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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)* l% e3 y! j- e6 j1 Q3 _
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND+ l% \# _9 V W" a( c) [
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
$ d0 h k6 i* `4 S但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況2 ~' d# t7 _5 Z( e2 d6 I! n0 N' h
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
! L" u( y2 x4 Y9 G都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
) Y9 ^7 ~" [7 {- K a: a因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
1 a, z C' z$ u8 J- [; t9 U6 c最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
& r! ^% Z* v) W. @Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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; x' E: w9 ~7 L5 N% m[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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