ESD失效分析求助

andyjackcao

2颗VDD到地测试
2 N6 @( h! r+ F0 s6 S$ e/ b1），第1颗从500V开始测试，大部分在500V时就失效
3 z( W9 G4 z; v! F- B3 ]7 H2），第2颗从1000V开始测试，大部分在1500V时失效
; m$ N3 n+ k9 A电源到地的结构为分布式的GGNMOS结构
失效机理是怎么会事，多谢

chang707070

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路 ??
$ g* @# D+ H4 {: o" N均勻是指什麼
方便貼圖上來嗎

andyjackcao

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路

tuza2000

how to resolved it????

andyjackcao

感谢关注,ESD问题已经解决

postme

感兴趣问题的进展，是样品概率问题吗？

andyjackcao

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
/ o/ b0 z8 J8 O# s9 T1. 請問製程為何?
, q2 a* `3 @+ s3 W5 _; L; Q) i+ w2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
klim 發表於 2011-1-18 14:32

. `8 {- m. H" b4 l4 u9 K1), 請問製程為何?
tsmc 0.18um
9 [, T, |) ]* _# f
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
两个芯片均测试HBM模式，故意一个从500V开始打，一个从1000V开始打
8 I- u9 K  J! U6 u, ^. S
3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>，只是没有固定的电源引脚，而是，通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置

klim

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
: N: q# O& H* b; R1 J" n1. 請問製程為何?
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V開始打, 為何?
) ~3 P$ m: Q! `% s8 s% X: O7 O: n3. 你的GGNMOS的W=?, L=?, M=?, DCG=?
要有上述的數據才能做最基本的分析.