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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
# e9 j8 a. {2 K/ l我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND: T+ v& a( J! p+ ~4 M [
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
6 t0 q( }* G; x但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況7 x) f5 R# z9 K- M$ V( t
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊3 \+ u \/ }( i6 I, `
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
* b, I/ L1 { P$ x6 U: g因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重! D7 f, ?! ]) G7 _4 O0 h+ [' m
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.8 j9 a5 J; T `0 m/ l: f
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
* C& {0 a4 M: f$ |, f6 q# p
2 g' I/ A1 x! Y' Z1 S+ r3 W[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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