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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
7 y1 u/ o- H# S+ L, k, J1 a8 ^我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND0 v8 I; f0 D! h) j& [, F3 B* ?
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
0 E/ c6 Q' E, ?, Y9 d但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
% g4 C, y2 X* b R# M" w4 G3 D這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊0 f# j8 j. H( C0 h9 {. e
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 0 ?. q3 j5 H" A
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重# e9 d+ p6 W" y, }
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
* @; |3 O4 B" b9 ?* M8 |Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.4 z* J( o. C' C5 [ ]' E
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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