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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)& f+ r+ z5 Z! h5 ^2 k
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND0 h" J2 H4 L) |
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
' f, o* i9 z' G9 U: A1 n0 |7 S但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況2 m: a0 V1 j, T# {7 l7 w5 t" Z6 }
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
# @* {1 |: E' E都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 5 N" A5 t; o0 w6 M! @. K5 k% j8 M
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
9 l' l* f1 q0 p4 D最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
- W- i' j8 M/ w* E3 zCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.1 `& N$ L, r9 W/ V/ u
8 V) u; Q4 |9 q4 W( P[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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