請問如何使用 HSPICE 讓 32768Hz Xtal Oscillator 振盪?

wallace60

求助各位先進

本人在 TSMC 90nm 製程中
# |  N4 c3 }/ u7 O5 t5 r使用 HSPICE 模擬 TSMC 提供的 32768Hz Xtal Oscillator circuit
+ M! U! T1 Z( ?+ F: |( [5 C: x) D遇到在高電壓(VDDPST33>1.2V)無法起振

  O2 {% b0 ^+ e本人參考  "CMOS晶體震盪器模擬"
http://bbs.innoing.com/viewthrea ... mp;from=recommend_f
其中幾種方法但扔無法起振
3 u, ]2 H8 f9 a: X! j; l0 j/ p
, r, q' ]& u9 m. e0 K0 d! m請問如何使用 HSPICE 讓 32768Hz Xtal Oscillator 振盪?
- x# u  A( F9 x* s: l需在  .option 設定什麼參數?
+ f, o% Z( r1 @% R0 I( T$ ^+ D. L9 S) _HSPICE 版本是否有差異?


謝謝

anita66

蠻奇怪的,建議你去參考另ㄧ篇"CMOS晶體震盪器模擬"(http://bbs.innoing.com/thread-8412-1-1.html)
  p4 \1 g$ v1 @1 }$ ~2 g4 i看看吧,裡面會有你意想不到的收穫喔~

scy8080

是不是你的gm过大，过大也将无法起振。

skyblue

這是我在option下的參數你參考一下吧

- a# m  H% j* L9 ?6 C/ K; z/ u.option post probe nomod accurate acct=2 method=trap puretp
0 ~) F; @0 a" d: I  X.tran 100n 1000m
.op 1m
% }2 a  R- h( G7 A  a# j
對於外掛crystal所找到相關的振盪設定的方法
0 v* ^8 E( S) Y; X- _**************method1********************
$ r+ Z, H  y7 M: F2 k! S# E- |' I.SUBCKT cry_32k XIN XOUT
7 ?( @7 l) l/ T. a- E) k) ?Cof XIN XOUT 1.5e-12
  Z* c: I) ~6 U: T" Z9 QRo XIN N1 20272.5
Co N1 N2 0.003146e-12
  l) p4 C7 l# h8 H4 y, M. {Lo N2 XOUT 7500.284 ic=0.1ua
, K% y* K: H; {& `! T5 V.ENDS
! F8 I4 r4 g# ]. D**************method2********************
*.SUBCKT cry_32k XIN XOUT
5 j  W* V* L2 Z- B4 L' f4 G*Cof XIN XOUT 1.5e-12
5 N% d' n+ S; Q/ \# m$ r9 l6 S*Ro XIN N1 20272.5
6 f* a, U) f1 t7 [4 K, {8 t7 g*VSIN N1 NN1 sin(0 0.7k 32.768k 0.1n 8E4 0)
2 t+ O: F, ^6 f5 g& p, L*Co NN1 N2 0.003146e-12
9 w+ E# ^. s1 C) V1 P+ h*Lo N2 XOUT 7500.284
*.ENDS
$ y" B4 k1 k- Q6 n& \' J) C4 C**************method3********************
*VPWRP PWRP gnd pwl(0 0 5m vdd33)
*.ic v(xin=vdd33) v(xout=vdd33)
*.SUBCKT cry_32k XIN XOUT
*Cof XIN XOUT 1.5e-12
*Ro XIN N1 20272.5
*Co N1 N2 0.003146e-12
*Lo N2 XOUT 7500.284
*.ENDS
- a. W, d9 I* m1 n6 U( [, L*****************************************
還有一個負電阻的模擬
當負電阻滿足時才會起振

kanchiam

有下過.option accurate 了嗎？
% \4 ?, j( l5 D$ R1 g另外一個...-gm要大於xtal的阻值2~3倍...
時間拉長到10ms以上

wallace60

利用負電阻方法模擬
7 C0 \( f+ ~4 x  w0 Z) m可找出與 .tran 方法 起振的相對應關係

wallace60

降低 crystal Q 值
雖在較高電壓會起振
但振盪頻率不對

wallace60

真是令人訥悶
, H$ I8 r) \3 N* S愈高電壓 inverter  gm 愈大
  A0 h/ P3 U1 ?9 {/ ?應該愈容易起振........
再繼續努力吧

wallace60

這幾天我試了
2 c( H% G- C+ X( o
HSPICE 版本
2002
2007
2008
2011
1 g" ~# n  I1 g
adit 2006

  T8 l$ S2 O5 w.options delmax=3e-7
; a: w, O4 p1 Y  d7 l* ^. d(delmax < T/100)
6 C4 ^/ [) M* O+ l% d: f
結果還是 高電壓(VDDPST33>1.2V)無法起振