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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)( V5 N8 |- Z6 K1 i1 j3 p" d
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND! C3 d! G: f" ? M* V( W% V
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
8 H8 m- I0 s; w9 x, o+ R但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況/ f! @! l3 v% \2 p. R
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
, U2 Z6 q2 r9 e. A# i都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input . P9 H9 E! `1 Q1 a a* J
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
/ N6 z0 b2 h6 @+ [/ Q6 ~最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢./ ~; s9 T. Y x* E
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
8 C5 T' S6 N% G. b) E: Y8 |% e" Q4 Y9 n, G) ~/ w$ ~: R6 _
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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