sdram控制器的問題

ian77316

板上的各位前輩好..
1 u# }. `: g, k7 B# _3 N
# {. @6 p, J3 {9 `我現在在設計一個sdram的控制器，我根據著datasheet去設計。
也把他的流程圖都畫出來了
1 U$ v  V% l( h+ Z" R, X+ t3 N  u
但是現在有一個問題困擾我很久，我的sdram都只有作單筆的讀寫才能正確的動作
只要轉換模式設定(MRS)成多筆的連續讀寫就會產生問題
舉個例來說
HOST端下達連續寫四筆資料 (1,2,3,4) 然後在同一個位址連續讀出四筆資料
) {" C5 n* R3 L! x正確的結果應該是讀出(1,2,3,4)，但讀出結果每次都是(1,1,1,1)
8 ~# p! S$ h3 m* b四筆讀出的資料都是第一筆，不知道是發生了什麼問題????
不知道是什麼原因讓sdram內部的位址不轉變?
還是我當初在寫的時候都只寫入第一筆的資料?

' i: ], ~  @( b, q我用的是Elpida（hitachi）生產的SDRAM
型號是HM5216165TT10H
0 H+ a  J3 u7 Q1 i% A
不知道有沒有前輩知道為何會發生這種問題?或是會遇過這類問題的?
6 K" @1 E8 }' v& a# e, q0 O2 z能否提供給我一點意見去解決，我已經debug一星期了還是毫無頭緒....
* }8 Q/ c4 w/ e/ S/ K; A2 h( C
謝謝

ian77316

謝謝tommy123前輩，
                 後來我用波型和邏輯分析儀已經找到了錯誤，問題已經解決
                 似乎只是command沒有下在正確時間輸入正確
  c, s5 G2 a; g2 s+ {3 x/ \& N8 \/ @
                 很謝謝你的熱心幫助

tommy123

如果可以提供你的程式碼以及模擬片段，這樣比較容易幫你Check。