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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
7 y4 A f. V' f% i; j7 @+ T/ ]我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
3 H) I, W2 p. o dPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD: O1 v* O9 ^9 P2 i+ c- x+ R
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
: o4 F6 O7 W+ j這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊$ I. d/ b( J8 D+ r1 G2 f6 o
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
. M% f+ a6 \% |4 b' `3 T9 X+ v/ Q' C因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
/ z6 ~, W: a$ C% w; C) C4 o; z最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.3 S* I9 G( Y( |! d. O5 ^2 |3 g
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.8 J4 B8 j# G5 H8 M
5 p% W( ~/ _# O5 I4 P! L! L
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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