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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
% ^0 T" I& D3 s4 A: ~: k0 v2 o我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
. ^% i& @- K* q6 cPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD1 R% p4 ]" T/ \& {( t9 S
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
: G- E9 `( ~0 T/ ?這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
4 Q# M( R; y! o+ R都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 8 Q ]+ V* F9 u
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重* g O3 y& w) o% x; K% n3 E
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
c5 o2 x. e p! \0 J" xCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.) M8 R( [# u' L! t. C
, E- D8 v( @- l9 B* P0 e2 r
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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