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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
' ?9 B# L7 s Q- D4 W1 ~我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND) t8 D3 @4 m# s2 ~& H
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
0 o. ^. _2 z8 t+ I* T7 e9 R3 P但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況7 Y9 M2 _% [: |3 y4 r
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊* n9 x" D+ Y& |% [$ {/ ]$ o3 w
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input a( K+ v5 \5 B' B4 ~
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
, z/ }8 Z6 e0 ~; K$ A最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.# a6 g8 F+ j2 {
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.4 u' B" N, w4 u
4 Q4 |: U& v* H+ K& U[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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