MOS的finger和mutiplier

billcheng

請問各位老大
8 q: ^+ e/ W+ c( u/ t" o' y
若應用在LDO的powerMOS

7 ~& v/ J$ [7 n+ Z使用MOS的finger和multiplier 有什麼差別(我只知道finger 較省面積，寄生電容較小)

1 y- {6 }: s# Z/ t例如電流會不穩嗎?? 或是會有漏電流....等情況
+ S2 |* j. `! m# T) Q
9 F6 b; ]; |1 ?5 x" [6 `若用finger，那選MOS的width 和length有什麼特別需要注意的??
* g5 ?7 |" u8 E6 `& G  S$ o5 {8 l
7 M! R, [: R5 j1 k( K; Z2 B例如L不能用太小，W不能用超大 ??
# D) b; e- p5 t# ?! F: o9 i* y
: x2 ~0 f) ]% Y5 W- i謝謝大家

e100292002

感謝版主的回覆仔細 收穫頗多

ninja0925

說得很詳細的一篇
- D+ r0 {' k; K7 G. \$ n
$ v2 n4 [  Q, ?1 m4 f6 L謝謝分享

empatheia

回復 3# finster

真精闢，謝謝版主的見解與分享

finster

補充一些:
0 q. U. h! T3 H* W: a: Z一般來說,LDO的輸出會出PAD,故而LDO Power MOS要遵守ESD fule,所以L不會是minimum length
; |2 M) B3 R3 Y) |9 P' a而是minimum length + (0.1um ~ 0.2um)左右不等
& _, J& {% t5 K5 B. j4 L至於Width, 也通常不會太短,至少都是大於15um以上,小於約40um以下左右不等,會有這個限制其實也是因為ESD performance的緣故
4 e. q+ s0 u! B. f2 Z且在Layout畫法上,需遵守ESD rule來畫,在Drain or Source端需加特別留意,加寬pick-up藉以拉遠Power MOS和相鄰不同type device,避免latch-up

jackrabbit

finger 跟 multiplier 的差別
前者是 S/D 共用, 後者是unit mos 然後duplicate
% C# l9 t6 R$ v; N4 _0 ~8 \1 ]如果很強調matching就會用multiplier
finger的好處就如你說的沒錯
' _( x( }7 D5 \! F( l6 U+ ?/ F
" u2 i. P$ K8 D. W至於當LDO的power mos
因為size很大, 反而需要考慮的是device issue
9 `0 z4 A6 H9 Z0 h/ D: W像latch-up, ESD, over-stress, 這些layout上都有技巧~
如果有over-stress的考量(需要把device 操作>Vds耐壓條件), L 不建議用minimum值
6 d% k; R2 m. M& [至於W, 長度不可以太大, 主要是怕ESD時 turn-on不完全
/ u$ p" Q4 V( @5 s' i另外, S/D 拉寬, cont/via 打滿, 降低接線造成的寄生阻值
7 u/ Q" b5 i' X7 F諸如此類~