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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是& G5 n8 B( Z6 E4 A- T
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難9 G* D# G5 v9 w  Y3 R
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
9 h6 F& V+ D# m7 j# k2 s須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
5 A# F' D( t  F5 n7 n; M才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
+ [5 H& E; A& _* l% {( o- D( H錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓' O5 |, a% X5 h/ h
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況; K* Z7 m2 p0 m& p; \+ Z
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
# C) p/ s# i8 q2 V1 @3 j) C: M" x2 f9 h2 V5 y) N
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)( |  ~3 H3 Z) Q* `
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
$ a) o% ~/ {" A& YPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD" w5 }' q2 o3 x' C9 z' z1 T* J0 [
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況* D( J6 G# b( s4 I
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
7 N% }9 W# [2 X5 X5 M9 l$ F4 i都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
# s& W& Y4 x+ I/ K因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
3 `8 o+ E9 d& h. j3 Z最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
$ l; a- X4 U  i7 h! t1 `Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
+ e, b5 ]3 a& R. @+ Z# K5 G% U: e& A1 D+ n/ y; t
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
: K/ ~+ T) o) g都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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