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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
9 O( f) r  d. x3 k2 j避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
# ]. Q" R" G3 {* a. w了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必$ k( H. l! x. C+ F3 g& s
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區3 Y% I$ e' E5 A) ^( {3 q
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
) i* S" D/ z* z0 o( ~錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
8 N' ?( H8 A6 N6 ]不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
9 T  e+ f/ x) B. f1 O; G  U. M下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
' n3 G- B" @7 K. e: S
9 t* L  b5 V2 e. U8 j如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)' n( v3 U0 Z; B
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND: l. L6 Y# \; J5 P
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD3 n3 F* B" s# D
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
" C( O0 M; l! f" w9 M, x這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊0 d! y% k: @! O# s
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
; O3 o& H) Z3 v  M因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
5 I7 D& L/ n( x$ V最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.2 m' c/ ?7 S7 L( V9 u3 N6 B8 \1 Z4 k
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
- i8 K) ?% C+ }/ W0 O! J6 c, D% K- x0 G+ P- d
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 4 f$ @7 s5 Q" s& b5 A- l
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
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