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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)) k1 O- T9 g1 o
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND6 J, @( W9 G* W9 m N0 s4 {( ?- U$ V
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD( i+ M. d3 Q6 @6 `( n, M* A9 _
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況0 @( T$ W h! m3 `; S- t5 d
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
$ f* K/ I) O8 Y; B! u" t) x9 W都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
0 h& f* y( M5 ~& E; |0 \, y因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
4 W: U( {: _6 A4 g2 H" _+ t/ z最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
5 g7 W! \" y- `) I u) m6 l3 |% kCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.: [0 u" h8 A7 O2 b$ V2 C5 X! W" [
; R* K+ s1 P5 \! w: g
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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