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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
& W! {% m' D9 s/ Z% `. O& ]避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難7 n- a2 }: \8 U( F
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
3 F% J+ l# p* r- ^: c% z% t3 W2 u須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區+ ~; C2 t8 x0 x( j" u% Z
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記& ^% ~8 `8 l4 p: V4 ^7 x( u
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
1 B, F  [5 ^. O, A不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況% I; c3 Y$ }( U4 l
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。2 d: N; s6 `3 k& _% @

. J0 a2 e( ?" @' _# M: K' f如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer): P' B0 G, a; I- A, P6 J- }
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND, d0 n9 l7 t" x
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD2 y) N# @( ^: g. Y. W' f
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況: [2 @' ?3 R- A+ _. |- v
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊/ X; s0 m: c% h( r7 H: ]" r2 \7 |
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input : z0 `3 J' P! j6 Y7 N
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
2 T( R' I: e% G: P, K' K- o* @# _# c最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
- ~' ]& C) q, w9 [6 R# ICascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.$ E$ d1 m1 ]2 z$ i

2 W, x' c8 b* _2 k3 k- |[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. : v! _7 {% i* Z  S7 ~) B# w
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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