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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
( V& s) a, q8 s我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND; R2 k' Y$ h4 U. }1 T! n. j
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
# l) n. p) q7 [5 s但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
/ r0 p ~+ \- v1 m) @這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
+ [7 ? [7 `8 I* O- a都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input + z; \7 J- t' P( \% @
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
: J, c1 g7 [/ J, f7 W" r最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
7 W3 k" @4 A- [0 RCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
' P, w( i( Z$ r4 a3 H, o1 @
* x5 q8 s/ X1 ]( G[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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