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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
& B; Y8 V0 |- j8 d+ W我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND/ j# a% A$ e! j& O( D9 a7 C, c0 c
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
8 x N8 \: S5 C但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況. o& A, g, j: k7 H" |
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊3 f: d( C+ h. {; x& ]) E
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 5 |4 C. F2 N) U a- F0 a
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重+ {" Z) y8 o1 f. ]. Y3 Y
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.4 [ B' _7 q% a: [* F- [/ P
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
% \ j: e+ {1 x- C+ B0 x8 d& R1 {" M5 d# A
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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