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版图设计基础培训（很有用）！

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fgwh406
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1#
發表於 2009-9-3 10:22:12 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
包含内容：. l! O/ d$ x6 x3 q- o, M: x
cadence基础培训% \# t: u& q  U, [0 q0 J0 c
CMOS工艺9 {$ N! ]; b7 n/ N% ~8 ^
mixed signal layout
0 f+ s( J# ]' p. j/ d* I5 B阱中阱bi-cmos工艺流程
- B; d8 o6 b" s3 C$ R1 a
$ N) i* d  v; F! G* s$ c
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wwbbcc
43#
發表於 2024-5-21 18:13:33 | 只看該作者
等不及了啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊& M! U# r9 E4 w+ ~+ H% c
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far
42#
發表於 2024-1-20 11:57:03 | 只看該作者
感謝分享
" w) h- F/ @2 y' _' N. d可以了解很多的知識  {% Z- y& c8 y, b
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41#
發表於 2023-12-8 02:21:53 | 只看該作者
學習永無止盡 謝謝前輩分享
! F4 x0 t1 b4 y3 R
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40#
發表於 2023-11-10 01:21:31 | 只看該作者
感謝分享，layout可以再次提升能力4 C, ?% ^3 t( m
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39#
發表於 2022-7-6 09:52:36 | 只看該作者
交流交流 百利無害 有資料加減看 看能不能在內容內提取自喜需要的資訊
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38#
發表於 2022-6-14 11:53:07 | 只看該作者

  l, U; \2 F8 e& m謝謝分享,
" u# u/ C! t8 P+ Z$ n. y2 d研究看看...希望有幫助＠＠
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pomu
37#
發表於 2022-5-14 22:52:07 | 只看該作者
感谢分享，刚入行layout，望大神指点
  a: B9 Y  D7 n6 J
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kpo0806
36#
發表於 2020-8-3 11:18:15 | 只看該作者
謝謝樓主提供此教材，很有幫助9 B" \7 A0 x( C0 n) M
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35#
發表於 2020-7-31 01:40:37 | 只看該作者
最近在layouy電路 來看看學習
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34#
發表於 2018-9-16 14:17:07 | 只看該作者
感謝大大的分享
' W9 {  g- u$ f0 u希望能對我這個菜鳥有幫助* c' L3 P5 Q" T1 g4 [( i
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33#
發表於 2018-9-2 08:19:54 | 只看該作者
没有经过系统学习，下来看看。
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32#
發表於 2018-8-24 12:16:43 | 只看該作者
感謝大大提供,   正好工作需要用到" K0 u; \- u; p7 m0 t  U
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31#
發表於 2018-8-3 10:22:46 | 只看該作者
感謝好文章的分享，目前正在尋找一些教材資料。7 A! R7 C* l8 l) ^" a
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30#
發表於 2016-8-18 20:35:50 | 只看該作者
謝謝分享" I0 M3 O+ G, k9 t( J/ B0 C- @
看起來是一份很基礎的講義
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29#
發表於 2016-6-30 15:19:06 | 只看該作者
    謝謝分享!參考看看$ h& {& Y' d& h$ w* M' o
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28#
發表於 2016-5-25 13:13:44 | 只看該作者
剛踏入這行
6 N" p# k4 P6 J6 _& Q2 Y想找些教學資料參考
( V3 M; R* U) Q  U( R3 [  l謝謝大大分享
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adjamie
27#
發表於 2016-5-23 10:48:19 | 只看該作者
謝謝分享!!4 K) P: z' N: I' p
學習中,非常需要~
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26#
發表於 2016-5-21 00:35:57 | 只看該作者
bi-coms 謝謝好心人分享這個檔案$ ]- I9 k# d4 r- `  Z9 T3 G
感恩~
" c9 }5 @! V$ o9 d
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25#
發表於 2016-5-20 09:06:11 | 只看該作者
太多太多人（甚至某些论文）将亚阈值区和饱和区的概念弄混了。。。。。。   MOSFET的Vgs的大小将MOS管分为三个工作状态：weak inversion（弱反型，或者称亚阈值），moderate inversion（中间反型，部分属于亚阈值）和 strong inversion（强反型，注意名称！这个不叫饱和区）
& o+ E* d, ~: Y9 M6 r. W& H8 X; |  Z   这三个工作状态根据Vds的不同，都可存在 线性区，非线性区但未饱和，还有饱和区（不同的Vgs都存在饱和区！只是对Vds的要求不同！）9 l. f+ ?: S0 x4 v3 U
   
5 z5 u& K5 A9 c& l5 I1 }   如果是要进行低功耗的设计的话，将管子置于亚阈值区是最好的，并且要饱和！亚阈值区一般的说法是Vds>4kT/q能达到饱和状态。
6 a( p% d- ?% H& O   亚阈值设计一个非常大的问题是对于IR drop比较敏感，因为亚阈的饱和电流跟Vgs是指数相关的，而强反型只是平方相关，如果是速度饱和，那就只是线性相关。所以IR drop造成的电流波动是你的设计所需要注意的。
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