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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
7 w" t5 K* K% g# N我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND6 s5 g9 h, h7 m) Z$ Y% N
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
% S9 |/ H2 h! ]+ T' X8 |但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況6 \8 X& F* i t- @& z1 p) ^- G2 [
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊9 G3 A7 x1 D" s: w, q, } X0 b
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 2 ]# P# D$ G9 K( |+ M6 Q
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重$ W4 u/ b1 s+ c6 Z' K; s
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
; W0 ?9 H' O2 D; M+ n% l+ [0 X: n/ MCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.2 |/ T+ X4 t! D6 [$ A: Z
9 ?8 ?( Q+ Z# ?3 i: K" \8 t[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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