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[問題求助] 跪求…

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1#
發表於 2009-8-27 19:58:36 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
請問板上大大,lay ESD mos 有什麼須要注意的地方嗎? 感恩感恩…
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6#
 樓主| 發表於 2009-9-4 09:04:32 | 只看該作者
感恩感恩… ) ?0 K& ]0 ^) U1 e% p7 [
讓我又多學了一些相關知識了
5#
發表於 2009-8-29 12:03:29 | 只看該作者
還有metal線也必須注意 source 跟 drain 的metal line注意平均 還有最後可以用top metal做補強 top metal 較厚可以承受比較大的電流
4#
發表於 2009-8-28 14:44:27 | 只看該作者
同意樓上ㄉ看法& V2 [2 f, @4 S7 s" d/ w% g
粉多時候是經驗值; j$ {6 T- r8 D0 [1 l& P  o
ESD mos
8 ^) P* f: A, M. F1 g0 o1. poly width 選定
( a  t. n% ?8 G$ Z& I! x2. cont 到 poly gate 的距離-------  通常是 一般rule  ㄉ 2-3 倍左右3 D8 \$ b3 `  n, `' {
3. cont 到 od edge 的距離  ------  通常和 cont 到 poly gate 的距離 比 是 3:1 or 4:1! n6 P5 g! X1 v' C& i; o2 i! I4 W
4. P/N mos 的距離4 C; N$ z7 {3 f
5. ground ring width-   ---------  通常是2個VIA 以上的寬度
% W5 O( P& q* e6. 是否加 dob-Ring      ---------  通常是一定要ㄉ2 ]3 U7 i2 j8 N, W$ s9 D
7. P/N mos width 的選定
' D' [" l. i0 P* u& o   補充一點1 a) j$ U3 s: e/ [
8.看製程 決定 RPO  or ESD LAYER ㄉ使用
3#
發表於 2009-8-28 13:34:20 | 只看該作者

ESD mos

1. poly width 選定
# a, A# e7 g: d9 K6 [3 K2. cont 到 poly gate 的距離
' f- @9 j" d$ q6 `) P6 A3. cont 到 od edge 的距離
1 m1 X* [6 E  a2 c% _% _6 h6 W; r4. P/N mos 的距離& i6 [. o6 I( B  J# z3 s
5. ground ring width
5 z4 T) p; Y$ g% R; n6. 是否加 dob-Ring
6 A! y; O  i( z7. P/N mos width 的選定
2#
發表於 2009-8-28 12:41:00 | 只看該作者
正統的話 應該還是按照DESING RULE 去畫  比較不會有問題喔7 u/ ]) W+ L+ f! _0 P6 X
希望這建議對你有幫助
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