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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
, _% e  g& O8 y& g- R, l9 _避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
9 x# B; W' p4 b了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必9 m+ n- f" R& n% @9 ]1 H
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
5 ?9 }3 P: n- \+ ?& ^0 I# ?才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
, l) r% J+ G" d  o6 Y錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
3 w. W$ J7 [# h" C! K1 _! x不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
" M+ S; x8 I# N( N. W下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。% I3 {' c/ J% ~& T- }& L

' F! h" v: }$ {( e. _如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
+ r8 T2 N; K' c# ~% I' b2 O. [9 ]我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND+ `  c& `& X" F
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD& O% ~- X: ]7 M8 d8 p, D7 [: z- `
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況8 p- |6 F6 o: I( A) |
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊& r' {3 g' b% k; ^( Q
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 2 w& |$ |" D( }# d- R1 f1 P& t4 |: L
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
0 k+ W& Q5 O1 m, C& j最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.5 y% H5 F9 C# P" E  C0 J* O
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.% ^7 W3 ?/ I0 V2 `5 b4 ~* z  a) ~2 D
1 z. m( j( b+ }2 E) F6 e( B0 J
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
4 d7 u4 n0 h; @都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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