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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 需要加 DUMMY 的時機是?
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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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372412
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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias  X- V' x1 @6 k1 x3 ?! F; B3 o
6 ]' j) |6 c, o% O. {2 o
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密3 O7 B+ |3 G) |: M; r0 h
大部分是要match
1 c+ `7 J3 ?  aMetal poly  density  不夠
) u* S4 o' }- c' \3 V7 @加ㄉ那些也較 DUMMY / |  F+ V$ p; d& n2 I
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
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372412
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
6 j1 i1 V7 p, }& b: e. E' l/ J, ]2 W1 p& X
9 s& k9 m& E7 U+ L
    感謝樓上的大大' G/ Q4 ?5 Q3 p9 t- P+ a
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
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zhifj86
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧，一般就是匹配啦，要求精度啦
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6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊，菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
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7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
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372412
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 - ~& s3 G" A6 J. Z3 G4 ^0 _

, ^, \& F1 ~! h( _8 j# {) T! }  m# S2 d
    感謝您回覆的這麼的詳細
! c/ Z3 v" X8 o" p" [& @" P1 a& X您真強
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9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!: L$ t+ V' E- s* {# K. x. X4 i9 t( G
% \4 \) W1 G/ Y7 `( s! J
不過簡單來說
  q% M. R4 W$ [" [7 \在製程時食刻會破壞掉你的元件( p, ~( l% ?& |- q7 f
而特性就被損壞
6 y  j; f  d3 g0 e7 F. W& U, G+ v0 S+ u
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
# L; Q! C+ b5 y4 O$ B% [所以蝕刻吃他最多
5 b; G# o+ H' M主要部份特性就不會被破壞6 N0 j: K2 ^  t0 n2 a9 u

+ }- B. K5 i# t' s! g很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>8 }0 m/ D; a8 U: T9 k4 J% t/ k3 Y
所以可以多找網路資料也有
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10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
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11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
% ^3 J3 a5 D, ?1 O$ V6 T! X2 T; q- ~- N: }5 K1 n* L+ A
又學到一個知識了!!!
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鋒鋒
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
) n0 V  b/ o  g7 i3 J還有電容也要加- s# R5 U2 |2 v+ {0 ^  I
若有空間能加的都加也無彷
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13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”，这倒不一定！普通的补偿电容不用的
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14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
8 n- A0 l+ P0 C4 k; n/ {; u2 [$ C; U6 O& j) R6 k) F+ M5 {! `
and i love it!!!
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15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
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16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB！好人啊，讲那么详细！
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pph_cq
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...0 J* @. B! d* t$ u& |
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

) W/ a$ p7 t8 m( S& {4 ], k- [
; V" C* q  i, i; l: x% s+ R8 Y2 g* E5 e# B! b
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢？
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GU
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??! W, h; I# K3 ?0 g
$ m( P$ _* v6 ~- [. e1 H
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??5 i+ }5 I- k+ U% ]5 Z3 g

1 e- h, S% P1 l6 V1 X數位電路 加MOS　DUMMY 是否很浪費呢??
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19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
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20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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