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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
3 \2 M+ p; y D% j. Q% h" D我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
# ]: A7 g* j+ [' h5 OPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD; l. R8 U: s- }1 n6 i, r
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況, f$ @3 i% l2 o; O; p& r
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊2 U3 @- A0 V; V1 `
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 8 T$ H: t# E7 A# k2 B
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重/ B# D r8 s. d+ A
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
) k( K' J9 c; V& [; a2 F3 A6 FCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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