how to choose the resistor value of gcnmos

scy8080

how to choose the resistor value of gcnmos structure and how to implement the resistor in layout?for example diff r ,nwell r or poly r.
* {. s% U$ E4 ]3 c+ K5 K( Z4 C
( R/ _; p8 i- S* M0 P: O3 ^
in the picture,whether do we use diff r or nwell r instead of poly r or not?

thx

[ 本帖最後由 scy8080 於 2008-3-20 03:22 PM 編輯 ]

semico_ljj

GCNOMS Res一般就几K，20K以上就很少见了！

延时电阻一般就用Nwell，或者High Poly！

scy8080

原帖由 laurence 於 2008-3-21 10:39 PM 發表
' O2 i5 }4 V" Q# e) XWhat do you want to know???
GCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
5 y7 X2 c0 h  F  S+ F* W8 zGCNMOS not look like your picture circuit...
GCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
Nor ...

: I5 b  J& U7 x% y$ S( t+ k! d2 k不知道你使用的是什么工艺？
* e( Q9 w, E! Y( e2 N: `我接触到的GCNOMS Res大约为2K~5K的样子，不知道为什么你可以取50K ~ 200K ，这个电阻不能太大，也不能太小，不知道有什么考虑？

9 c1 h! a7 s6 x9 K是不是无论ESD serial Resitor还是gcnmos 延时电阻都可以选用diff r ,nwell r , gate poly r or high poly r中的一种？有什么考虑？

semico_ljj

原帖由 bryansu111 於 2008-9-22 12:58 PM 發表
5 ^$ w, Q: \+ f8 Q& V' b請問一下,關於GCNMOS ,
4 t! h, m6 ]" ~' UPower 會動的很厲害的話會漏電.

是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
2 `0 y5 o" O9 _6 B; n, c6 H那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
' f; u; j) l; E! b麻煩請解惑 ,謝謝

是的，但是一般不会是噪声，而是power如果经常会大幅度突变，可能会引起瞬间NMOS被turn on

bryansu111

請問一下,關於GCNMOS ,
Power 會動的很厲害的話會漏電.

  r- K6 x+ |# @& N是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
麻煩請解惑 ,謝謝

cthsu1

小面積的話 兩者只有 Turn on voltage 的差別
9 i! |) I, X7 ?2 l" i大面積的話  GCNMOS 比較好
( O6 K! B& w" O; a, d但是要小心  如果 Power 會動的很厲害的話  會漏電

ritafung

How's the performance between GGNMOS & GCNMOS?
Does GCNMOS discharge the ESD pulse by the strong inverson channel induced by  gate coupling effect? How's the effectiveness and ESD robustness per area?
We normally use GGNMOS / GDPMOS + RC-trigger clamp.
8 e8 @6 L) m; c8 s' }4 t6 G- e" s, RAny idea to exchange?

laurence

What do you want to know???
% r# T  |* M% R6 NGCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
) E: @' h) P: {' Y& lGCNMOS not look like your picture circuit...
- A9 u* [% a& P3 B, YGCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
2 C, O; s3 \3 S: ?+ \3 v* `Normally, We use 50K ~ 200K for GCNOMS Res.
/ L; p+ r3 D( U/ V
For ESD serial Resitor, That is only 400Ohm request...
! \2 u, n4 t" P9 X! x' w. e
BTW, For ESD protection, Normally select the HR-Poly res.

小朱仔

Sorry my engilsh is bad, So i write chinese
3 I1 H4 Y6 r5 J' N/ ]6 ~一般來說如果您要使用大電阻就請使用nwell電阻但阻質誤差率較大
如果要用精準的話那建議採取poly電阻
# h# P7 @' b. ]. _, q, |5 }
以電阻阻質每口W/L=1來看 nwell r > Poly r > Diff r > Metal r
. ~) d: M+ ?$ u" v7 L9 h以電阻誤差來看 nwell r >  Diff r > Poly r > Metal r
) }) E. b2 j- Y3 H+ G# I2 X1 d5 M9 y以電阻面積來看(以同樣阻質來看) Metal r >  Diff r > Poly r > nwell r  

+ j( k: v* F2 n" g參考看看囉~~