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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是3 w, m; N. X( f" S6 T% g4 V, C
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難3 g  M0 A0 d% T0 F! W6 e, v' ]- \
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
/ T! q3 ^3 T* D4 C- j6 |須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區2 C- P* _0 i7 F- w6 o
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
- y7 P  p) q" r' I5 z錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
. L- |  h. M; s% C* b# c5 M8 Q不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況1 P* R' e7 ^, l/ v
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
: m2 A4 g( f+ g5 ^, \; W) Z! _& }% j4 j1 }8 b) U
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
+ J! ]9 a& z# f我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
" S% g6 L7 K8 h% WPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD. F3 j2 C; g+ B* s1 O" D& `2 U8 V
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
% w$ r; `$ g4 \' ^% h這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
- v( |9 ]* `' C7 r7 T6 H$ }4 `3 L0 l都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
9 k+ U/ }& D% o, f+ J* L2 F$ g9 P因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重5 m0 C5 ^- v, b' l/ S! n
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.  T- s7 a" f5 T+ y
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.9 n) @! M8 f  r; v2 F
/ ]) T5 V$ H1 ^& X' Z1 P& h$ B. }
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. , S+ y+ O' j4 ~, P4 u" m* V
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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