|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)% J/ E4 K Z( y5 [$ c
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND5 ]4 P y: {" r' E, D$ R2 r1 B( K
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD4 p9 m/ Z0 e: p N
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
: E3 b9 Q9 O7 k- n- s( g; v這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊+ W2 u" I" X: ~& d
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
4 N- c6 [8 v) s0 C因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重8 N2 W: H: @, c% M5 ]3 ~# G
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
7 [- J/ Z4 W& Q+ n# M- _* YCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing./ w- S$ Z* q9 |6 B
) W0 b; d4 L% u0 h* Z8 a
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|