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[問題求助] 请教几道analog面试题

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1#
發表於 2009-9-23 10:00:25 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
都是些纯技术的问题,关于op-amp的。
0 L2 r, Q0 f$ _1 i4 I2 Q6 \' y  G) D  U7 x3 `. N
1. 比较三种结构:a. 2-stage op-amp (active load, class-A output stage); b. / M" r! Y  Z8 t( i* B, s' e
telescopic op-amp; 3. folded-cascode op-amp。3者各有什么优缺点。
8 m0 a& M6 e( ~" _! |* x) r- A6 ]+ S) S" a& R  C
2. 设计普通的2-stage op-amp,是第一级还是第二级的gain比较的大?为什么?
; p8 L. s  h2 ]7 t1 b+ Y8 C8 ^- @* W9 M/ @
3. 普通的2-stage op-amp,如果没有任何freq compensation,那么那个是dominant ) i0 o5 U: M  l, Y% p% ~
pole?哪个是secondary pole。请解释为什么会是这样(就是说,你要是说第一级输出
+ t2 N6 }2 W$ m3 S% t是dominant,那么好,解释一下为什么它是dominant;反之亦然。)
/ D$ p; }* L& J/ t  c* D+ g1 I/ T; M5 P% w; \7 N( |6 n
4. Miller compensation一般是怎么work的?通过Miller compensation,原先的
* D% g& ^/ [2 r) `0 L- Xdominant pole现在怎么样?secondary pole现在怎么样?为什么会出现这样的情况(0 F2 |7 c0 _: |+ c3 @( j# z: V
我们都知道Miller是pole splitting,让低频的pole更低,让高频率的更高。你要回答& o9 Q6 t4 r2 J' [& f7 F
的是为什么会这样?不是单单从公式的角度)?$ ]4 A% c& m/ U, i- m- L

; R6 i; T  m4 M9 J  w. @4 i5. Noise,对于一个input pair来说,是PMOS or NMOS 的noise更好,请解释主要是什. y6 w8 h; d8 {/ ]* }
么东西引起的。如果降低noise,gm需要减少还是增加?" O$ m  n9 O. f/ S1 ~
/ }. W0 O* w# J
6. offset,对于一个普通的2-stage op-amp,有哪些offset (input diff pair,
/ g: A1 U- K$ m; h  E! h3 l. joutput of the 1st stage, etc),在这些offset中,哪些是有major影响的,它们各自7 J+ A+ u. {7 n
的影响分别是什么?
# f+ T% `! J/ N8 Z; Y" \3 H5 A, ~. r! c
期待牛人的详细解答。。。
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8#
發表於 2009-9-30 13:29:32 | 只看該作者
第三题解释清楚R,C的相对大小即可,就能看出你对电路的理解程度了!
7#
發表於 2009-9-30 13:13:39 | 只看該作者

第三题的一些看法!

两级运放的主极点应该在第一级的输出端,次极点应该在输出端!! m7 w) a: Y: L; e1 [, w1 ^4 ?
   一般的两级运放的第一级主要实现增益放大,第二级主要实现输出较大的幅度和一定的增益,对于具有较高的增益的第一级来说,输出的阻抗是十分的大的,并且输出点的电容就是第一级的输入电容以及本级的电容的加和,该电容也是十分的大的,由此导致该输出级的极点时十分的小;对于第二级的输出电阻,由于该级的重要的目标是在一定的增益的基础上,获得极大的输出摆幅,因此输出电阻相对来说较第一级较小,第二级的负载电容也是较大的,由此导致输出的极点也是十分的小的。: L2 E3 W7 P/ B. [! ]
   一般来说第一级的极点相对来说要比第二级的极点较小!
& [+ Z+ J6 |( W8 X; [* p4 E$ g6 i) G# R1 B+ {) V9 Z8 g3 g
   请多多指教!
6#
發表於 2009-9-24 18:40:32 | 只看該作者
第一級diode connection 那顆MOS上的寄生C較大
* j+ L  i* q% e! Y! W3 k但此極點看到的R為diode connnection的MOS所貢獻
4 G; Z( `% q1 {' A0 B% |) Z$ i約為1/gm比第一級輸出阻抗小,所以第一級中的pole在
; A" A' A5 h4 p+ X$ i; }無頻率補償的條件下,極點落在較高頻率形成非主極點
5#
發表於 2009-9-23 19:28:15 | 只看該作者
請問樓上的前輩 ; f" q* E$ i9 ~; ^
何謂mirror pole呀?!  是current mirror造成的是吧!?
% Z3 X6 O: @8 G- X6 a! s: u& i而這裡我記得會有所謂frequency doublet現象是吧?!     
- A% ]; ~4 N& S& _: {  t. U" D第一級是大R(應該是指Rds並聯吧?!)配小C ,  f5 ^5 R1 Y  T1 Q4 N
小R配大C 是怎麼來的呀?!
. t2 g+ E* n2 M+ _6 v- {謝謝大家的回答^^
4#
發表於 2009-9-23 18:31:18 | 只看該作者
小弟也來提供點淺見:) \2 Z0 U9 H9 g( ]

