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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer) |2 x A4 \' b# U$ m0 a {% N
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
4 M0 C" s# T, _6 r- c8 ~/ P$ F" EPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD5 ]+ @2 d# Q7 R# ~# r
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
7 e2 E2 ~' v x9 d這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊- f$ u! a3 c0 M
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 2 y% f$ I% k, R" \' b# V4 P
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
$ Y7 h! a/ g; U最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.6 Z$ P* a# S k7 |/ s
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.9 z9 l/ c# e0 u2 o# f, n! \8 n; `2 X
6 O! ~" Y9 H3 ]6 n, i% d/ g7 T
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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