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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)' n( v3 U0 Z; B
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND: l. L6 Y# \; J5 P
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD3 n3 F* B" s# D
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
" C( O0 M; l! f" w9 M, x這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊0 d! y% k: @! O# s
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
; O3 o& H) Z3 v M因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
5 I7 D& L/ n( x$ V最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.2 m' c/ ?7 S7 L( V9 u3 N6 B8 \1 Z4 k
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
- i8 K) ?% C+ }/ W0 O! J6 c, D% K- x0 G+ P- d
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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