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樓主 |
發表於 2008-3-30 16:34:52
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只看該作者
提供一個之前用的方法,
/ i: B# ^' `% m1 ]: |由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), 5 V s% H5 G8 ~0 S) C
ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)9 T) s' o6 l2 G3 e
在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,9 T: \. C7 B& g+ o1 G; Z: a
VGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値9 Q* Y! ]! ]; G1 y. U1 f
由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)) J, j' w4 y/ n% q& ?( z
在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]
0 i, _2 R+ F7 c7 S9 P由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)
' L$ m- K0 [9 s, h9 {: r- e1 X故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)8 G" H. t5 i5 p4 Q: o
將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值 g" T/ b" R( f* R
KP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]9 \1 h, g4 W& }+ m
= 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)] |
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