  Y4 w* Q) t- w) p; Z) \4 k5 [第三個問題 :& x4 V& l. }, Y; B2 t; ~* A
      two stage OP在沒頻率補償的情況下,dominant pole應該是落在( |$ g% _+ m. ^% G9 ]
       輸出端,而secondary pole是落在第一及輸出端,因第一級的OP較大4 M# l' l0 N/ P% ?: {
       C應該是current mirror 的active load裡的mirror pole,但此
4 v9 @; B  `3 O2 W; X       點看到的R卻比較小,約為1/gm, 而第一級輸出阻抗可以提供大的R但卻
8 k" i# N/ k/ G# k: n# P       僅MOS的寄生電容來提供極點的C,所以第一級都是大R配小C,或小R配大C+ ?  _: W1 N9 w
      而輸出點通常看到的loading C會比較大,且第二級也可提供夠大的輸出# `- Z! K- T2 W- U* f
       阻抗,所以在沒頻率補償的情況下,主極點會落在輸出點,次級點,落在第一
! L; z6 W. |; b) [# A1 b( n       的輸出點
3#
發表於 2009-9-23 13:31:01 | 只看該作者
offset主要區分成二種
  \: }# @7 A9 A1 c/ G: `一種是Vt的offset,另外一種則是current mirror or current source offset. S# H6 i& E3 h
Vt的offset主要的影響來源來自第一級的differential input stage,這個offset主要來自製程廠的因素所造成,這個offset絕大部份的評估是以製程廠所提供的技術來決定這個Vt的offset值為多大,一般而言,面積愈大,Vt的offset會愈小,PMOS的Vt offset比NMOS的Vt offset要來的大,若要消除這個offset,可以從input stage size著手改善,或者可以從layout手法與對稱的方式來改善4 p1 N! V( Z/ A6 _3 M
第二種current mirror or current source offset大都是講第二級的部份,形成的原因乃是因為current mirror並非理想而造成的offset  ~2 q+ E, ]* Z9 C- D/ r
這兩種offset以Vt的offset影響較嚴重,也較難解,因為area會直接決定Vt offset,而current mirror or current source offset的等級跟Vt offset比較起來小很多,一般來說都是先考慮Vt的offset,若有其他餘力或者area,再來解current mirror or current source offset
2#
發表於 2009-9-23 13:06:04 | 只看該作者
1.請看Razavi的書 P.314' J/ I3 ]$ I  u. B. ]9 z, H' [
) x  m* z8 d0 r
2.通常是第一級,這樣input-referred noise 較低。
4 I# `4 k2 f7 g, k5 W
2 k5 a4 k# g" w5.PMOS可壓低 flicker noise,但是60nm以下差別越來越小。gm當然是大好,理由同2。
% B0 u2 K% w2 l# s( t$ H6 C" R: p: `* d2 ^- }
其他忘了,請各位高手解答!
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