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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)- u4 Y! N+ L$ q0 P3 X4 @
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND' T; x0 i" U/ U2 q4 H, k. t! r
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD/ w0 n0 e3 f1 y5 G f4 @; F
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
- }# w- `6 |9 D3 k/ o這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊0 u, l9 I& t, | W8 }1 a. K
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
: w! P1 e! i) Q* `* X) I- O因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重$ u3 W( U" \8 q L; _1 h0 p
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
6 d. X* A( E( L) fCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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