請問各位大大,關於MOS電容下極版問題

tommy01

若是NMOS做的電容
) G6 ~& O# {5 N* E/ [% v上極是版G極,絕緣層是薄氧化層,那下極版是基底還是N通道呢?我有查書說明有三種狀態
. H* u+ |! S* o, s' V) W1,通道未型成時
, K# V4 ^6 _- k; X, O2,三極管區
3,飽和區
# @% G& }/ G: F" T9 z* J但是RD通常叫我算POLY跟OXIDE重疊的面積就好
這樣是操作在哪一狀態呢???

chungming

example for NMOS :
4 ~7 y* I3 B6 J( _' H; t# LVg > Vth MOS at deep triode region, MOS Cap at strong inversion
# f7 K" X0 T0 n8 ^2 Z- ~Vg <Vth MOS OFF, MOS Cap at accumulation
& g7 F/ p# p, e1 Z$ X& D6 O
You can see Razavi Chap2 pp. 39
Good Luck ~ !

semico_ljj

工作在反型层 状态

poseidonpid

通常應該是工作在  (2,三極管區)，因為MOS電容的S,D,B三個腳位會是接在一起，Vgs=Vgd，所以是在三極管區，在電路設計上，MOS電容通常是由W和L的面積算出來的，但會非常不準，通常是用在穩壓用，而且在不同的電壓時，電容值會不同(Razavi的類比IC設計第二章)，要大於Vth後電容值才會較穩定，且不適合當雙向電容使用(如OP的miller 補償電容)。

kkk000777

3,飽和區
通常 depletion 都要形成，電容值才會穩定
" v) m: s& I; C1 B/ X所以使用的範圍 Vg 會超過 Vtn ,
9 f7 c/ r( u9 X# |) ]( {" j如果想要使用雙向電容的話，可以用 barrier N+ , let mos always turn on.