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[問題求助] 關於Latch-up及Floor Plan 的問題

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1#
發表於 2009-6-27 16:55:24 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
請各位大大們,幫忙小妹解決一下疑惑,恩感.
" ?1 [' B/ v5 u" }8 [1.為何分別在pmos及nmos各圍了guard ring後,可降低Latch-up呢?+ x5 m6 K, {% ]( F' E2 |
2.在混合電路中,要如何Floor Plan及注意些什麼呢?
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4#
發表於 2009-7-11 11:25:51 | 只看該作者
加Guard ring 是避免漏電流使得電路導通而照成latch-up
3#
發表於 2009-7-2 16:02:46 | 只看該作者

latch up 本质上是pnpn ,解决办法主要有2个

latch up 本质上是pnpn ,解决办法主要有2个,减小压降和减小寄生三极管的增益,你画下剖面图,就可以明白在pmos及nmos各圍了guard ring後的意义了。
2#
發表於 2009-6-30 18:32:51 | 只看該作者
1. 這樣可以增加放電的路徑
% y# j! p2 ?1 E# D5 m, g1 X2. 依照頻寬的不同跟負載的不同而不同
7 e: O. ^) g) C( W. [在高負載的時候會增加noise並且回饋給power然後依此循環7 v4 f! p, W' q" J; j# _  A% v
可以用增加小電容的方式穩定偏壓8 _2 [$ n& U5 {9 Q' G) }
低頻寬可以放較多面積的vdd, vss , ground, 這有兩大類的作用
( f' J$ _- P" M9 l1 [2 \4 _一是增加電壓的穩定, 另外則是當做雜訊排除& R# U/ `& L. K( o) w
高頻寬就相反, 類比信號的周圍最好不要有around ground, 會有漏電容, 影響頻寬, 雜訊過大(高頻的點太高)6 ^4 i  w$ @- u9 ^% f5 h
數位的第跟類比的地要分開處理中間可以考慮用cmos或mos來連接, 一方面可以控制電流的流向, 使兩者信號不至於回流
* g! h, s2 w! u) Y壓降也小, 總而言之在低頻寬的類比電路不同於高頻寬的類比電路, 很多觀念有時候是相反的

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