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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer) _( u9 W) \# ~( E, k
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
, T p7 e& Y7 n. k( @) O9 WPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
) _. c1 u& x7 T# j `0 _$ t但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況& s3 e0 x5 f% t2 U1 y s
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊% S1 a" o/ r: u A0 G0 t
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
1 |- x8 Z2 ^+ ]+ w; Z因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
6 E- [9 e; V' x* n1 S9 a/ U最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
) \" R+ f# a' L5 H5 JCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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