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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 關於高壓NDD
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[問題求助] 關於高壓NDD

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1#
發表於 2011-6-12 15:31:35 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
通常高壓元件MOS  
. g9 |! h4 z6 |* h/ U9 _' C會打DRAIN NDD的原因是因為要跟SOURE隔離嗎?* ^7 `. ]9 m$ w5 Z

) V3 G" U$ W4 p$ D7 r0 ]還是有特別的意思?2 x' O* D7 J; r, o

' n8 s* ?- E% n- `4 G/ S' y: W. g% D) R8 [7 h& d; n2 r1 j/ y
請各位大大幫我解答一下好嗎?
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2#
發表於 2011-6-15 13:48:58 | 只看該作者
NDD  这一层是为了增大高压器件drain端的耐压做的，用的是N型的注入，注入的浓度比Nplus低，但是比Nplus的结伸深
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