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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
7 d: ^1 V# ]! _8 p/ F3 ]避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
: j! U7 M" ^) E: s, f, y* ^了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
/ h9 |( g* M9 x6 B6 H須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
: [  L9 j1 [9 @) L; b才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記& F% b& ?& k' A- Q
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓: x+ ^3 [5 A  R# W# ~; s
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
* i9 Q5 _6 E  I; S- m" i下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。7 w3 B0 ~6 R5 V8 E
4 b+ V( m2 k$ v
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
3 ~1 U9 ?1 Y& h+ n4 P我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND2 p8 t3 w( |' C2 ~8 y
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD% P/ D( `' m5 P1 i' `
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況4 d% T: v+ [' p# k* l' b$ U% D5 A2 j
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
, R! F) w  d  K) p6 C6 \/ R) s都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input : v: }8 {1 u, T+ t, z  f4 W
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
! z) F6 B) Q& M5 ^3 V最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.# ?- m8 ^$ x# O  u( h- e" W9 v
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
$ K" o* X$ T8 R/ V, z& h' Z8 i4 L* E- s3 s6 m
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 0 T0 Y. e2 i& E( ?" m
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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