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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)5 c o7 D% e9 ~$ w: f& F
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND0 f! T: L" w1 E+ N; G+ v6 _
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
' f) N$ [$ r; l7 F3 v* _但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
" q$ \" R; X: L2 n, G( P4 C這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊0 C) `$ g; L5 J2 ^/ r& |# i
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
, r1 g$ p" g/ G5 x* h# P4 J, u因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
2 t3 j b F3 @ W* y; e$ `7 B! n6 l最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢./ P. A. w9 X9 ^0 B! @
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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