關於amp的match問題

minzyyl

如圖所示之amp,M2,M3的M=4, gate輸入分別為IN,IP; 現在主要討論M2,M3的place match, 和同僚討論哪種place可能較好,最後得出的結論不一緻,誰能給點意見?

) c" u1 N# p! i! d參數: M2,M3一样: W/L=6/2, M=4,以下3种方案佈局時周邊都加dummy.
我們的place方案是：
+ s9 c( @  N; k1: A B A B
   B A B A
這種佈局可以保持電流方向一致,對稱性也較好, 但不能共用S/D
4 l( K4 Q0 k8 Y9 F& E4 o2: A B B A
" e0 Y6 t. o1 d+ b   B A A B
對稱性不錯,而且能全部共用S/D,但current方向不一緻
3: A A B B
   B B A A
對稱性應該沒上面兩种好,不過也能全部共用S/D, current方向不一緻

大家一般採用哪种? 能說說理由嗎?

[ 本帖最後由 minzyyl 於 2009-7-11 04:00 PM 編輯 ]

ONLYFLYSKY

要看元件的製程，元件之端點是否能夠共用，目前遇到的元件是nmos元件都只能是獨立元件，能排的只是二維格式，因bulk是共用的，s與d共用的機會根本是不可能的

% B' l0 c8 d+ h2 `3 r; n' t依照我這個例子，我會說，看元件製程而定。
$ w+ L  @* v. p! W8 ]2 m事情並沒有絕對，只有合理性，
: o. z! X* l" J1 t% i' W+ |rd與layout的考慮立場並不相同，唯一能夠說明的只有雙方的溝通了解。而非傾向單一方的說法。

minzyyl

前年發的帖子竟然還在。。。

現在的認識又多了點。這個例子，應該把STI和WPE算上去，那麼答案就比較明顯了。

ONLYFLYSKY

看元件的剖面圖，能夠共用的是s端或是d端，不同製程之元件能夠共用的點不同，rule與rule的規則。就彼此卡死，AA一定會分段。

dlchen

回復 20# minzyyl
5 K: P+ a, a$ S6 K' a4 `5 r
我也想知道不共用的理由是什麼?

ONLYFLYSKY

梯度效應考量、ID電流考量。

minnie0606

回復 1# minzyyl

* R/ M% a" P7 Z  n, d( i1 ^5 D% w5 L
; R! D( }* Y  H2 S    我都用第2種方式~common-centroid
    省面積~而且特性較好~
& M7 x9 x3 Z8 ~$ L3 w! ~    mosㄉ條件一樣~

garyliao70

we use 3rd method
0 j( r8 z$ A. d* u6 Pand work well sfdr & snd ok!

dreamflying61

第二种较好吧！
看你的管子个数而定

antoniocc

請問各位前輩

ABBA       ABBA
BAAB  和  ABBA

這兩種又有什麼差異??

L_ju

9 z) V. j% Q: `# n& E
" `0 w/ b5 H1 F# g* N! ~
8 A6 [( z6 i7 P: b: n  y$ K- a0 E
8 Z6 U9 |0 M0 I

lethalkiss1

当然第2种啊
1  面积小
. g! z0 [) F2 k2 b% a0 m; i3 _2 drain 面积最小， 与sub 的电容小
. n5 L) k9 h( y$ ~0 v3 符合common central  
- B/ L1 l$ Z, n! z
+ j2 ^  c9 O% x) h* a. D4 m0 J类比电路的mos  match， 最关键是gate基本一致， 这样vt的偏差最小啊，  就算电流方向不一致， 如果有个偏差的话， 那a和b 也是一起偏差的。

li202

原帖由 nebula0911 於 2009-7-30 03:12 PM 發表
) ^! }% v, M; J. m+ B) c7 \以我自己的作法是選第二種,原因如下:既然是輸入級,那重點就是不讓IN&IP miss match,如果在這裡就miss match的話,後面各級處理的再好都沒用.所以我會增加一點面積來達成這個效果.
RD聽到這個理由一般都會接受.畢竟省 ...

% c7 i" w+ A- ^
+1
" Y3 T% L+ i9 p8 k4 {3 P
輸入級的match是最重要的, 他會影響許多性能優劣

nebula0911

以我自己的作法是選第二種,原因如下:既然是輸入級,那重點就是不讓IN&IP miss match,如果在這裡就miss match的話,後面各級處理的再好都沒用.所以我會增加一點面積來達成這個效果.
; N! Y2 ~( `+ I0 X/ s. RRD聽到這個理由一般都會接受.畢竟省面積到處都可能作的到,唯有輸入級的面積是省不了的!!(當然先決條件是RD能認同)

lnxmj

但是把A,B看成一个整体时，整体间的电流方向是一致的。。。。。。

songyafan

If you are very care match and the current ,I suggest you use the two, because its match very good than the others, about the current's orientation , you don't share the S/D can be OK.

minzyyl

原帖由 erwbeflkw 於 2009-7-18 08:06 PM 發表
方案一：
( b8 U& ~& D5 P; c  AB     AB
        x
  BA     BA　　兩個兩個相互共用應該也算common-central
; R9 ^9 _( D) G- y; \  ^) Z) \! a
# `2 z/ \+ ~6 R- V' y* ]如果不共用
, X4 }2 k7 H5 j7 I% P" Z　A      B          A      B
% h% A1 i! X7 [        x        X         x
　B      A          B      A   
　　 ...

9 d" t( I0 N/ P# s8 z' m" K
方案一勉強算CC,兩兩共用但中間不共用,可能不是很match,其他基本上同意.
  u6 s% D2 @( H* H8 |/ q$ W
第二种如果不共用,感覺就對稱電流方向考慮應該是最好的,感覺不理想的就是如果電路比較在乎計生電容,也就是說RD比較在乎速度,就不是最佳的了吧? 不知道分析的對不對

minzyyl

原帖由 瓦片小屋 於 2009-7-18 05:20 PM 發表
2 }6 q' ^8 ?* T! p我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

/ J# d! s  ]9 E
$ b  x+ B! Z. l+ \$ `2 Q  U: X4 V
    何解? RD不一定正確吧?

semico_ljj

用第二种！

erwbeflkw

方案一：
  AB     AB
        x
8 u; }7 Q. b5 f  BA     BA　　兩個兩個相互共用應該也算common-central
7 c9 e0 Q8 r9 r# J8 O! t# Z
如果不共用
3 r6 w4 j8 a, K$ z6 f$ S　A      B          A      B
0 H" V4 ]9 V; {: a+ [- g        x        X         x
　B      A          B      A   
　　x1　　　　　x2
4 Q( }7 w) e7 J9 b2 k# r+ T! u8 Tx1 屬於 common-central
x2 屬於 common-central
x1和x2 的central 又落在大X上所以應該也算common-central
兩個A接近大X的central又跟兩個A遠離大X的central重疊
7 L5 E0 `9 O5 d, A
/ T: c7 S3 Y; K
0 _, d/ y) m8 {  k$ W+ r' ]方案二已經是public 的 know-how了，如果有面積考量的話，當然就用這個
方案三會比會比方案一還弱吧，如果有再多一組的話，雖然也是common-central