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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是  Z+ h5 g0 \/ z: q
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難$ M7 O: q( _3 W$ V
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
* t4 b- ^: E6 ^+ d7 [6 D9 s須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
' S% v$ s! t4 u2 n- W/ a4 m才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
9 I2 [- c0 j6 S( h錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓' q3 N2 v* _2 G7 {- c; N2 S
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況  P0 t4 |3 y" @; k% P! m
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
+ d# z4 ], E9 c% V+ l: M# \5 H7 i1 [: `/ Y0 l  c; G
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)$ Q/ ~8 ^8 K' X/ ?% d" E. X
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
9 F) m, s4 j" `8 z. H: y5 M! SPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
. P9 D8 u5 Z+ J. H5 q但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
# Q- F8 I2 e4 d- c7 ~這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
, ?/ |- b' U# e都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 9 t8 Z5 F$ H! q
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
  L) [& f3 J. Q4 k+ s最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.# z& O3 l' a9 W$ @7 r/ ~
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.7 H7 V0 I) ]7 C- ~7 Z6 S" h

( K/ Y' Z; q' e* c5 S[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 3 j7 B# p; e9 T1 ]  C8 w6 x
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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