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第一個問題,在輸出端的串聯電晶體,是可以增加輸出阻抗
4 Q4 [( f: h* @' R5 I' t( u& }% ~% |而我覺得更重要的應該是可以使up down的switch不直接4 E* S3 b0 o+ v' e5 l9 F( R
與輸出端相接,可避免switch的一些切換時的side effect
( F, a8 ` u4 l# P+ Q# K4 A1 Q比方說clock feedthrough,charge injection對輸出端4 z" p) v. C. h8 T" Y
造成的影響,而產生jitter
' X& J: P: i' X2 u$ `
. @+ U5 Q' t/ x; Q' z第二個問題,我覺得這應跟N P MOS的mobility有關,為使up
# F0 F$ u6 Q$ y2 W和down的電流match所以要有這種ratio比兩倍應是一般的條件( s* T, a h" {1 q
但真正的比例應依照使用製程的兩種元件的mobility來設定' }& ^# V* J8 q$ d: d& `2 U6 Y5 [
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以上是小弟的看法,如有不足或錯的地方,希望高手能給予補充 |
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