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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)+ C( g2 h& O: I% \' e- l
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
- D+ c9 R3 i( I. BPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD* z$ j6 K7 r$ z! ~2 f3 r$ s
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
6 q# f+ {/ `, e7 A這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
) V1 d/ f: d' D. @# {& D b都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input : }' D2 \) A7 |$ R+ O2 n
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重2 y0 w* t G \$ ^
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.1 G8 H4 H! f$ F3 ~/ l
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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; |- l+ m! W- {6 x; C# Q( \[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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