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本帖最後由 lchuang 於 2011-8-3 03:52 PM 編輯 " p! P# g/ T4 D- \# D
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先來討論一下所謂的Vds(sat)：) H j: t6 E$ |. y0 c/ I
2 i: {0 t( V ?8 v你試著模擬一個固電電流源，如一顆PMOS~~~~S接VDD，並且G跟D互接然後掛一個電流源(ex,20uA)2 I8 H) w& }9 y1 h) [+ d ^
, s: N2 l7 E) V! K4 L3 NW/L可以先固定一個值(ex,5u/1u)，然後觀察這一顆PMOS的vds(sat)~~~~接著把電流源加大至40uA
0 m C6 F" i8 {* _- y9 p, z
2 n! h- d) ~7 _然後你就可以看出Vds(sat)會明顯得拉高.......
! B% O* \; S: {. t
; x& z2 p4 o/ p1 H至於所謂的vds(sat)其實在我來說，它是一個滿足MOS進入飽和區的條件式而已........# M8 Q P# g+ c; r' K
' q/ D$ ^, E1 Q3 \2 x" [而所謂的條件式就是Vds > Vds(sat)，一般在我的設計會讓Vds大於Vds(sat) 0.15V左右~~~
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那麼Vds想當然爾是越大似乎越好........其實Vds越大或許比較好滿足MOS進入飽和區來操作......
8 f2 `% K( v, S( e, `) F5 z2 g% U' A
問題是它相對壓縮了電壓的輸出操作區間~~~~~所以囉.......
0 [( |- X0 ^* f2 Q
' V& i. B ?$ o" B- u一般設計電路，以一顆OP來說......要看DC操作點看的不是OP本身的MOS偏壓，! p) E' T2 k$ z7 a* N
, t a8 P4 l9 Y$ ^6 Y
而是給OP做mirror電流的"偏壓電路"本身，它才是決定這一顆MOS是否符合所設計的輸出電壓準位~~~~
3 M. N9 i1 p* v
9 }2 v4 M0 M6 r7 R以上是Vds(sat)跟一些電路的少許觀念...........0 T1 @6 Y, K6 b( M4 N+ h5 V5 P
% B1 Q6 F% V0 V6 Y
================討論M5 start-up 分隔線=======================
5 R* t$ c8 e. o2 K& U
6 G6 h) b: G+ M; r) G一般你要模擬所謂的start-up MOS，以你上面電路為例，當你不加入M5這一顆MOS的話......) x ~6 `9 K$ w- ]7 P
) e/ a+ |. o3 a m) D
你可以在spice檔內下一個初始值的指令，2 O3 J+ f2 ^: s, i, G# z* P. E9 ^7 U
) u& o$ B0 G7 M" L1 e: Z我們先假設M3的G、D與M2的D接點為"QQ"，M1的G、D跟M2的G接點為"AA"
- f1 T' W6 n: O5 _4 t) s
$ l+ N2 d7 h; d! q1 Q3 z然後在spice檔內下".ic v(QQ)=VDD v(AA)=VSS"~~~~~~9 s% Q' G% d1 G6 ~8 t1 M4 h, B4 c
+ b8 y0 C) d3 `6 e
你就會發現你的偏壓電路的MOS都在cut off階段~~~: w9 W' [/ D! B8 q8 i
* ?8 G. ~; Q: L# j, L8 k6 S
接著你可以加入M5後再來模擬，你就會發現它會慢慢把"QQ"這一點電壓往下拉到一個正常工作點.....
2 k$ p: x7 ~" ?. G- V& h; q) }0 i% T+ c5 s! g
這個模擬其實是一個real case會發生的狀況，因為在IC內部一般不給電情況下......
& q: R5 Q( h5 [' x( \. P2 R6 `: Q
- Y( m5 ?* k2 C0 v每一個節點都是"unkown"的，那就會有電流起不來的狀況......這一點你可以好好去想一下~~~~
( m: b0 { d3 E- M) ]* g, B, P6 ^6 G1 g X- Z* p5 w
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+ N L% T3 Z2 r& [' d6 N1 G; j f8 C$ Z
你的M5的接法似乎會影響到M3的Iout電流.................似乎這種start-up只是很單純的一個8 o2 [- N' U) n
m. z3 D) w8 p% ~"weak pull low"的方式..........但是在實際電路上並不是一個很好的start-up方式.......5 M& Z/ c) E( ] c& n; t5 F& t
9 [$ [# N' S+ K9 s6 M g* N# g' L而這個應該就是你所謂的電流不一致的原因，你可以在list檔裡找到M5與M2的電流~~~~
! u! n7 q8 y. @9 u# V O% E6 k! J) \' _$ a! M
然後在4V偏壓點..........觀察一下每一顆MOS的工作區域~~~~~% |( L' _; r" O9 ]4 p; B
2 x7 Q% c% f6 @! d) P! [PS：所謂的weak定義...........以start-up來說....我把它認為是一顆W<<L的MOS.......
! d" }8 L+ D+ U) ^9 d6 l
' u4 K% `6 U- y0 p4 Z(ex,W/L=>0.5u/10u.....這樣的比例) |
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狗仔卡
發表於 2011-7-12 18:02:20
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