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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)6 P3 H9 N2 Y' \& D6 a
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND( a& P4 O( ^9 y5 I0 `0 a# w
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
# o" @; ^( S S; `% B/ |但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
/ b" K, A5 `' v6 E2 o8 r這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
' N3 `2 B2 P1 U4 t7 d, [( `( e, J都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 1 K1 Q8 l# A, u: z/ Q
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
& A7 k; j9 }9 R0 L% Q4 D4 E最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢./ ]( a7 ?) t1 C& S, {, v% z t
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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