|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer) _2 W. t" H, Y4 a% q; `
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
q( ^; l4 I3 m% VPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD: ?9 J1 r' F0 w4 t, u' q
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
$ q6 w5 a/ b; W8 h3 U( b) |這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
# d" }- m. g. D/ R都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
4 H' w2 t* X/ X; A. z因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
& G3 {+ J# Z! _& y }& l最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.$ p! I8 D; W. l
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
( ]: e( I4 I% Y% n! K/ O4 b: x& d+ e7 _' `. [
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|