deep n-well

familys123

我是剛設計rf電路新手，在設計好電路後layout時
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9 K  h& P2 h# U/ X0 {$ y; [- O3 Y發覺rf的mos最外圈有兩層，最內圈是body而最外圈是deep n-well
; l. M& f2 e6 k  ^; t! W
我那時不知道那是deep n-well，而在layout時nmos那圈我都接地

而pmos是那圈是已經跟body那圈接在一起了，所以我不需要動它

在我最近下線完後發覺好像不太對，我把nmos flatten掉才知道
$ l+ C7 c$ x$ R& e7 ]9 K
它叫deep n-well，nmos的body是p型，那我還把deep n-well接地
9 }8 V- H  [- @, Z' W
- D# U  V0 l! k, Y+ R( e, l9 B那不是有可能順偏，我電路中body都跟source接在一起，而我的電
" D) C0 J$ m3 n1 l- I
  k8 U/ J: q' @, a$ J& @' s路中source又不一定接地，那這樣子我的電路很有可能不work嗎？

deep n-well是一個電晶體配一個，還是整個wafer配一個，若是整個wafer

, L3 k7 y0 w3 I6 @一個的話那我叫出電晶體時怎會最外可以讓我選擇如何接？

那deep n-well我該怎樣接才對？1.與body接在一起2.不要接(浮接)
" v: V! k) z0 d* @; i3 M6 Z4 q; k
3.接到最高電位。那種方式會比較好，而一般會用那種方法？

* f' b: {6 a: X而我所使用的是.18製程。

semico_ljj

Deep Nwell就是为了实现sub隔离用的

areutheregod

我把這一篇推上來，因為我也有疑問，
過去其它製程剛好沒有deep n-well ，現在用TSMC.18的model發現有deep n-well ，
8 }: F, O/ q+ j9 J上課的時候說過這樣把所有的body都分開，所以可以單獨mos的s和b端接在一起，
( ]" }- d6 X4 z  T7 ]+ J* G可有違過去的經驗，雖為了怕bodyeffect而把sb端相接，
& b5 W6 b3 D6 O2 s5 G' W可怕latch-up，所以把b端都接最負電源，
* ~, f7 Q# [' G2 n. K. a4 ~如今.18有這樣的製程設計，是否表示可以把sb端相接 ? 只要外圍有deep n-well ?
有先進可以回答嗎?