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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)5 b0 o' z* h7 u- m" {5 T' i; _
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
& k) Y( n& u! B8 y9 `PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
- p# M' p F, k& p" C+ s$ @但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
' ^8 ~4 u8 P/ L% K1 ]$ M% _, g. l+ t5 G( b這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊: y" r& @9 E& ?6 N+ t1 F, a
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input * h! F8 q8 |, r
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
9 Q. [$ R$ ^: |* |; e, b最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.1 m# i9 U b+ W$ e( i# q. v# q' C$ p& E4 y
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.8 A. V' d6 ?# t: y
- Q6 _2 H$ {# G7 b, P l[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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