請問附件圖片layout圖

gwuel888

請問各位,以下有些問題須大家幫忙
1.有人知道附件圖片layout圖,是MOS還是BJT? 或是另一種元件?
4 D4 @  A4 f) v4 w0 S$ e( D2.若是1P2M製程其電容用材料佈局,以前都是兩層POLY畫的,但現在想知道此製程畫法
# G; G4 ^% }! C3 Y3.MOS電容LAYOUT有參考書籍或是建議以供參考嗎?


謝謝@@

shangyi

雖然我沒畫過...但還是發表一些淺見
中間那圈有接contact的應該是thin oxide
& ]) @8 C! t0 i/ Z" S2 l5 n外面跟它相同顏色的應該是thick oxide
. {7 n, W, {, g3 F有點粉紅色的應該是difusion
內圈應該是drain 因為周長最小 雜散電容最小
' S; u9 y1 G- `6 B! m. ?外圈應該是source
' S8 S0 w/ U  E! W% Y" P此種mos layout 雖然在相同面積下會有比較大的 W/L ratio
但ratio值難以估算 所以比較不精準
* [+ M; W+ J0 D- z( `  Q. _比較不適用於要求精準的類比電路

pkf690801

thanks..............................................

CHIP321

同意kazamigai的看法，做MOS解釋要好些，如果能確認是1P2M的標準MOS製程，那么應當確認無疑了。

小包

回復 14# kazamigai

有道理~
我也lay過類似的mos
雖然長得不太像~
也是一樣用poly繞drain一圈

kazamigai

附上圖片
- U; w& d: R, ~0 O. u& N  L: q

kazamigai

按照給的圖形來看，應該類似於此圖。
中間cont為Drain，外圈一排cont為Source，
0 a6 [( u. Y4 X( `. R在poly上的cont為gate，會用此劃法的情況下是想在有限的面積裡，求得最大的w值
這是小弟的經驗談（因為有畫過像此的劃法）

小包

回復 10# gwuel888

5 ]2 p+ Q4 i8 u! g  |
. g  A& p$ r$ _. u" r你po的圖不是mos電容吧~~
& O! D" f7 s! b# B7 r6 g. Z看起來比較像是PIP電容…所以他不是1P2M吧
因為MOS電容長得跟普通MOS一樣
只是SOURCE/DRAIN/BULK 接POWER
GATE接訊號線

小包

回復 9# kazamigai
* V3 Z6 r. N8 `9 b8 X
- h3 o/ i2 q, W. j, N2 \確實有這種bjt
只是你沒有碰過
它叫做lateral架構pnp的BJT
為高壓製程，非常少人使用
% \0 w0 u& _* c1 j我也只lay過一次
" z/ V! i7 p& W% h# I' d6 d; O有本書上有介紹這種元件
"analysis and design of analog integrated circuits"
ISBN: 0-471-37752-x
page 109
, I& G" S9 m0 b0 V* e; V/ J你去看就知道我說的東西了

gwuel888

1.感謝各位抽空答覆!!
+ O' {& m# S7 }8 r9 g2.此製程1P2M 0.6um
3.附件是電容畫法結構，小弟才疏學淺 想問說此電容會是mos電容嗎?

kazamigai

但我覺得不太像是BJT，因為所附上的圖有用到poly，在我的記憶中似乎沒有BJT有用到poly

小包

回復 7# 小包
1 ~0 G( c/ p, q0 S

不過這種bjt現在很少人用了~有些原本有做的fab廠後來也都不提供這種元件了

小包

回復 4# gwuel888

一般mos電容的語法跟普通mos的寫法一樣，容值要請rd去根據製程推算。
看到你po的metal1的圖，這個東西上面有4個接點，我想他真的是lateral pnp的BJT，因為這種架構的bjt是高壓製程的bjt，emitter跟base是同一塊od，中間圍上一圈poly來控製emitter跟base的關係，最外面的od才是collector

kazamigai

看來像是顆mos，中間一顆cont應該是D端
6 F- m7 P" w+ F* _  y) @外面一排（5顆）cont應該是S端
, h3 @0 ^) ~: j. L" n4 Q. p% _
6 {( J( K# g) b3 ^" t應該不是mos電容，看m1跑法並沒有把s與d接在一起

gwuel888

因為之前我嘗試有畫過電容,但到了LVS 時就有不知道要如何做?
0 r3 C( `" K( \: k; u" ]請問一下
  I/ |2 D# X+ f- l1.那mos電容SPICE 語法如何下
是==> MCAP  VDD!  NET2  VDD!  VDD!  PCH  W=2u l=1u
& F4 h" E& ]! K4 t  |" E; d: ^. j2.容值如何知道??

gwuel888

附件一層METAL 1+ POLY 與只有 POLY 圖片

motofatfat

2.若是1P2M製程其電容用材料佈局,以前都是兩層POLY畫的,但現在想知道此製程畫法
既然是  1 P 2 M  哪來  兩層POLY ?
光憑這樣 粉難看出來
7 V/ U; X! Y6 Z也有可能是  2 層   Metal  MIM ㄉ  電容
可以說明一下  這張圖是 Metal 層  還是  去掉 一層 METAL  以後ㄉ 圖

小包

長得有點像 lateral pnp的BJT，它只有2顆嗎??
5 E2 ]- F) I6 I+ Y1P2M只能用一般MOS當電容吧~
& A/ v; X3 G+ i- nMOS當電容只要把S/D/B接到一起接VDD或GND就好了~

9 f3 G+ y0 V: z' F. m& u( a: j8 {[ 本帖最後由 小包 於 2009-11-3 11:00 PM 編輯 ]