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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是0 G& U0 z' A5 h3 ~
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
$ j$ B# U5 T7 s+ i7 n$ T0 \- _: o了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必+ b( ]9 y$ L& _0 v/ a; U' g' |
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區; M9 B) j& d- K
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記+ r1 J, P+ k2 a1 k
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
4 E3 j& n; Z$ f- m! B$ v# l, g2 Z不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
  I# J1 v! m2 x% X2 U9 v+ x* t下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。/ @; \1 |! {$ h, J

- h9 @- o9 x4 A! p4 I3 S* L. r如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)  o6 M) _, P3 n: s
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
9 M2 `4 d5 M( k0 }. w: p, o6 y9 NPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD! p% {! s/ z8 [) X: }
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況& g- \! d' Z+ m! {6 ~
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊- r2 }+ t4 j/ a# |9 I: c# ^( _
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input ! k: \6 O8 s+ E0 B+ M
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重4 G: {3 Y' {$ [$ q2 ]8 F
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
6 I' w$ `/ y3 vCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
/ f$ X/ _$ i) T/ ^" U. F! q' W! g2 {4 ]+ u& t  {
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
) x# u  w3 q7 r' ^都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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