請問一下BJT的導通電壓?

leaf1989

各位大大我想要請問一下.35製程BJT的VBE導通電壓為多少?我看它裡面的參數值都看不懂哪個是關於它的電壓~
; }3 t7 Z5 `$ y: X( e$ t' G/ g' W+ v請麻煩說明一下要怎麼看?我指的是PNP10、5跟NPN10、5的兩種情況。

leaf1989

我已經解決以上的問題了，謝謝大大。

shangyi

抱歉...我上面的標號用的不清楚...
* t- {& Q4 O% w$ t因為以前BJT都只用在bandgap diode的使用上
正確標示應該是
' t, k/ ?5 J& ]( l7 ?# ]* c3 Q+ q0 TIc=Is*exp(Vbe/Vt)
" U1 l+ _4 r5 B% R+ ^Ic = collector current , Is = saturation current
/ }8 T& h- S9 w! N% ^' U怕我講的不清楚(功力不夠) 請詳看Smith bipolar章節
另外model 參數定義 可搜尋關鍵字
"hspice elements and device models manual "
1 i8 T8 P# [! ]2 g0 \有文件可下載 或上mosis找找
1 S1 r/ C' R3 J8 n而lx0(node) 為Vbe, lx1(node)為vbc, lx2為Ic  lx3為Ib
lv2為initial condition Vbe  lv3為initial condition Vce
想知道其他 lx lv 參數定義 可搜尋關鍵字 "hspice manual"
$ d! I1 \8 t% j3 _# }" q5 j2 ^6 ~下載官方release 的文件(只是是舊版的)

leaf1989

VBE=(kT/q)*ln(Is/Io)這個我知道~不過製程裡面有IO嗎?我不知道要帶什麼值進去?
" H  q+ R6 Y! Z* v- E2 a8 a大大 lx0(XX)就可以畫出Vbe對電壓or電流得值?可以說明詳細一點嗎?以下是參數值
: Z9 C8 r; U# R- a& I/ m+ ?, d9 k.MODEL pnp10 PNP (                               LEVEL  = 1                  
2 f! H# p6 F6 C( L9 V; P+ BF     = 6.35            NF     = 1.01            ISE    = 2.95E-17           
+ NE     = 1.9             IS     = 2.95E-17        RB     = 71                 
: d8 R0 k/ c' k( w) ?% b6 i9 C1 j+ IRB    = 9.5E-4          RBM    = 0.1             RE     = 2.35               
/ m! H% m& V' h: N+ IKF    = 1.95E-3         NKF    = 0.549           VAF    = 300               
+ BR     = 0.01116         NR     = 1               ISC    = 2.95E-17           
+ NC     = 1.1             RC     = 21.08           IKR    = 0.087818           
/ b& P7 |, Z8 b+ VAR    = 7.8             TBF1   = 6.7E-3          TBF2   = 8E-6               
9 r$ Q, `/ v" _5 T8 {* M  `* K+ TNE1   = 9E-5            TNF1   = 9.5E-5          TRB1   = 3E-5               
# E  q2 t) i: i- [+ TIRB1  = 9E-4            TRM1   = 9.44068E-6      TRE1   = 5E-4               
+ TIKF1  = -3.5E-3         TVAF1  = -9E-4           TBR1   = -7E-4              
- x  E; t4 C; G1 l: \+ TBR2   = 9.5E-6          TNR1   = 9E-5            TNC1   = 1.50731E-3         
+ XTB    = 0               XTI    = 3               TRC1   = 0                  
8 w( H& B" ?' ~0 J0 u) [# t+ TIKR1  = -3.9E-3         EG     = 1.18            CJE    = 1.55101E-13        
+ VJE    = 1.23623         MJE    = 0.662557        FC     = 0.5               
1 p; z; `% {0 ^* h9 h5 b* i+ CJC    = 3.131405E-14    VJC    = 0.552774        MJC    = 0.32993            
0 D. }4 }# O# ]5 v+ b( D  I' b+ N5 s+ TLEVC  = 1               CTE    = 4.87874E-4      CTC    = 2.63294E-3         
+ TVJE   = 2.16319E-3      TVJC   = 2.955E-3        TREF   = 25                 
+ SUBS   = 1               TLEV   = 0               )
" o( C( \; P0 W. P/ W5 {
9 ~7 U# [; u- G* [7 V: e) [[ 本帖最後由 leaf1989 於 2009-7-10 12:27 AM 編輯 ]

shangyi

看不懂問題....
VBE不是跟電流有關???
印象中 VBE=(kT/q)*ln(Is/Io)....如果沒記錯的話!!
1 i! k- K8 I3 b( T5 i% E所以你的導通電壓是指??

corsair

可以直接畫出來阿
: k' t6 o9 Q0 t1 Blx0(XX)就可以畫出Vbe對電壓or電流得值
另外在p-sub standard process中
PNP不需要額外的mask，但NPN就要喔
1 o/ |* r: g& K3 L) L( N10跟5應該是指emitter的邊長吧