
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input ( }8 w( Z. F( r+ s3 V
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重* i6 X7 r+ `4 P# p% U0 N( ?& k. U
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢./ b! x4 U6 F! E5 B8 ^+ P
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
$ P* U4 M% Z( ?- @, p# ?& ?
9 E+ t  P( X% `[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.   i+ y* j" g6 v* [8 z& A; `
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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