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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是6 W3 k7 q- f2 d$ o- j
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
# t+ \5 @% T9 O  Z. t了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
( m+ n; ^# L) Z須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
/ N8 c# X/ J6 T才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記* X) h8 }9 l* H7 ]5 A0 _
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓# e4 |' v( H2 D4 s/ B/ C
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
9 }5 o+ E! _- z7 ?0 M: ]下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
# Z1 A6 l" g6 H; {  _
; \$ a$ i1 d# t* A+ l2 h如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
- }* a/ g$ p; u0 i% B, u: h7 L) f我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND! A4 `+ P3 A4 `
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD/ k3 L  f1 {* m# h! x6 x% S0 v8 ]
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
0 _( m% `' v. ]這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊& g: C: G" w) a$ d$ s% @% r8 b
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input . j: B3 p& H' X# x" Q: K
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
2 y; g  l  Y/ K1 n最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
! `! `# @+ S6 t7 ]9 c& \- l/ DCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.( p" _" d& P% g" U4 K' r) J7 R: y6 |
' s% C3 k$ [# z  e
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. - l0 N. i+ z2 _; i
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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