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各位大大們...# p1 D( ~" f2 A9 S/ Z) O- C
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小弟最近在研究BandGap,小弟電路是Razavi 類比CMOS積體電路設計(中文書)P11-13 圖11.206 V" }3 i1 B8 \: B. }/ \3 R4 H" h
原文請參考 Ch11 11.4 PTAT Current Generation
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" N! a! i/ f% q% |( M架構完全一樣,只是加了簡易的start-up,在跑pre-sim時,所跑出的curvature非常理想,呈現如二階效應(呈現平躺的S型曲線),
! D4 T8 x. \4 _8 R" H- A但在小弟畫完layout後,跑post-sim,跑出的curvature在temp=0~60中間(sweep -40 125 1),出現疑似不收斂的突波,這一段在pre-sim原為最平坦的地方,
, R4 Y( ^6 E% d" y( L後來,小弟查看了hspice的手冊,其中提到.option reltol,小弟原始設定為.option reltol=1e-6,後改至.option reltol=1e-2,便可收斂,
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# r6 n* h6 ]! f+ b因為DC analysis只是將tran analysis的工作點分析,實際電路必定合乎實際操作," o4 d$ U0 y& {& G" X( V
所以小弟run .tran去看(.tran T_step T_stop sweep temp -40 125 1),5 @7 p" t+ _# c9 [. a9 j
跑出的.tr檔,利用SX的Equation Builder,轉換後的curvature,卻與pre-sim curve近乎相同(當然volatge有增減),
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問題來了...& g" i) @1 e" ~, j2 ~
1. reltol=1e-6不收斂(curve有突波),reltol=1e-6收斂!!5 Y* ~2 J2 R8 X: z5 Y
說是收斂,其實只是將解析度變差,使其忽略(自感),不知是否是這樣!?
5 d0 ]8 a+ z8 A y
% r' r) Y$ f( v" d2 }9 ?2. .tran是實際電路仿真,在.tran是OK的,.DC卻不OK,這是否代表電路上有"不確定點"的問題。: F, H N I2 y7 a x1 s
2 ^: m7 N; w) N0 M( [+ N9 x1 J i$ U) d* a3 s5 D& m
曾經聽過教授說,在做模擬時,我們必須先確認與相信所有Tool、process、command都是OK情況下,
7 ~- C6 ^" t* v: P- u9 f4 h在模擬上有異常,必定代表電路有誤,3 ?" ^3 B! T( |6 P! k& R
+ e: [7 C% \# z/ | G+ I不知道大家有沒有什麼經驗與建議,讓小弟分享您的血汗... |
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