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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)3 |6 _, D: \% {% |
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
+ W6 f. @2 }6 N- s% o9 r1 |% CPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD% l! g/ L: k0 l. D7 t' B; J% e
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況; h3 f% F4 ?) G$ m" ]/ Y5 d3 w" q1 ~
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
) p& _6 e0 A& ?3 a O& O# J都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input & y& w( j7 L- k+ Y* i. s* V4 s0 k
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
8 Z' Y$ @+ g( {) I* X# \0 G0 W. s最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.* m2 e* V/ F) w
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.0 }: ^$ L$ r2 ^
: N9 @; G3 @0 b, @; H) j6 }# R6 V[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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