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各位大大們...
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& W: w/ ^. t) G- p% K, ?小弟最近在研究BandGap,小弟電路是Razavi 類比CMOS積體電路設計(中文書)P11-13 圖11.20
& j$ h2 m5 X5 @, |. R* [原文請參考 Ch11 11.4 PTAT Current Generation
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架構完全一樣,只是加了簡易的start-up,在跑pre-sim時,所跑出的curvature非常理想,呈現如二階效應(呈現平躺的S型曲線),( l% w9 A( M f1 V$ s7 G( V3 Y& Y' i
但在小弟畫完layout後,跑post-sim,跑出的curvature在temp=0~60中間(sweep -40 125 1),出現疑似不收斂的突波,這一段在pre-sim原為最平坦的地方,
" o! [ w# Y" t5 J% V, |9 p後來,小弟查看了hspice的手冊,其中提到.option reltol,小弟原始設定為.option reltol=1e-6,後改至.option reltol=1e-2,便可收斂,
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因為DC analysis只是將tran analysis的工作點分析,實際電路必定合乎實際操作,8 d/ L& V, H4 r g6 W" J
所以小弟run .tran去看(.tran T_step T_stop sweep temp -40 125 1),! b; i5 } r. s6 V2 b
跑出的.tr檔,利用SX的Equation Builder,轉換後的curvature,卻與pre-sim curve近乎相同(當然volatge有增減),7 ]/ k6 x1 F# X% i1 M
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問題來了...
) t$ f( O2 c8 t. ^; k1. reltol=1e-6不收斂(curve有突波),reltol=1e-6收斂!!
- u0 _% a; I' u! B$ a+ S8 N) r說是收斂,其實只是將解析度變差,使其忽略(自感),不知是否是這樣!?1 ~# Z! R7 E# b9 a2 b
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2. .tran是實際電路仿真,在.tran是OK的,.DC卻不OK,這是否代表電路上有"不確定點"的問題。
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- {8 `; U, T! `3 p2 w' L- U4 L曾經聽過教授說,在做模擬時,我們必須先確認與相信所有Tool、process、command都是OK情況下,
' N# D+ t8 k0 R$ v$ Y* h在模擬上有異常,必定代表電路有誤,
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5 c2 H7 F) `# P) a7 B1 l" Z不知道大家有沒有什麼經驗與建議,讓小弟分享您的血汗... |
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