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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
7 v; r3 l$ ?0 a1 x8 u我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND- L) H3 y8 K2 b
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD4 f7 _& K5 z9 ^! r7 x* r
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況- n& i3 o( \2 V+ @7 x. B
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊# W% F, S% x/ i d' S3 W8 y
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 6 G9 o& O1 E8 g# Y+ v
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重+ T. q$ R: C, ]5 F; Q: L l( i% [6 K
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.9 A. ~# W) @0 k! s; D4 w/ V2 Z
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.* B @! u S* f c4 K3 p" J
+ ^# _2 }# B) f. r& w7 A[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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