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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是2 W# S, f5 q# J2 d) Y5 [- j
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難/ e/ B, w- q( x% b- D" j' h
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
; }5 E9 o- ^- O' }* _! r4 w須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
' Y: g4 @  U. h才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記0 Y6 i$ R% S+ I1 U- y  G
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓& r7 m& ~1 P! W2 s2 e5 y
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況; s7 R* V6 d* F
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
7 o6 o! z& T! U+ q  N$ W5 ]9 S* ~. u/ D% M
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)) D3 O# c- ]- k$ @7 @) ^
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
" D: @4 {' D/ c. A) X+ sPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
) P3 }+ `. q  y% k( q+ _* w但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況! Z2 C& r  y& i1 @* u
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊  Y3 _5 }+ t! L; @7 K
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
) m3 _; k( l% U# p' Q因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重8 b  D- }1 P0 z# Z; Y4 ~" e1 K
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.+ D5 X9 s3 G0 S" y% s
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.0 F/ o- _$ `0 ?- l; l1 a

3 @& U0 g! k) ?7 r[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. ) P% r; ?/ p& n6 E
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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