BJT 照 EMMI 會出現亮點嗎??

hawka

請問照EMMI (微光顯微鏡) 時
3 Q4 k! S8 F" b% ~/ H  V在工作中的 BJT device 一定會出現亮點嗎??
(即使該BJT電流只有 數 uA)

hawka

根據該公司的網頁, 應該是CCD detector
1 Y/ P, E8 x: g, `不過該公司說明 "假錯" 是當 BJT 在飽和區
而我的電路設計 BJT應該在 active region, 這樣也會嗎??
% ?3 t' P: I" t- ]另外只有九宮格中間的BJT有亮點, 周邊八個BJT無亮點(或說被濾掉了)
: G8 G0 K# J  _4 A+ @& F/ B(周邊八個BJT的電流為中間BJT的1/8, 我推測應該有影響吧)
謝謝阿光熱心的指導

阿光

當 IC 照 emmi 出現多個亮點時，就必須請 designer 判斷亮點電路是否在操作時為開啟狀態，進而判斷亮點是否有意義，並不是說有亮點就代表異常，一般人以為只要 MOS 開啟就會產生亮點，其實並不全然正確，可以確定的是，當 Vg 約等於二分之一 Vdd 時，熱載子效應增加，substrate 電流也增加，此時有極高機會照到亮點，你的 IC 電流雖大，但如果 MOS 的 VDD 等於 VG，反而看不到亮點，反而是屬於電子電洞結合機制的 BJT 會看到亮點，即便只有幾 uA，尤其你是用 backside 偵測，偵測敏感度更形提高。不知你是否是用 CCD detector，如果是，看看它偵測波長的範圍，你就可以發現到 CCD 涵蓋的波長中，電子電洞結合的發光機制是它主要的偵測來源。總而言之，只要你的BJT是在啟動狀態，當然就可能會有亮點。

hawka

我目前的整個耗電為 100uA ~ 2mA
% Y# s" u4 k+ ]* o; w而整個面積為 18000umx950um 而BJT 僅 100x100
: ?* n+ p; _. o& [- m- l) ?而照整個chip (p-sub 那面) 看得到有某些區塊發亮
再zoom in 進去照, 發現是BJT發亮
' E9 X. }6 ]/ V- P' V" |+ {5 M# x因BJT僅 數uA, 故想請教各位大大,
BJT的junction 電流是否會被EMMI顯示出來??
2 i. T- A8 U5 n. ?# S9 [
謝謝

阿光

1. 一般 1mA 以下會考慮用 emmi，如果是 1mA 以上，偏壓方式又許可，有方便好用的 LCD，為何不用，當然 FA house 的 LCD 不佳，不建議使用，這裡指的 LCD 是 foundry 裡的 FA Lab
2. emmi 原理為熱載子或電子電洞結合， BJT 發光機制屬於後者，焉有不發光之理，老實講，只要 1uA 以上就不要放棄
3. 當然電流越小，做出亮點機率越低，這還得看你的 IC，如果你的電路單純，其他電路漏電也很低，那麼就有機會做到，如果其他地方漏電很大，亮點就會被忽略，注意，emmi 會主動式發光，要發光的話它一定會發光，只是操作者在操作機台時，他會調整顯示光的敏感度，如果整個電路發光情形很普遍或嚴重，那麼他自然的會把敏感度調低，因此若是低電流所導致的發光就會被削減了。
4. FA house現在有出 InGaAs detector，經實務比較，確實有很高的偵測率，對於 uA order的電流，有更高的機會偵測，只是這時就要考慮 cost 與值不值得做的問題了

vjc5

不會, 應該要電流過大(mA)等級
才看的到,  換言之有亮點必須區域中電流大於其他地方就看的到