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您好6 [" N% j% j, ]8 P0 M! A# }% h
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想請問高手們) n( S! b7 x8 Y3 V. h7 V) b
目前已設計好一ADC,初期模擬也沒問題,
/ j7 g, Y7 ]% A, m, u. k但是在佈局時遇到一個問題,就是我的訊號線會很長(類比訊號線)
; B: D, \+ v1 E, U, h! m/ [不管怎樣改變晶體的位置,訊號線都一定會很長/ N# W7 N+ q; n* h. f
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這樣一來一定會遇到天線效應和訊號衰減兩大問題,
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$ G9 ]7 y% Z! i+ _) X我知道天線效應改善是在訊號線上加一個diode的pn介面,將過飽和的電流導通在地而減緩訊號線上的壓降,6 f: ~; S/ V" h& C. h" I: e
(問題來了喔)請問我是只要做一個pn介面(非真正一顆diode)做導通到地,這樣觀念是對的嗎?就是用一concatc接在訊號線上
. u4 W1 Z3 a# X) J$ m/ c! n而concatc外層接一nwell包住 這樣可行嗎? 還是要用別曾"n"特性做取代?
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第二個問題,這問題不清楚該如何解決,也就是訊號線(類比)過長,要怎麼減緩衰減?, o7 {* s: g$ R
$ T# ]% j. F( h+ |( ~- F3 R& @謝謝,請大大們提出你們的經驗和見解幫助小弟我。(很及切要解決此問題) |
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