版图设计基础培训（很有用）！

fgwh406

包含内容：
cadence基础培训
CMOS工艺
0 l) j' }4 Y! H% {mixed signal layout
3 C8 G; o+ p4 o# Q4 |8 B5 v阱中阱bi-cmos工艺流程

! h9 |# T* r5 z, u5 Q6 P

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wwbbcc

等不及了啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊
0 G& f# y' D( ?! F, i7 k/ i; ~

far

感謝分享
可以了解很多的知識
. U& z2 H  w, m1 G9 j+ J/ L5 N: I8 n

aszx91z8

學習永無止盡 謝謝前輩分享

z8030634

感謝分享，layout可以再次提升能力

james8627

交流交流 百利無害 有資料加減看 看能不能在內容內提取自喜需要的資訊

spacedpp

謝謝分享,
研究看看...希望有幫助＠＠

pomu

感谢分享，刚入行layout，望大神指点
5 B4 c0 t/ O6 K6 Y+ i  S% d6 ?

kpo0806

謝謝樓主提供此教材，很有幫助
7 T# r% p4 ]5 A) ?0 Z0 n

dxzxc124578

最近在layouy電路 來看看學習

kyobaby111

感謝大大的分享
) ]( u) [+ E) m3 m% }2 E希望能對我這個菜鳥有幫助
+ L4 D/ C' H: \- v# o, ^

unclemario

没有经过系统学习，下来看看。

mattwu0207

感謝大大提供,   正好工作需要用到
2 G, a* J; [. y" q2 {

pigway06

感謝好文章的分享，目前正在尋找一些教材資料。

何建頫@FB

謝謝分享
1 M9 J7 ?8 ?) r& J看起來是一份很基礎的講義

crazydance21

    謝謝分享!參考看看
9 B8 [5 r( E2 N7 e+ y$ Q8 l

KuiyouLin@FB

剛踏入這行
想找些教學資料參考
謝謝大大分享

adjamie

謝謝分享!!
學習中,非常需要~

Technology

bi-coms 謝謝好心人分享這個檔案 感恩~

alienwarejian

太多太多人（甚至某些论文）将亚阈值区和饱和区的概念弄混了。。。。。。   MOSFET的Vgs的大小将MOS管分为三个工作状态：weak inversion（弱反型，或者称亚阈值），moderate inversion（中间反型，部分属于亚阈值）和 strong inversion（强反型，注意名称！这个不叫饱和区）
" ?9 L( G( V9 q- q% e& P9 H   这三个工作状态根据Vds的不同，都可存在 线性区，非线性区但未饱和，还有饱和区（不同的Vgs都存在饱和区！只是对Vds的要求不同！）
   
0 u" @& M; g6 }1 \  t8 {; u- k   如果是要进行低功耗的设计的话，将管子置于亚阈值区是最好的，并且要饱和！亚阈值区一般的说法是Vds>4kT/q能达到饱和状态。
$ t3 G& h5 N) O  h, d9 w   亚阈值设计一个非常大的问题是对于IR drop比较敏感，因为亚阈的饱和电流跟Vgs是指数相关的，而强反型只是平方相关，如果是速度饱和，那就只是线性相关。所以IR drop造成的电流波动是你的设计所需要注意的。