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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
2 m. f+ C2 j  p% e1 H9 z5 L避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難0 y2 S' W/ ]% G% N
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
  b2 l* l3 }$ X0 U- \須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
# R' C& q5 J) B# [5 U  ^1 ~% [才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
# A. F/ U8 j2 S3 s錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
7 X, M1 }# Z+ u' S不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況4 G# T7 J) q% B  R% t6 i! D
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
, n  v4 V! Z% e$ O7 Y) E
6 k" K3 b. ?2 y如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)3 D4 y& Z/ D$ V; {
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
1 X' }' \( B7 fPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD5 P) {, `0 A, A
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
3 b1 P2 h/ \& q7 b這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊' a) K& B4 a$ u5 V
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
) t! T5 C2 M! J: ]因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重, Z# W6 j  k+ T# ~$ ~$ Q& Z' f8 G7 p
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
. Y- F! Y$ S% T: LCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
5 Q$ v8 k( Y+ m% U; |% q4 F
/ h7 b) g- Q9 \3 a; c/ t2 ^7 z9 y[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
6 n4 c/ S9 w  [* Y4 p都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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