|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)$ z$ L* m/ {5 f2 R+ F( B& ?+ j1 }5 P
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND- `9 x. ?. m* u2 l. X% {' y* j
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
! M( a/ ^& }' s& l' i$ U5 r- V5 ?6 i但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況2 a. [0 m: ^+ e/ _8 L
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
: q1 d1 _+ b R都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
! Z) C; m7 j, z( Q, a1 \. t- R因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
: c3 Q3 ?8 g% H, B6 _2 N最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.- X/ {2 Y. _* t- j- ]! ^% Z
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.7 j9 n, V# m4 d; D) E5 t- ~, w
4 k) b! s; \: \[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|