弱反轉區、BJT之LAYOUT

YuanII

各位大大您們好:
/ k& p6 ]8 @7 _3 h      小的最近有個好奇，很多電路在設計時，為了降低功耗，
    都讓電晶體操作在弱反轉區(Weak inversion)，
5 r. e4 h) H/ d& W6 i$ i    這時電流很小，相對功率消耗小，可以理解，
    但電晶體轉導值(gm)較飽和區時的轉導值(gm)大，
    翻了弱反轉區時的轉導公式:gm=Id/nVT
/ [" w8 U  J0 A8 i, ?( p    既然電流小，為何gm會大??這點請各位大大幫我解惑??

' }: H2 f5 K3 }1 ~8 ]9 {      另外一個問題，看了一些Bandgap的設計，
( s9 e6 n& `% V: B1 K1 m; _& u    大家都將兩顆BJT設計1:8，因為LAYOUT上可以排成九宮格，
- y* |7 f! t2 ~$ S# ^6 w  @/ G    但小弟看到一篇新的設計讓BJT的比例為1:10(有它的特殊用意)，
      小弟好奇那在LAYOUT上該怎麼佈局??

! N8 s6 ~0 u* ]* q3 g/ b      請各位好心人給意見^^謝謝

YuanII

謝謝大大的回覆@@
小弟大概知道意思，
0 G0 S( ?- Q7 {. T/ F$ L7 k謝謝。

billlin

weak inversion gm=I/nVT , VT=25mV  -->(1)
% y% Z+ h( W6 \: h8 G' r! \/ Hstrong inversion gm=2I/(gate driver)  -->(2)
所以直由公式直觀的算,
9 G7 f, `" {0 o' S  a- m) e) [8 Q假設gate driver = 0.2V ..
要得到相同的gm ... 公式(1)比較省電

billlin

想到其中一種排法消除階梯(gradient)與對稱(systematic)的error:
' N0 [8 A6 l0 h+ Ko代表dummy , X代表10的BJT , W代表1的BJT ..但比9宮格耗片積
o  X  o  X  o
X  X  o  o  X
o  o W o  o
X o  o  X  X
o X  o  X  o