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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)5 Z" F# T" J# |" j
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND8 Q, t" b3 T4 ]/ c
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD8 o) z( M9 l. k3 }& z" }; p
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況# T3 `4 S- w" w6 F' E4 F' e
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
1 ^2 P: @" T; T$ K* G都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
$ X5 w6 |: o) Q: K因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重" ~1 A a- w. N1 l5 m( p4 K
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
# v \ P/ t* c& r, eCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.$ g3 d4 O: L# |, C5 H3 g
( n0 n, y9 O+ M4 A3 Y5 D6 a[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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