|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)5 a5 d) f* u' ]' `" G
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND0 I# n/ B" x% g! g/ K, x" L2 r. a
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD" `$ e5 c1 c- a4 \' @
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況! P8 u" d: P( G4 x
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
% B0 P+ @3 i: }( I% t5 S( x都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
% l2 X" ]- Q# p3 \( h5 Q. }* ?因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重7 ~: Q6 V9 y3 G9 N' w, l
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
) d( {3 s/ d2 z9 a8 x9 X. M% fCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.% c( k, K, D1 ]3 ]. a3 {) ~
: x: O. N$ E' Z) w
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|