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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
7 ~7 w5 N6 a  O! r# E避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難4 q' P& }- s8 E% d# Y% s, ^7 V
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必5 L$ b% ~  U5 \1 d, D
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
' y/ N( P- r2 g1 ~, u- @: m才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記( w0 H- |0 W. O5 L2 A+ I) {
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓8 d9 K8 P$ ?; F
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況4 H6 F9 z: y6 P6 V) {
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
( I0 q# Y2 f* P0 P6 i3 H9 Y! L6 d$ R0 M- L
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
1 S3 `: p/ U+ y  F" c我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND7 ?$ X. g4 R% h  C7 m$ n# k
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD% z2 w& {% L) q  R: x5 t2 q
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
) o# U. g* s" R# d! N這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
. l, d( i( l8 I8 l% Z都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
' Z$ ]" o6 l8 F- B0 w8 G' n因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重* f2 @. i# K. w0 H" G& {5 @* c3 m5 ]. M
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
' V, A' G5 W) J2 L7 K- nCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
' T  V3 H  A( @) W
6 m" x# K' Q# ]& n1 [& ?[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
: O, t3 s: w& Z% x4 u7 O都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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