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同意樓上ㄉ看法& V2 [2 f, @4 S7 s" d/ w% g
粉多時候是經驗值; j$ {6 T- r8 D0 [1 l& P o
ESD mos
8 ^) P* f: A, M. F1 g0 o1. poly width 選定
( a t. n% ?8 G$ Z& I! x2. cont 到 poly gate 的距離------- 通常是 一般rule ㄉ 2-3 倍左右3 D8 \$ b3 ` n, `' {
3. cont 到 od edge 的距離 ------ 通常和 cont 到 poly gate 的距離 比 是 3:1 or 4:1! n6 P5 g! X1 v' C& i; o2 i! I4 W
4. P/N mos 的距離4 C; N$ z7 {3 f
5. ground ring width- --------- 通常是2個VIA 以上的寬度
% W5 O( P& q* e6. 是否加 dob-Ring --------- 通常是一定要ㄉ2 ]3 U7 i2 j8 N, W$ s9 D
7. P/N mos width 的選定
' D' [" l. i0 P* u& o 補充一點1 a) j$ U3 s: e/ [
8.看製程 決定 RPO or ESD LAYER ㄉ使用 |
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