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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
9 \* n; v7 x: K. f' g% [我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND0 x. H# f0 U4 E, f7 l L
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD, h1 g+ z) x; a- Q
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
! N$ p% ~3 ?' Y9 x$ l7 W# u! @這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊8 s- h j# x# U0 T: ?8 [
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 1 S* E* k* l' @# ]4 j! x' h
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重2 T' f& w: N! i3 ~
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.) Q* C; [4 p# h1 m! X z; v
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.* S' G. ^+ v& A% \7 S# i7 E
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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