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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
7 `8 L) B1 I7 W# {3 S& ]' H. M避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
$ K( u8 c: G6 |7 w& f了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
9 R  u9 O" d& e  c$ t須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
' q- C. F4 Z6 U7 E& N. \+ G7 N才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記" }/ q" M, f- j& v1 }
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
, |; H0 Z6 j3 z  @* ]不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況5 W/ p9 G# c  W( u
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
5 W2 ?6 U# ~/ F! O: M
; K7 e0 V- R5 g; C如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer): i: T5 Y  _$ R
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND  ]. G2 g* o, u; C4 O/ B2 O. o
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD0 }9 s% |/ ]( B$ A  X/ K. P. l& h$ h
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
! r9 i" A) ~' B4 f9 A, @這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
" n/ S+ i5 I+ X+ q" I都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
! w" p. b( y  S4 w8 Q$ I2 p4 P8 e因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
* G! ?5 H, I6 v6 Y" I9 q, d: J8 F$ g最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
- U! N0 r6 j9 H  G' h2 @. ?Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
0 n: n9 B3 V  c* {5 x- B1 b1 V4 M5 E" G6 ~" j
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. / J$ L; H4 I( {0 V6 v# K( }
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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