有人可以分享POWERMOS的畫法嗎

samgu · 發表於 2010-5-17 10:19:20

我的layout工作，主要就是在畫POWERMOS
工作這幾年間嘗試很多做法，但是一直無法找到
一個最佳的layout,也可能因為我迷失了，希望可以透過大家的經驗，
激盪出一些新的想法，請大家賜教，謝謝

簡單說一下我的心得，
1.若用MIN的RULE來畫MOS，相同的面積可以得到最大的width，最佳的Ron，最大的電流
但是必須承受ESD是否會對MOS造成破壞，因為DCG為 MIN RULE
2.若為了兼顧ESD則會浪費面積，犧牲Ron
3.若要兩者兼顧，面臨的問題則是 1.ESD rule 要放多大，2.butting contact and source contact 不足

AIC6632 · 發表於 2016-1-7 22:46:35

這應該是designer要提供的吧
而不是layout決定的

sainwu · 發表於 2015-12-30 11:57:18

謝謝大大們的說明.

了解許多

bbok7979 · 發表於 2014-10-5 22:29:11

謝大大們的心得，長知識囉 ^^

930709 · 發表於 2014-8-6 16:20:04

感謝你們的分享~~~~~~~~~~~~~~~~~~~

chengchishun · 發表於 2014-5-21 19:19:56

1.若用MIN的RULE來畫MOS，相同的面積可以得到最大的width--> width 夠大 ESD 應該還好吧

flank0122 · 發表於 2013-6-30 13:46:07

回復 5# shmiyi

這位大大說得滿有道理的~~推

o_alice · 發表於 2013-4-22 14:10:26

謝謝各位的分享了，學習了

m851055 · 發表於 2013-4-15 09:34:59

奈電流量與area相關。若需考量ESD問題，一般ESD Drain contact是Source的4倍以上。

polar11 · 發表於 2013-4-14 14:15:24

適當的將source contact to poly距離放大(ex x2) 可以得到比較好的結果

sd5517805 · 發表於 2013-3-21 22:52:54

一般在最小rule基础上适当放大，比如最小contact to poly

astrajen · 發表於 2013-3-5 15:17:46

看不懂。我想只是PowerMos應該考慮的是散熱及最大電流吧。最大電流與線寬直接相關，散熱與面積直接相關，應該都有規格表可以参考吧。

alex13 · 發表於 2013-2-13 10:44:30

回復 10# semico_ljj

小弟問一個蠢問題，Area最小是指Ron相同的前提下嗎?
感謝先進不吝指點，多謝!

jameslin · 發表於 2012-8-28 22:57:30

正學習POWERMOS的畫法，感謝分享！

930709 · 發表於 2012-5-12 21:40:35

看是面積還是效能阿!!
可以給我一些不同的意見嗎?

photoss · 發表於 2012-4-10 17:17:21

现在急寻power mos画法现在急寻power mos画法

stephen_jjh · 發表於 2012-4-10 10:35:52

各位的这些方法请问有图片作参考吗？？没花过POWERMOS的表示很无奈啊= =

liu.leon · 發表於 2012-4-9 20:54:36

finger,井型, 六角形的畫法,再搭配ESD rule以1:4畫法,

photoss · 發表於 2012-4-9 20:27:53

最近正在研究powermos的畫法,挺受用的,感謝大大分享

spiritpillar · 發表於 2012-3-1 20:27:54

感謝分享感謝分享感謝分享感謝分享

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