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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
% e O* J6 Y8 `+ Z' y+ o$ u我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
% w! P# ?) c( p" r7 T! C- u% wPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD& z; c* t/ N, e, l3 a
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
! n% F1 w$ T( H X |1 _( ^這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
0 @! ~; L$ v3 y0 s6 l# x. H都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
) C% y# Y" U5 A4 G( O因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重, ?4 o5 |3 m8 Q# V
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.# y/ B8 O9 m- A" ]! t" R& W
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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6 x* @; w8 F7 x; t/ O" G[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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