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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)) c- D/ B4 {, C. Q; Q! v9 ?; k
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND: F3 G; c1 G, {3 w$ s$ R; {* y3 a
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD. Y. g# ~5 n5 S7 k
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
4 E" U" u Z/ z! I+ e) |這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊: f& H, @3 ?0 I2 s
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ' N0 S# n4 U3 ?- u( ? ^
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
; Z) e# E4 o0 H1 l# Z" h最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
) [" W, @! w8 ]Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
& E, C' ]. j+ o/ R; Q9 b5 ~7 W* V' ?/ Q
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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