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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是2 P6 ^$ @' ?- U2 f+ [& x
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難1 X  N( H  G4 [7 g' y
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必/ i, C! f* I5 B( q  N! R3 C
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區2 ^" j4 G' p( i7 K( J
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記8 v3 B1 H/ t: E3 i$ A* \) g8 ^
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓9 B: v6 m) B/ L
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況  p- ?5 j2 i3 ^" Q$ s1 o7 t5 c+ \
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。- d- B0 l2 i" K% O

' t: g3 M; l1 E9 P如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
* c3 i+ Y+ z6 ^2 z# [0 ^. @我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND4 p% [2 h: T& {9 W- C( N' @6 i& D
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
6 R8 T% }" j" u, f6 k. U  A但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
! m' B8 S8 M* X) g1 s0 g- [這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊3 [5 T! A& Y: `5 O% j) r. y
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
9 p& j, L8 p. U2 q8 _因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重2 _  w7 S3 G  @
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.0 Z# N7 T! r. ]7 Q3 x' t
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
6 e' T$ ?6 K* c8 ~# W$ _
  ?$ V/ G# j6 `9 V[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. - I" W  {1 G& L7 e" {
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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