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[問題求助] 高壓製程

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1#
發表於 2011-6-10 18:20:10 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
請問大大,我現在想學關於高壓製程Layout, _8 X9 \5 p7 l! j
那我對高壓製程的構造不是很了解,可以介紹網站或資料給我做參考參考嗎?
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11#
發表於 2012-4-13 14:41:19 | 只看該作者
回復 7# CHIP321
10#
發表於 2012-4-13 12:25:16 | 只看該作者
大家都是不明真相的围观群众啊
9#
發表於 2012-3-1 19:50:34 | 只看該作者
感謝大大這樣熱情分享資訊,
8#
發表於 2012-2-28 15:27:12 | 只看該作者
楼上有爱,又学到东西啦!
7#
發表於 2011-12-28 11:35:52 | 只看該作者
請問大大,我現在想學關於高壓製程Layout
$ n: J2 r- `9 V9 c# J那我對高壓製程的構造不是很了解,可以介紹網站或資料給我做參考 ...
4 N& k/ s- Z  ~7 E4 `, Q( Nb0917353006cool 發表於 2011-6-10 06:20 PM
. Y! A& e: I) L: r. t

; {2 M+ |8 V, Z0 r1 M個人淺見,分享下關於高壓製程和佈圖學習應驗
, z* Y( w! p! q( s7 u- j1:首先理解目前我們HV製程的一個簡單劃分' r% X  C! ^1 j. Z! z5 |
   不同的廠家,會有不同的定義,在深亞微米中,可能5V VBRDS的Device已經被識別為高壓。3 [# K- q  ]' ?. X( e/ I. Y% E
   依據VBRDS/VGSmax大致可以作一個劃分
/ O2 ^: H# f6 s; K    LV
3 P. H: |0 q# |    VbrDS<5V, P' B/ x& {  T9 L, T
      MV
! s6 H/ ]" Z4 T     15V<VbrDS<25V$ I" l2 j- J; K4 e- y! I
      HV" w) c/ ]! A( m* p
     30 <VbrDS<45V7 C+ ^# r: r* `+ ^& R
     45<VbrDS<80V
# R* b( q! [: q$ F- z7 k7 @; H     UHV& [+ @# [2 Q2 ^2 Z- t) k- j
     80<VbrDS<120V' e& }  r% V* d/ m+ x5 q' t) Y
     500V<VbrDS
# z% z6 a% ~8 m) O9 u: w     800V<VbrDS0 f: ]! b4 t" `7 t  t
     目前大致會做這樣幾個區間的劃分,這種狀況與製成本身的發展,產品系列兼容,甚至考慮兼容早期BIPOLAR用於電力,電機產品有一定關係。
' z% f* E% ?' i6 y& a# U: B$ a3 n/ O& m) J% x
2:此後,可以按照自己學習興趣與工作需求,選取制定學習計劃
" Y# A; H8 u+ U( u   並理解器件的物理和電學特性0 \& f2 b6 t- R5 `, Y. A' u4 n; h6 I
   這樣做是必須的,好處也很明顯。只有這樣才能避免犯錯誤,才能理解高壓規則的制訂依據或者限制級在那裏。' M: U- O8 C5 j& n; z: a
   一些圖書是必須的,製程介紹類的圖書相信大家都不會缺少,特別強調下,在30V以上時,最好下功夫對LDMOS做細緻的學習。, I' ~3 L6 l( I$ T. E
   如果涉及到80V左右的應用,尤其需要謹慎,因爲在CMOS時代這個電壓區間是比較尷尬的,HVI可能會帶來leakage current的問題,一定要與廠家做好細緻溝通,並在Pre-tapout前作好Review。0 p' X# q5 h( Q* ^! D( M0 G
   500V之上的的單片集成應用必然會涉及到Resurf技術或者SOI的應用,這樣的製程會與普通的結隔離又較大的差異,HVI也會帶來影響。不過一般廠家都會給出一些解決方案,5 _) p6 _# D+ p, a. Y2 {5 Y
   IR,摩托等等公司也產生了很多專利 ,讓人感嘆設計師的創造力之強 。
4 i) h. q+ v, u$ u   理論的學習,/ N# v: P' t  f; j* }* `3 |
   推介使用陈星弼老先生的那本《功率mosfet與高壓集成電路》,這是一部相當老的圖書,出版于幾十年前,但是對基本結構,如場板,終端結構等等的介紹很清晰明瞭。
" {6 o: D8 j# A6 L$ C   原書已經絕版,好在資料可以到網路上搜索到。7 Y, a: V1 S  j) ^, g
8 V2 R% c- [" O* K
3:實踐
4 `/ @: [: q5 D/ B4 l' R% M* j' N   檢索了目前大多數的論文與報告,並不令人滿意。在這個工程領域,主要的技術應當是各個廠家。
: J% ?8 s- _8 L6 g   UMC/TSMC年前都對這個領域作了開發,可能主要的目標是指向對新能源產品的支持,可以咨詢並下載相關文檔。其中給出了Refrence Rules和相應的guide line,這些規則大部分對其他產品設計依然有
" c& E( C4 m  k: H! Q   參考的作用。此外 X-FAB,AMIS在這個領域可以說是歐美洲區域領導者地位,結構也與台系有區別。尤其AMIS。不過好像已經被ON收購,可能會在合作中產生一定障礙。* A% T2 Y* F) k+ Y- `  n3 g2 N
   特別提一下新竹的EPISL,應當是臺灣較早投入這個領域的廠家之一,EPI是HVDevice的關鍵之一,或許是EPISL的最大優勢。當然,還有極低的價格。; J% j0 J- D5 a
+ H+ O2 G/ `( \- }2 S! i
4:Reverse engineering+ S/ z$ M1 c% k1 r' k: G7 |$ ]* d; L
    對於新的公司新的設計,是個可選,當然僅限與佈圖參考,如果完全依賴,那就驚險了。: r' s, B# N% P; Y  F6 g& H* c
2 D9 E# d4 `2 N* I1 i6 r
淺見,歡迎拍塼!
6#
發表於 2011-12-26 18:32:29 | 只看該作者
我也沒瞰傲任何的東瞎呀~太客怕了吧
& T& g6 Q8 o6 w+ }: i; s9 u/ h
) w; i7 r3 ~4 D& H( ^這就是所謂的國王的答案嗎??XD
5#
發表於 2011-12-21 15:03:52 | 只看該作者
我也是看不到耶....是因為權限還沒到嗎?
4#
發表於 2011-12-7 17:10:01 | 只看該作者
我勒个去,同没看到材料,为毛会有人感谢大大。
3#
發表於 2011-9-1 10:46:44 | 只看該作者
咦!!~~~我只有看到問題$ L$ s/ }# i. O+ W  i7 U6 w4 m3 B% c
有分享任何資訊嗎?!/ d/ F4 u0 O7 O6 z  Y# K8 h
小女無材' {0 }8 x' H# q! v# }
看不懂勒
2#
發表於 2011-8-10 21:37:19 | 只看該作者
感謝大大無私的分享啊
8 X9 m9 o! s* V/ j) G& b3 Z
9 D9 N& t0 p* k7 X3 ]. M; D感謝感謝~~~~~~~
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