有關lamda的值

xyzabc0930

請問一下~因為我目前要算AV必需要知道lamda的值~但有人知道
lamda的值要怎麼下去推算嗎?
/ }5 u5 d$ |9 a否則我的AV都無法調高
謝謝喔
3 T3 o$ b" F( a我用的是.35um

hiyato

其實可以用小訊號電阻ro=1/lamda*Id去計算lamda值
( O- t# s$ b; F4 }這也是一個方法

cicer

KP这些值 在model中可以找到,另外如果不要求精确的话,可以通过仿真,结合公式得到你想要的结果

xyzabc0930

我也有看過這篇
( Z9 h9 g) c0 _1 U, }  hID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)
但這個公式有三個未知數
! ^# m, @/ z/ M/ E  C5 ?ID,VDS,lamda
+ Z; C% y1 h3 g- Q9 n- s所以根本不太能算出lamda
9 c  Q! c& |6 \9 C還是我要把lamda給先忽略掉
所利用VDS1再算出ID1,VDS2再算出ID2
/ }4 M1 i4 ~) S9 s6 O$ H- ?+ C算出來這二個值了之後
再去推算出lamda

) a5 [% N& l" \6 j/ s% e) V0 v( W如果會的大大~~麻煩跟小弟說一下~~謝謝

xyzabc0930

提供一個之前用的方法,
由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例),
ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)
# c8 \! Q; Y$ V8 V在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,
VGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値
由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)
2 y8 e9 V# ^' h: ?在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]
由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)
故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)
將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值
! I6 p4 R% I" e: g+ UKP  = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]
= 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]