IC內部電容

ffsher100

請問一下大家知道關於IC內部的電容大約可以做到多大
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/ Q( ^& s& b) W  E* S) n我是有聽人家提過IC內部無法做大電容
9 _  C. b; r2 _7 d: K! p. c( q
% C( C; |7 J3 U' k所以一般regulator的input才需要加>1uF的電容來穩壓

所以想知道IC內部....若可以的話淤可以做到多大的電容式極限?

finster

若以PLL而言,可以接受的範圍大概在200pf以下,超過200pf以上就太大了
9 a, W, E1 s; G) i3 {$ n% _- @若以driver而言,大概在數pf就還可接受,若超過10pf以上,就太大了
若以regulator而言,通常不會超過數百pf,因為2/3以上的面積幾乎都給output driver給佔去了,電容只佔一小小部份而以
: L9 x3 z8 V" v0 k* I8 a% Y' K+ L( m' P數百pf~幾十nf以上電容,實屬太大,一般都不會這個樣子作,除非採用倍增電容的架構,既可省面積又可達到高電容的要求,但缺點是不準

ffsher100

你好....我只是想問知道說一般在ic內部的電容
2 A4 T. Q8 B" @: r2 g) {4 O- C% @在一般的應用上範圍是多少....會不會有uF等級的
7 v5 H( ~' J: ~* ]& s  g8 H就如c3a1t039所提到的1uF可能會用到半顆IC
5 {! b( G+ {. C3 ~" ~& J* |就一定不切實際....
是否幾百pF~幾十nF算是比較正常的合理範圍

c3a1t039

這要看製程的設定，但是你到1uF真的算很大，可能你整個IC一半以上都是電容，而且花大錢做一個電容，你不考慮外接嗎?