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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是/ @6 I- N9 @; y0 G; l1 l
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難& A5 T# J, I3 p. t$ A: `
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
. R4 K$ c1 ~- E$ w( j! }須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
3 G5 O) n8 o' u, e+ L才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
. |" s# h6 t. B$ G' s6 u錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
" L  \" ~% t; V1 [7 G不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況3 Y! m6 f. ?% s. {; |
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
: A" }6 r7 i' F8 W: }
! P' [/ z% y0 x; w- |如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)1 d: Q+ E+ r" E* X1 {6 J/ x
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND0 z8 }2 r, g# {5 p; L# r# T5 I* ~
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
! G  ~( z1 c; V/ h' T3 M( ?但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況( |; U+ P+ M% |* o) F
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
! Y( v. E' w) _$ b4 }# [* I都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 8 B) `2 C/ n3 @7 e8 _9 [& W
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重, Y7 |  s: Y3 ^7 ~3 ?" W
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
1 I7 }: q  W2 R6 X4 X/ H4 O" HCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
' h) r- N% ~- X! s$ T& g% R6 F6 L) I: J
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 1 R" l6 b% G& o, w5 [& m2 c% c
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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