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[問題求助] 請問在加電容時,使用PMOS好還是NMOS好

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1#
發表於 2009-8-28 13:50:03 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
有時LAYOUT有剩餘的空間可以放電容,) k  N% {5 v7 }( u5 `
請問各位先賢在加電容時,使用PMOS好還是NMOS好5 \  R4 U8 w) X" h

! d/ K0 J. i, N$ CP/N MOS 如何達到穩壓的效果

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5#
發表於 2009-9-4 13:18:51 | 只看該作者
同意樓上的看法
& u6 }6 j9 V: ?以原理來看" u, A$ y; O. {# u3 z! n  A# c3 j
PMOS 的載子 是 電洞. G/ n7 o7 h# M1 K
NMOS 的載子 是 電子# g5 z' |' `  U
電子移動較快3 \) u( L* V5 s9 e% l
如果無其他考慮
2 o$ i( ~: A4 U% `NMOS 似乎 較佳
4#
發表於 2009-8-31 17:19:13 | 只看該作者
个人看法,仅供参考:3 D# X( d7 V" v3 M
, N% t  Z: _+ Q+ ?' x( H6 T4 W
用PMOS做电容的时候,PMOS的NWELL与衬底(p型)形成一个反偏二极管,当地线上来一个瞬间大电流,能通过这个来对mos电容栅极进行保护。当然,在栅极上加一个小电阻是常用的做法。. o% z% F7 j' E* a; h6 x, M
* F# W1 s1 F/ n# N
但是PMOS的电容比NMOS的电容小,如果不考虑ESD的可靠性方面,单从电容滤波方面考虑的话,NMOS应该比PMOS好~
3#
 樓主| 發表於 2009-8-31 13:25:36 | 只看該作者
嗯!那如果有跨壓noise 的 issue.
6 g0 S5 B' ~# Z7 r# l( ]是否就應用 pmos 電容,6 Y8 K1 Y" {6 [
因其include 在nwell 中,- j8 r' o9 |5 s" Q6 r; k
沒錯DRC RULE會較大,影響size.  K4 K/ Z6 |* ^1 i
2 k! t! _% |5 m9 F: B
. ]7 }5 E/ R( ^2 U  v
所以說  在不考慮 noise 的情況下 nmos 電容與 pmos 電容  效用一樣嗎?
2#
發表於 2009-8-30 22:37:18 | 只看該作者
从原理上来讲,NMOS还是PMOS作电容并无本质上的查别,因为都是依赖与gate做介质.至于具体的选择依据,我的看法是: 1)电容两端的结点间的电压范围--如果对容值要求不是很准确的话关系不大; 2)一般来讲PMOS会方便些,因为不需要构筑额外的well来处理sub的连接.
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