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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是' Z! |% p! N) \+ W) M
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
) U6 e! `$ O% A. q9 |了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
# s7 _  X6 V8 j須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
  ?* u$ h: z6 D- L7 F& o才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
5 C9 S* n) |7 q( Q) [2 q錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
# `! u; g5 K3 h8 @' k$ F7 `: c不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況& q% [+ o- J0 Y' V! h. M3 w
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
" Y, ~* k1 s' E2 z9 s" L0 O* ], h9 l1 Q: \8 m
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)/ i, U# Y- L" V8 f6 V/ `6 n
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND5 r1 Z1 J( x1 b
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD& x' ?7 i! g% o) ?* I+ _6 W( Q4 E" h
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況! T: Q, c$ M$ j9 D4 N% A/ V
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
$ F# P7 D8 R( r: g2 b) @# e# [都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 2 _- ~5 e) E$ q2 v& e8 [
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重: @/ b7 w! f' C- o0 F
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
1 Q& [( ?2 `6 T  T  ?Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.- h# s, f/ L5 I9 w

; E: f: ]9 f9 c[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. # C1 V9 H/ P5 {- k/ s7 z4 ~3 R
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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