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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
- J& x% p% E0 e# _我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
, g. L8 ~3 L3 u. m, i3 i4 OPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD, U; Z! N7 a% Z3 ` `( {: S
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
, K6 ^1 s) Q% l: i3 L3 z這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
! {. B* D3 C0 d+ u* f都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
0 T8 B. m# _2 `4 q因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
3 [( ?! H9 y2 b( d( F m最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.9 r1 v+ \/ w" ~( ~( f
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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