|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
7 ^6 R- H- \/ _: p! J我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
, g/ J5 \6 H4 w# G. v# ~6 V0 qPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
8 F) J& T; M6 |6 J- j但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
& n1 T' |* z! g# Q這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊3 a8 f8 H, S, c: Q
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 5 E( U$ x5 z. P- k. Z0 N! N+ J& }0 U
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重) e) s" Y# K5 f" ?4 c2 k$ U
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢., E& l4 x3 l" O
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
$ i: w: ~- @ i+ Y# K3 ^ w& u& e
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|