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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
8 D9 y* f( d6 }' v: q: Z我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND* [+ M9 @2 V. n5 l
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
6 N% q$ q* @6 v, g$ `& ~2 p但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況: C7 Z9 T; O: q @) Q9 l% A
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊# h- O7 u( o4 u4 ^: A
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input " x5 P# g4 Z# P( v$ E6 [
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
1 [- H; b& z4 v n+ a7 j, `9 U3 ~最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.0 g3 I& F9 J1 U1 K9 ^ o" w
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.; D% \: x# X% ~3 g! S7 ]
9 R& J& Z: A5 p' _) k0 o/ `/ n5 [[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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